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[发明专利]存储器的制造方法-CN202210418436.7在审
发明人： 吴一姗;姚邵康;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11531 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器的制造方法，在衬底背面出现氧化硅层后，先将氧化硅层去除，再继续后续工艺，使得衬底背面形成的多层氮化硅层之间未穿插有氧化硅，从而可利用去除氮化硅牺牲层的工艺将衬底背面的氮化硅层全部去除。即，在形成器件的同时，可将衬底背面形成的氮化硅膜层全部去除掉，有助于消除衬底的应力，从而改善字线倾斜的缺陷，并进一步改善字线间漏电的情况。
存储器制造方法

[发明专利]控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法-CN202111254190.6在审
发明人：李健;吴一姗;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法，包括：按现有工艺形成有源区、浮栅以及STI氧化层；执行第一次刻蚀，去除部分STI氧化层；执行第二次刻蚀，再次去除部分STI氧化层，使STI氧化层降低到指定高度；量测沟槽内STI氧化层厚度；确定执行第三次刻蚀使STI氧化层达到设计厚度所需要工艺时间；执行第三次刻蚀，使STI氧化层达到设计厚度。本发明能精确保证有效场高度,有效增大ONO氧化层与浮栅的接触面积，同时保证控制栅极与有源区的距离，从而提高数据擦写速率，减少控制栅与有源区的耦合作用。
控制 nand 闪存元胞区有效高度工艺方法

[发明专利]一种改善NAND flash字线间漏电的工艺集成方法-CN202111265240.0在审
发明人： 吴一姗;姚邵康;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种改善NANDflash字线间漏电的工艺集成方法，包括：提供硅基衬底，并形成块区字线及选择管栅；在字线结构、选择管栅处形成氧化物层；在字线结构、选择管栅间隙处填充氮化硅层并形成侧墙；在其上形成氧化物层和氮化硅层；在氮化硅层上设置氧化物层，且填充选择管栅之间隙，并化学机械研磨；回刻字线结构及选择管栅露出栅极顶部区域；去除字线结构之间的氮化硅层；沉积镍铂及钛的氮化物，并第一次退火及镍铂金属硅化物清洗；沉积介质层形成空气间隙；进行镍硅化合物第二次退火。本发明通过在字线结构的空气间隙形成之后进行镍硅化合物第二次退火，不仅工艺兼容性强，而且可减少湿法清洗，有效地降低字线结构倒塌的可能性，从而改善字线结构间漏电的情况。
一种改善 nand flash 字线间漏电工艺集成方法

[发明专利]避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法-CN202110591245.6在审
发明人： 吴一姗;巨晓华;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免层间介质填充过程中形成缝隙的方法，包括：提供一包括存储区和外围区的衬底，在所述存储区形成至少两个栅极结构；形成侧墙于所述存储区的栅极结构的侧壁上；形成第一层间介质于所述衬底上，所述第一层间介质填充进所述存储区的栅极结构之间，其中，所述存储区的栅极结构之间填充的所述第一层间介质中存在缝隙；蚀刻去除部分所述第一层间介质，仅保留所述存储区的所述栅极结构之间的下部的所述第一层间介质；形成第二层间介质于所述衬底上，所述第二层间介质填充进所述存储区的所述栅极结构之间。本发明的技术方案使得在空气间隙形成工艺的过程中不会有介质材料残留，以避免介质材料残留对最终器件对应位置的电容耦合干扰。
避免介质填充过程形成缝隙方法

[发明专利]一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法-CN202011517659.6在审
发明人： 吴一姗;巨晓华;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法，在基底上形成相互间隔的多个字线及间隔的选择管栅；在字线间的底部、字线侧壁及选择管栅侧壁形成一层氧化层；在字线间的间隙及字线与选择管栅间的间隙填充氮化硅；在选择管栅的侧壁形成侧墙；形成氧化硅层及氮化硅层，在选择管栅之间填充氧化物；回刻使字线头部及选择管栅头部露出；生长保护层覆盖选择管栅之间的上表面；去除字线间隙中的氮化硅；在选择管栅上形成金属硅化物；沉积介质层使的字线之间形成空气间隙。本发明将选择管及选择管之间的空隙通过一层保护层保护起来，可以使得选择管之间的介质层不会受到后续刻蚀工艺影响，避免形成空隙从而导致接触孔形成时出现导通的现象。
一种改善 nand flash 控制栅极形貌方法

