专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片-CN202011053233.X有效
  • 吴伟昌;吕丽英;黎家健 - 瑞声声学科技(深圳)有限公司
  • 2020-09-29 - 2023-10-03 - B81C1/00
  • 本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片,解决了现有技术中硅片的光滑表面与其他膜层的表面接近时,容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法,在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层多孔氧化物膜层,然后采用XeF2气相刻蚀的方式对第一硅平面层进行刻蚀,XeF2气体穿过多孔氧化物膜层后再对第一硅平面层进行刻蚀时,不规则的刻蚀第一硅平面层,因此,经过第一次刻蚀后的第一硅平面层的表面粗糙度较大,因此,当该硅片在与其他膜层相近时,降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力,提高了MEMS器件的灵敏度,降低了MEMS器件无法使用的概率。
  • 一种具有粗糙表面硅片制备方法以及
  • [发明专利]带有过热预警功能的环氧树脂加工搅拌器-CN202310959028.7在审
  • 吕丽英;包秀群;张才福;潘洋;项滨 - 铜陵善纬新材料科技有限公司
  • 2023-08-01 - 2023-09-19 - B01J19/18
  • 本发明公开了带有过热预警功能的环氧树脂加工搅拌器,涉及环氧树脂加工搅拌技术领域,用于解决环氧树脂与固化剂搅拌混合效率低以及未对搅拌过程中环氧树脂与固化剂放热处理的问题;本发明是通过转套转动的同时带动转轴上的搅拌扇叶转动,配合上抽料通道内活塞杆的左右移动,实现整个搅拌扇叶转动的同时左右移动,使得位于混合腔中的环氧树脂与固化剂混合更为均匀,同时活塞柱的活动将混合腔中的混合环氧树脂抽入抽料筒道中,方便温控监测器对混合环氧树脂温度进行分析,同时为实现温控监测器采集环氧树脂温度信号更为准确,位于固定架上的第一电机带动弧杆转动,提高后期温度监测器采集环氧树脂温度变化信号的精准性。
  • 带有过热预警功能环氧树脂加工搅拌器
  • [发明专利]一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片-CN202011049871.4有效
  • 吴伟昌;吕丽英;黎家健 - 瑞声声学科技(深圳)有限公司
  • 2020-09-29 - 2023-09-01 - H01L21/02
  • 本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片,解决了现有技术中硅片容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法,在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层表面粗糙度较大的第一膜层,然后采用全刻蚀的方法对第一膜层刻蚀,此时,全刻蚀掉第一膜层后,第一硅平面层远离衬底基板的表面的粗糙度变大,然后再利用刻蚀的方式在第一硅平面层远离衬底基板的表面上进行刻蚀,产生凹槽和凸起,凸起的表面则具有粗糙的表面,形成具有粗糙表面的硅片。当该硅片在与其他膜层相近时,降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力,提高了MEMS器件的灵敏度,降低了MEMS器件不能使用的概率。
  • 一种具有粗糙表面硅片制备方法以及
  • [实用新型]谐振器-CN202021235413.5有效
  • 吴珂;窦韶旭;韩琦;张丽蓉;庄玉召;杨帅;吕丽英;王超 - 瑞声声学科技(深圳)有限公司
  • 2020-06-29 - 2023-07-04 - H03H9/17
  • 本实用新型提供了一种谐振器结构,其包括衬底、形成于衬底之上的底电极、形成于底电极之上的压电层以及形成于压电层之上的顶电极,顶电极、压电层与底电极交叠区域为谐振区,谐振器还包括形成于谐振区中的空间,底电极远离衬底的表面为第一表面,顶电极朝向压电层的表面为第二表面,空间自第一表面向远离压电层方向延伸和/或自第二表面向远离压电层方向延伸;或是,压电层包括朝向底电极的底表面和与底表面相对设置且朝向顶电极的顶表面,空间自底表面朝向顶表面方向延伸或自顶表面朝向底表面方向延伸。与相关技术相比,本实用新型的谐振器结构可以使器件能量损失减少,Q值提高,插入损耗降低。
  • 谐振器
  • [实用新型]谐振器-CN202021362650.8有效
  • 窦韶旭;吕丽英;杨帅;吴一雷;韩琦;吴珂;王超 - 瑞声科技(南京)有限公司
  • 2020-07-10 - 2023-05-05 - H03H9/17
