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[发明专利]一种含七氟异丙基的双酰胺类化合物及其制备方法和应用-CN202310914372.4在审
发明人：沈新良;吴华龙 -专利权人：浙江宇龙药业有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C07C233/81 文献下载
摘要：本发明提供一种通式(Ⅰ‑Ⅴ)化合物，该通式化合物用于制备含七氟异丙基的双酰胺类化合物，所述七氟异丙基的双酰胺类化合物经试验验证具有优异的杀虫活性，特别对抗性种群同样具有优异的高杀虫活性，与现有杀虫剂氯虫酰胺无交互抗性，在低剂量下杀虫效果好、速效性佳；此外，所述七氟异丙基的双酰胺类化合物制备方法简单、高效、易于产业化生产，在农业、林业及园艺领域防治虫害具有广阔的应用前景。#imgabs0#
一种含七氟异丙基双酰胺类化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法-CN201810010913.X有效
发明人：贺龙飞;陈志涛;赵维;张康;吴华龙;何晨光 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。此器件的外延结构包括衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中0.01≤xy≤1，发光有源区包括多个量子阱层与多个量子垒层，多个量子阱层与多个量子垒层交替设置，最后一个AlGaN量子垒层为铝组分渐变层。在紫外器件中引入铝组分渐变的最后一个AlGaN量子垒层，优化器件的能带结构，能有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，从而提高半导体紫外器件的量子效率和发光效率。
一种提高 algan 半导体紫外器件及其制备方法

[发明专利]一种深紫外发光二极管结构及其制备方法-CN202111286135.5有效
发明人：李祈昕;刘宁炀;何晨光;陈志涛;赵维;吴华龙 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外发光二极管结构及其制备方法，包括从下至上依次叠加的衬底、缓冲层、具有台面结构的N型AlGaN层、多量子阱层、P型层，所述N型AlGaN层的台面结构上设置有N型金属电极，所述P型层上设置有P型金属电极，所述N型AlGaN层台面结构区域与N型金属电极之间设置有不连续成膜的微纳图形。深紫外发光二极管结构的制作方法中通过修复型ICP刻蚀对所述不连续成膜的微纳图形及露出的N型AlGaN层台面结构区域进行刻蚀，消除了刻蚀形成的表面态并修复刻蚀损伤，改善金属与N型AlGaN层的欧姆接触特性。
一种深紫发光二极管结构及其制备方法

[发明专利]一种利用周丛生物加速农田秸秆腐解的方法-CN202310637812.6在审
发明人：陆海鹰;吴华龙;吴永红;韩建刚;沈羽;黄辉;孙海军 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： A01B79/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用周丛生物加速农田秸秆腐解的方法，包括以下步骤：筛选绿色、膜状、生长旺盛且生物量大的周丛生物，剥离后用密封袋收集，筛选出土著周丛生物；在农田就近处选择两侧无遮光物的排水沟渠，在排水沟渠两端设置水闸，控制沟渠内水量和流速；将秸秆粉碎，并对粉碎后的秸秆进行表面腐蚀处理，腐蚀处理后取出备用；将土著周丛生物与水混匀制备成周丛生物接种液，均匀喷洒在制得的秸秆周围，之后将秸秆置于沟渠水中；待周丛生物生长成熟时进行收获；将生长好的周丛生物从秸秆载体上去除，与沟渠水混匀制成周丛生物悬浮液，之后进行还田。本发明提供的技术方案能有效解决现有农田沟渠氮磷污染物排放量高以及现有秸秆处理效果差的问题。
一种利用丛生加速农田秸秆方法

[发明专利]实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用-CN202310748247.0在审
发明人：何晨光;张康;刘宁炀;吴华龙;廖乾光;刘云洲;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用，涉及半导体器件技术领域。通过在蓝宝石衬底表面形成凹陷区和凸起区，且在凸起区上形成Si介质层和高Al含量的预缓冲层，由于凸起区之间相互独立，使得Al基材料在Si介质层上生长时能够释放应力，避免出现缓冲层开裂或表面粗糙的情况，然后将生长得到的预缓冲层进行高温退火，缓冲层的Al基材料重结晶，晶格重新排列，从而获得质量更好的缓冲层。此外，通过形成相互连通的网状凹陷区，使得在剥离衬底时，剥离剂能够在网状凹陷区内相互流通，并腐蚀凸起区与衬底接触的Si介质层，从而使得缓冲层与衬底迅速剥离，剥离方法简单，剥离成功率高。
实现衬底重复利用器件制备方法及其应用