[发明专利]一种真空抽滤提高碳纳米管薄膜场发射性能的方法-CN201810088424.6有效
发明人：欧阳威;易春蓉;吴一姗 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空抽滤提高碳纳米管薄膜场发射性能的方法，该方法将碳纳米管材料与表面活性剂的水溶液相混合，通过真空抽滤使之成膜，然后让其附着在导电胶带的表面，再将该膜置于室温~100℃、空气相对湿度为10~100%、空气对流速度为0~2 m/s的环境条件下让表面自行开裂，之后将其置于真空干燥箱中进行烘干，得到碳纳米管薄膜场发射阴极。实验结果证实，使用本发明制备得到的碳纳米管薄膜具有十分优异的场发射性能。
碳纳米管薄膜场发射性能真空抽滤碳纳米管材料表面活性剂场发射阴极真空干燥箱导电胶带空气对流成膜附着烘干制备

[发明专利]一种提高离子风风速的方法及装置-CN201610672292.2有效
发明人：欧阳威;吴一姗;潘丽坤;孙卓 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01T23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高离子风风速的方法及装置，其方法是将碳纳米管有机浆料涂覆于针状电极如不锈钢针针尖表面，将不锈钢针置于马弗炉中进行烘烤，以除去有机浆料，使碳纳米管附着在不锈钢针尖端表面；得到碳纳米管离子发射电极；其装置包括绝缘外壳、离子发射极、离子风接收极以及在离子发射极和离子接收极之间施加高压的电源，所述的离子发射极是碳纳米管离子发射电极。当在离子发射极和离子接收极之间施加一个高压时，碳纳米管离子发射电极尖端会产生较高的场强，进而通过放电来引发离子风，其风速相对于现有的发射极有显著的增强效果。本发明装置使得离子风的速度得到了显著的提高，并且所施加的电压明显降低，减少了电力的消耗。
一种提高离子风速方法装置

[实用新型]一种提高离子风风速的装置-CN201620885915.X有效
发明人：欧阳威;吴一姗;潘丽坤;孙卓 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01T23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高离子风风速的装置，它包括绝缘外壳、离子发射极、离子风接收极以及在离子发射极和离子接收极之间施加高压的电源，所述的离子发射极是碳纳米管离子发射电极。当在离子发射极和离子接收极之间施加一个高压时，碳纳米管离子发射电极尖端会产生较高的场强，进而通过放电来引发离子风，其风速相对于现有的发射极有显著的增强效果。本实用新型使得离子风的速度得到了显著的提高，并且所施加的电压明显降低，减少了电力的消耗。
一种提高离子风速装置

[发明专利]一种聚吡咯空心微球/硫复合材料及其制备方法和用途-CN201310148503.9无效
发明人：张俊;董字敏;杜高辉;刘亚;吴一姗;徐春美 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚吡咯空心微球/硫复合材料，包括聚吡咯空心微球及分散吸附于所述聚吡咯空心微球上的硫粉，形成均一的复合物。本发明还公开了所述的聚吡咯空心微球/硫复合材料的制备方法，首先在氧化剂的作用下，引发吡咯的聚合反应，包覆在二氧化硅微球的表面；然后经洗涤、干燥后，用氢氟酸溶去其中的二氧化硅微球，得到聚吡咯空心微球；再将一定质量的硫粉与聚吡咯空心微球充分研磨混合均匀，在一定温度下热处理，得到聚吡咯空心微球/硫复合材料。该方法能耗低、操作简单，可控性好，产率高，适于规模生产。本发明还公开了所述的聚吡咯空心微球/硫复合材料的应用，用于锂硫电池的正极材料，具有容量高、循环性能稳定的特点。
一种吡咯空心复合材料及其制备方法用途

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