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[发明专利]一种适用于具有多处理腔的半导体设备的传输腔顶盖-CN201210081782.7有效
发明人：赵洪涛;王喆;张杰;马东;吴奇昆;沈瑜俊;孙亭 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于具有多处理腔的半导体设备的传输腔顶盖，其中，所述半导体设备包含传输腔，以及呈星型设置在所述传输腔周围的若干处理腔；所述传输腔包含晶片传输缓冲区和晶片存储区，且晶片存储区的顶部高于晶片传输缓冲区；所述顶盖设置在半导体设备的传输腔的顶端；该顶盖包含固定顶盖和可拆卸顶盖；所述固定顶盖设置在晶片存储区的顶端，其与晶片存储区的腔体一体设置，所述可拆卸顶盖设置在晶片传输缓冲区的顶端。本发明所提供的适用于具有多处理腔的半导体设备的传输腔顶盖，其拆卸部分重量较轻，且保证在顶盖拆卸时不会与晶片发生碰撞移位而致使晶片碎裂报废的情况发生，能有效提高半导体设备的生产效率。
一种适用于具有处理半导体设备传输顶盖

[发明专利]一种防止晶片碎裂的检测装置-CN201210557540.0有效
发明人：马东;解毅;赵洪涛;何雅彬;马世余;王喆;沈瑜俊;吴奇昆;孙亭 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种防止晶片碎裂的检测装置，用于具有多处理腔的半导体设备中；该半导体设备包含传输腔，以及呈星型设置在传输腔周围的若干处理腔；传输腔包含晶片传输缓冲腔和晶片存储腔；该检测装置是设置在晶片存储腔内的，用于检测放置在晶片存储腔内的晶片位置是否存在偏差；该检测装置包含第一传感器，接收该第一传感器发出的检测信号的第一接收器；第二传感器，以及接收该第二传感器发出的检测信号的第二接收器。本发明能够有效检测晶片在晶片存储腔中的放置位置是否存在偏差，避免晶片与晶片存储腔的内壁发生摩擦碰撞致使其碎裂报废的情况发生，能有效提高半导体设备的生产效率。
一种防止晶片碎裂检测装置

[发明专利]一种用于晶圆传送位置校正的装置及方法-CN201210081778.0有效
发明人：赵洪涛;王喆;张杰;马东;沈瑜俊;吴奇昆;孙亭 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于晶圆传送位置校正的装置及方法，在加热器维护保养的过程中，进行若干次的晶圆传送测试时，将一个由特氟龙或其他防滑材料制成的校正装置套设在加热器上，使得晶圆在密闭腔体内被机械手臂传送到该校正装置上以后，不会发生进一步滑动，所以在技术人员打开腔体后，仍然能够清楚地检测到晶圆相对于校正装置上定位线的偏差位置。由于校正装置上定位线所限定的区域，与加热器顶面上划定的晶圆正确传送的位置（例如是整个加热器的顶面）相对应，因此，通过本发明所述装置及方法校正后，在实际的热处理时，机械手臂能够将晶圆正确地传送到加热器上的对应位置，确保晶圆热处理时的效果。
一种用于传送位置校正装置方法

[发明专利]一种连接远程电浆系统与反应腔体的清洁气体管道-CN201210081779.5无效
发明人：王喆;张杰;赵洪涛;马东;沈瑜俊;吴奇昆;孙亭 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： F16L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种连接远程电浆系统与反应腔体的清洁气体管道，包含：管道主体、一对垫片以及连接件；该其中一个垫片设置在管道主体的第一端与远程电浆系统之间，另一个垫片设置在管道主体的第二端与反应腔体之间；该管道主体第一端的连接件依次穿过管道主体的第一端和该端对应的垫片，将该管道主体的第一端与远程电浆系统固定连接；该管道主体的第二端的连接件依次穿过管道主体的第二端和该端对应的垫片，将该管道主体的第二端与反应腔体固定连接。本发明即使经常拆装，也可以保证清洁气体管道与远程电浆系统以及反应腔体之间的密封接触，并且可以随时更换垫片而无需改变管道主体，节约了成本和时间，提高了生产效率。
一种连接远程系统反应清洁气体管道

[发明专利]半导体制造系统-CN201210261976.5无效
发明人：沈瑜俊;赵洪涛;王喆;马东;吴奇昆;孙亭 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的半导体制造系统包括：液体管道、漏液阻挡装置、具有处理腔的第一处理装置、与所述第一处理装置连接的第二处理装置、以及布置在所述第二处理装置上的第三处理装置；其中，所述液体管道在连接点与具有处理腔的第一处理装置的腔体盖相连；并且，所述第二处理装置和所述第三处理装置布置在具有处理腔的第一处理装置的所述连接点的下方；所述漏液阻挡装置在所述连接点与所述第三处理装置之间，其中，所述漏液阻挡装置用于在液体管道在与具有处理腔的所述第一处理装置的所述腔体盖相连接的所述连接点处发生漏液时接纳从所述液体管道泄漏出来的液体，从而防止从所述液体管道泄漏出来的液体接触所述第二处理装置和所述第三处理装置。
半导体制造系统

[发明专利]真空溅镀装置及其使用方法-CN201210122427.X有效
发明人：张杰;解毅;何雅彬;赵洪涛;王喆;马东;吴奇昆;沈瑜俊;孙亭 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种真空溅镀装置，包括：至少两个出/入口腔、传输腔、溅镀腔及一个真空泵，其中，每个所述出/入口腔与所述真空泵之间至少设置第一隔绝气流装置与第二隔绝气流装置，其中至少一个能自动防止气体流入所述出/入口腔。此外，本发明还提供了的该真空溅镀装置的使用方法。采用本发明的技术方案，可以改善现有的真空溅镀装置对某个出/入口腔进行抽真空过程中，被密封的已经达真空度要求的腔由于密封不严，会出现漏气，进而避免溅镀效果差的问题。
真空装置及其使用方法