[发明专利]一种由丙环唑4-H异构体制备2,4-二氯苯甲酸的方法-CN202110886275.X有效
发明人：沈浩;王海涛;袁鸿威;陈元元;吴启超;张宝华;刘莹;吴华龙 -专利权人：浙江宇龙生物科技股份有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C07C51/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种由丙环唑4‑H异构体制备2,4‑二氯苯甲酸的方法，该制备方法包括水解反应、取代反应等步骤。本发明制备方法能够高效地将丙环唑4‑H异构体制成2,4‑二氯苯甲酸。该方法可以有效地减少危险废物，变废为宝，降低生产成本。该方法制备的2,4‑二氯苯甲酸是杀菌剂啶斑肟的中间体，也是除草剂苄草唑和吡唑特的中间体，可以用于抗疟药盐酸阿的平、非汞利尿药速尿的生产，还可以用作其他医药、染料、农药中间体，用途十分广泛。本发明方法也可为其他医药(如伊曲康唑及其中间体)或农药(如乙环唑、戊环唑)等三氮唑异构体的转化提供一种解决思路。
一种丙环唑体制氯苯甲酸方法

[发明专利]便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用-CN202310578228.8在审
发明人：贺龙飞;赵维;李娟;何晨光;高轮添;刘宁炀;吴华龙;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用，其中，便于探测的紫外发光芯片包括依次设置的电子传输层、复合有源区和电子阻挡层；其中，复合有源区包括依次设置的可见光量子阱区和深紫外量子阱区，且可见光量子阱区设在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，以使复合有源区在正向电流注入下能够同时发射可见光和深紫外光。本发明通过将可见光量子阱区设置在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，使得可将光量子阱区产生的可见光在经过深紫外量子阱区时也不会被吸收，不会影响深紫外量子阱辐射深紫外光。
便于探测紫外发光芯片制备方法应用

[发明专利]深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法-CN202310599824.4在审
发明人：何晨光;吴华龙;张康;刘云洲;廖乾光;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法，其中，深紫外发光器件中的量子点的制备方法包括以下步骤：S20:制备上表面具有锯齿形宏台阶形貌的垒层；S30:在垒层上外延生长GaN层；S40:对GaN层进行脱附处理，直至在锯齿形宏台阶形貌的凹陷处形成GaN量子点结构。由于本发明的GaN层是外延生长在具有锯齿形宏台阶形貌的垒层上的，由此，在脱附处理时，该GaN层的生在在锯齿形宏台阶形貌的凹陷位置的GaN相对于该GaN层的生长在其他位置的GaN更难脱附，呈现选择性脱附的情况，因此，在经过脱附处理后，该GaN层的仅锯齿形宏台阶形貌的凹陷最低点位置的GaN未脱附，该未脱附的GaN即为所需制备的GaN量子点结构。
深紫发光器件中的量子制备方法外延

[发明专利]一种含七氟异丙基的双酰胺类化合物及其制备方法和应用-CN202211560236.1有效
发明人：沈新良;吴华龙 -专利权人：浙江宇龙药业有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C07C237/42 文献下载
摘要：本发明提供一种含七氟异丙基的双酰胺类化合物，具有通式(Ⅰ)所示结构。本发明还提供所述含七氟异丙基的双酰胺类化合物在防除有害生物中的应用。本发明的含七氟异丙基的双酰胺类通式(Ⅰ)化合物经试验验证具有优异的杀虫活性，特别对抗性种群同样具有优异的高杀虫活性，与现有杀虫剂氯虫酰胺无交互抗性，在低剂量下杀虫效果好、速效性佳；此外，本发明通式(Ⅰ)化合物制备方法简单、高效、易于产业化生产，在农业、林业及园艺领域防治虫害具有广阔的应用前景。
一种含七氟异丙基双酰胺类化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种紫外光电器件及其制备方法-CN202011567039.3有效
发明人： 吴华龙;何晨光;贺龙飞;张康;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光电器件及其制备方法，制备方法包括：采用沉积方法在大倾角蓝宝石衬底上沉积200nm‑4μm的AlN材料；将AlN材料放置于高温热退火炉中进行高温热退火处理，在完成高温热退火后，将蓝宝石衬底放置于MOCVD设备中生长紫外光电器件结构，其中，紫外光电器件结构包括但不限于紫外LED结构和紫外光电探测器结构。本发明实施例通过采用大倾角蓝宝石衬底进行外延生长后高温热退火得到锯齿状宏台阶，锯齿状宏台阶能够将注入到量子阱中的载流子限制在宏台阶褶皱处，从而能够避免遇上位错发生而非辐射复合，进而能够有效地提高紫外光电器件的发光效率和光电转换效率。
一种紫外光电器件及其制备方法