  • 本实用新型提供一种谐振器,其包括基底、沿第一方向设置于基底的复合膜以及设置于复合膜靠近基底一侧的纵向声波反射器;复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜以及第二电极,第一电极设置于基底和纵向声波反射器之上;横向声波反射器的内侧面沿第一方向向复合膜的正投影所包围的区域为谐振区,谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区;第一电极、压电功能膜和第二电极均完全覆盖谐振区;复合膜位于谐振区的部分的声阻抗与复合膜位于非谐振区的部分的声阻抗相异,且第一电极、压电功能膜和第二电极位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比,本实用新型的谐振器能量损失小且Q值增大。
  • 谐振器
  • [发明专利]平坦化方法-CN202010328322.4有效
  • 吕丽英;黎家健;吴一雷 - 瑞声声学科技(深圳)有限公司
  • 2020-04-23 - 2022-07-26 - H01L41/22
  • 本发明提供了一种能够使得待加工产品的局部平坦度更均匀的平坦化方法,待加工产品开设有填充氧化物的腔体,且其包括叠设在腔体上的第一电极层、压电层和第二电极层,第一电极包括位于第一电极层周边的第一斜面部,压电层在其表面形成第二斜面部,第二电极层包括位于第二电极层周边的第三斜面部,方法包括:在第二电极层沉积第一钝化层;对第一钝化层刻蚀以在第三斜面部的外周形成衬垫,衬垫在其表面形成第四斜面部的;在第二电极层沉积第二钝化层,第二钝化层具有第一平面部、设于第一平面部外围的第五斜面部和自第五斜面部延伸的第二平面部,第一平面部沿竖直方向上的投影覆盖腔体,第五斜面部沿竖直方向的正投影落在腔体外。
  • 平坦方法
  • [实用新型]谐振器-CN202021358886.4有效
  • 窦韶旭;吕丽英;杨帅;吴一雷;韩琦;吴珂;王超 - 瑞声科技(南京)有限公司
  • 2020-07-10 - 2022-03-25 - H03H9/17
  • 本实用新型提供一种谐振器,包括基底、复合膜和纵向声波反射器;复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜、第二电极和调频器,第一电极设置于基底和纵向声波反射器上方;调频器包括调频主体部和凸环,凸环的声阻抗与调频主体部的声阻抗相异;凸环内侧面沿第一方向向第二电极的正投影所包围的区域为谐振区,谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区;第一、第二电极和压电功能膜均完全覆盖谐振区;压电功能膜包括纵向压电膜和纵向非压电膜;谐振器在谐振区内和非谐振区内的声阻抗相异,第一电极、压电功能膜、第二电极和调频主体部位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比,本实用新型的谐振器能量损失小且Q值增大。
  • 谐振器
  • [实用新型]谐振器-CN202021358877.5有效
  • 窦韶旭;吕丽英;杨帅;吴一雷;韩琦;吴珂;王超 - 瑞声科技(南京)有限公司
  • 2020-07-10 - 2022-03-25 - H03H9/17
  • 本实用新型提供一种谐振器,其包括基底、复合膜和纵向声波反射器,复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜和第二电极,第一电极设置于基底和纵向声波反射器上;压电功能膜包括纵向压电膜和纵向非压电膜,纵向非压电膜包括主体部和由主体部延伸的呈环状的凸环;凸环的内侧面沿第一方向向主体部的正投影所围成的区域为谐振区,谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区;第一、第二电极均完全覆盖谐振区,且第二电极位于非谐振区的部分设置于凸环;谐振器在谐振区内和在非谐振区内的声阻抗相异,且第一电极、压电功能膜和第二电极位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比,本实用新型的谐振器能量损失小且Q值增大。
  • 谐振器
  • [发明专利]一种硅晶片的加工方法-CN201910370674.3有效
  • 吕丽英;吴伟昌;黎家健 - 瑞声科技(新加坡)有限公司
  • 2019-05-06 - 2022-03-08 - H01L21/321
  • 本发明提供了一种硅晶片的加工方法,包括如下步骤:制备由硅衬底和硬掩膜层叠形成的硅晶片基材;在所述硬掩膜上形成开口;对暴露于所述开口的所述硅衬底进行氧化反应,消耗所述硅衬底氧化生成底部嵌于所述硅衬底内、顶部凸露于所述硬掩膜外的氧化层;将所述氧化层之凸出于所述硬掩膜外的部分去除,使得所述硬掩膜和氧化层形成的表面为第一水平面,在所述第一水平面上沉积结构层,去除所述氧化层以在所述硅衬底上形成腔体。本发明使得氧化层与硬掩膜形成的平面平坦,即使是大型结构也没有凹陷缺陷,简化了腔体形成的平面化方法,且可基于特定硅衬底上的氧化速率精确控制腔体的形状和深度。
  • 一种晶片加工方法

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