[发明专利]一种衬底剥离方法-CN202010943817.8有效
发明人：何晨光;张康;吴华龙;陈志涛;赵维;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底剥离方法。本发明的衬底剥离方法包括以下步骤：(1)在第一衬底上沉积AlN材料，形成复合基板，其中，沉积AlN材料过程中的环境气氛掺有氧元素，使得AlN材料中氧原子浓度高于1E16cm‑3；(2)将复合基板置于退火炉中，升温至1400‑2000℃，并在此温度退火0.5‑24h，在退火过程中，在AlN材料与第一衬底的界面上方形成反型边界，退火后降温将复合基板取出；(3)在经过退火的复合基板上外延生长外延层，形成完整的外延片；(4)将激光从第一衬底面照射，激光光斑聚焦在反型边界，使得反型边界上方和下方分离，实现第一衬底的剥离。本发明的剥离方法简单，低成本，良率高，且不受限于短波长、大功率激光器。
一种衬底剥离方法

[发明专利]氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法-CN202011574313.X有效
发明人： 吴华龙;何晨光;张康;贺龙飞;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法，其中，退火处理方法包括以下步骤：步骤S1，在第一晶片的氮化物材料层表面上沉积采用能够通过化学腐蚀方式去除的耐高温材料保护层，其中，第一晶片通过在异质衬底上沉积氮化物材料层制得；步骤S2，对沉积有保护层的第一晶片进行高温退火处理；步骤S3，通过化学腐蚀方式去除经过高温退火处理的第一晶片上的保护层。本发明的方案通过设置保护层，使得在进行高温退火处理以降低氮化物材料层位错密度时，氮化物材料层不会出现表面分解，且能避免气氛中的碳、氧等杂质并入；且通过化学腐蚀的方式去除保护层，不会损伤氮化物材料层和异质衬底。
氮化物半导体材料制备方法及其退火处理

[发明专利]一种有机无机复合介质包覆的高电压复合正极及其制备方法和应用-CN202310268794.9在审
发明人：彭栋梁;吴华龙;谢清水;王来森;吴晓俣;林杰 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机复合介质包覆的高电压复合正极及其制备方法和应用。该制备方法为在高电压正极材料的表面，由无机金属源前驱体与有机非金属源前驱体通过分子层沉积的方式，制备形成金属基有机无机复合薄膜。该方法可以有效提高高电压正极材料的容量以及循环稳定性，在250mAg‑1的电流密度下可以达到263mAhg‑1的放电比容量，200次循环后的容量保持率高达94％(其中电压范围为2.0‑4.8V)，也可以有效改善全固态电池中电极/固态电解质界面的接触阻抗与稳定性，在50mAg‑1的电流密度下可以达到180mAhg‑1的放电比容量，20次循环后的容量保持率为95％。
一种有机无机复合介质电压正极及其制备方法应用

[发明专利]半导体单晶材料的制备方法-CN202211717074.8在审
发明人： 吴华龙;何晨光;张康;赵维;贺龙飞;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体单晶材料的制备方法，其包括以下步骤：采用异质衬底进行材料制备；在200℃‑700℃的温度下，在异质衬底上溅射化合物半导体材料，以得到第一晶圆；对第一晶圆进行次数不少于两次的热处理，以得到热处理成品晶圆，其中，每次热处理的温度比前一次热处理的温度高，第一次热处理的温度高于溅射温度，最后一次热处理温度范围为1300℃‑1800℃；在热处理成品晶圆上沉积化合物半导体材料，以制得半导体单晶材料。由此，化合物半导体材料经过前期低温热处理材质得到了致密化，避免后续进行高温热处理重排形成单晶时因结构松散而出现热分解的问题，以便后续沉积的化合物半导体材料保持单晶状态。
半导体材料制备方法

[发明专利]高出光的深紫外LED薄膜芯片结构及其制备方法-CN202211526880.7在审
发明人：张康;何晨光;吴华龙;廖乾光;刘云洲 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种高出光的深紫外LED薄膜芯片结构及其制备方法，结构包括合拢层和与合拢层邻接的深紫外LED发光本体，合拢层包括至少二个离散布置的凸台结构，且所有离散布置的凸台结构在其与深紫外LED发光本体邻接端相互连接形成连续的合拢表面，深紫外LED发光本体形成在所述合拢表面上；各凸台结构的侧边与所述合拢表面之间形成有合拢倾角，且合拢倾角α均满足α≥90°‑θc，其中，θc用于表征光线在所述合拢层的临界角。本发明实施例提供的深紫外LED薄膜芯片结构使得TM模式下的大部分光线都能通过各凸台结构的离散端的侧边斜面折射出去，提高了深紫外LED薄膜芯片结构在TM模式下的光提取效率。
高出光深紫 led 薄膜芯片结构及其制备方法

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