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[发明专利]磁铅石型六方晶铁氧体磁性粉末及其制造方法、以及电波吸收体及其制造方法-CN202280019170.7在审
发明人：山地秀宜;铃木广海 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：提供一种磁铅石型六方晶铁氧体磁性粉末及其制造方法、以及使用该磁性粉末的电波吸收体及其制造方法，所述磁铅石型六方晶铁氧体磁性粉末具有包括76GHz频带的60～90GHz频带范围的电波吸收能力，并且在宽温度范围内峰值频率变化小。一种磁铅石型六方晶铁氧体磁性粉末，其满足显示金属元素的原子比的通式：A(1‑x)LaxFe(n‑y‑z)AlyCoz(其中，A为选自由Sr、Ba和Ca组成的组中的1种以上，0.01≤x≤0.70、1.00≤y≤2.20、11.00≤n≤12.50、0.00≤z≤1.00)。
磁铅石型六方晶铁氧体磁性粉末及其制造方法以及电波吸收体

[发明专利]软磁性粉末、软磁性粉末的热处理方法、软磁性材料、压粉磁芯和压粉磁芯的制造方法-CN201980057422.3有效
发明人：河内岳志;增田恭三;井上健一 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B22F1/05 文献下载
摘要：一种软磁性粉末，其为由包含Si的Fe合金构成的软磁性粉末，前述软磁性粉末包含0.1～15质量％的Si，距离前述软磁性粉末的颗粒表面1nm的深度处的Si的原子浓度与Fe的原子浓度之比(Si/Fe)为4.5～30。
磁性粉末热处理方法磁性材料压粉磁芯制造

[发明专利]软磁性粉末、软磁性粉末的热处理方法、软磁性材料、压粉磁芯和压粉磁芯的制造方法-CN201980093356.5有效
发明人：河内岳志;饭田悠介;井上健一 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：一种软磁性粉末，其包含89.5～99.6质量％的Fe、0.2～9.0质量％的Si、0～1.0质量％的P，所述软磁性粉末的(111)面的微晶直径为95nm以上。
磁性粉末热处理方法磁性材料压粉磁芯制造

[发明专利]球状银粉的制造方法-CN202310575118.6在审
发明人：大坪贤明;平田晃嗣 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：提供能够简便地制造与以往相比一次粒径的偏差小的球状银粉的球状银粉的制造方法及由其得到的球状银粉。本发明的球状银粉的制造方法包括在含有银离子的水性反应体系中混合由碳酸肼构成的还原剂使银颗粒还原析出的还原析出工序。
球状银粉制造方法

[发明专利]复合氧化物粉末-CN202080101361.9有效
发明人：碇和正;小川慎太郎;上山俊彦 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明所述的复合氧化物粉末的特征在于，其具有下述组成式(1)所示的组成，通过BET单点法算出的比表面积值α(m2/g)与由下述式(2)算出的比表面积值β(m2/g)之比α/β大于1.0且为1.5以下，比表面积值α为20m2/g以下。由此，在制成燃料电池的空气极时，确保良好的电导率。ABO3‑δ…(1)(式中，A：选自La、Sr、Sm、Ca、Ba中的1种以上的元素；B：选自Fe、Co、Ni、Mn中的1种以上的元素；0≤δ1)比表面积值β(m2/g)＝比表面积值γ‑比表面积值ε……(2)(式中，比表面积值γ(m2/g)：通过压汞法测定测得的全部孔径范围的比表面积值的累积值；比表面积值ε(m2/g)：比通过MICROTRAC粒度分布测定装置算出的粒度分布中的50％累积粒径(体积换算·D50)大的孔径范围的比表面积值的累积值)。
复合氧化物粉末

[发明专利]载体芯材以及使用其的电子照片用载体及电子照片用显影剂-CN201880020990.1有效
发明人：小川翔 -专利权人： 同和电子科技有限公司;同和铁粉创新有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03G9/107 文献下载
摘要：本发明涉及的载体芯材的特征在于，其是由铁氧体颗粒构成的载体芯材，所述铁氧体颗粒由组成式MXFe3‑XO4(其中，M为选自由Mg、Mn、Ca、Ti、Cu、Zn、Ni组成的组中的至少1种金属元素，0＜X＜1)表示、且M和/或Fe的一部分被Sr置换，Sr的含量为2500ppm以上且12000ppm以下，使用纯水的温度25℃下的Sr溶出量为50ppm以下，表观密度为1.85g/cm3以上且2.25g/cm3以下，施加79.58×103A/m(1000奥斯特)的磁场时的磁化强度σ1k为63Am2/kg以上且75Am2/kg以下。
载体以及使用电子照片显影剂

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201880082056.2有效
发明人：山本淳平;生田哲也 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：提供一种接合型半导体发光元件，该半导体发光元件的发光功率以及正向电压的经时变化少，可靠性优异，并且中心发射波长为1000～2200nm。根据本发明的半导体发光元件(100)具有：导电性支承基板(80)；金属层(60)，其设于导电性支承基板(10)上且包含反射金属；半导体层叠体(30)，其设于金属反射层(60)上，是将至少含有In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层多层层叠而成的；n型InGaAs接触层(20A)，其设于半导体层叠体(30)上；以及n侧电极(93)，其设于n型InGaAs接触层(20A)上，其中，从半导体层叠体(30)发射的光的中心发射波长为1000～2200nm。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件、半导体发光元件连接构造和半导体发光元件的制造方法-CN202180071399.0在审
发明人：百瀬峻 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明提供即使使用包含Ag的接合材料也能抑制由迁移引起的电极的变色、不发光等不良影响的半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具备：p型半导体层；p型电极，其设于p型半导体层上；以及焊盘，其设于p型电极上，p型电极具有：欧姆金属层，其配置于p型半导体层侧；以及势垒层，其包含TiN层，该势垒层配置于比欧姆金属层靠焊盘侧的位置，在将俯视时势垒层的区域中的不同焊盘与势垒层之间的电连接区域重叠的区域定义为表面扩散抑制面的情况下，表面扩散抑制面形成为环状。
半导体发光元件连接构造制造方法

[发明专利]接合用金属糊剂和接合方法-CN202080105648.9在审
发明人：远藤圭一;上山俊彦 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供即使接合面积大也能够减少在端部产生孔隙、能够形成具有均匀性的接合层的接合糊剂以及使用该糊剂的接合方法。提供一种接合用金属糊剂，其包含一次粒径的个数平均值为10～100nm的金属纳米颗粒(A)，在将糊剂在氮气气氛中以3℃/分钟的升温速度从40℃升温至700℃时的失重值的累积值(L700)设为100时，从40℃升温至100℃时的失重值的累积值(L100)为75以下，从40℃升温至150℃时的失重值的累积值(L150)为90以上，从40℃升温至200℃时的失重值的累积值(L200)为98以上。
接合金属方法

[发明专利]GaAs晶圆和GaAs晶锭的制造方法-CN202180067882.1在审
发明人：砂地直也;鸟羽隆一;赤石晃 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B11/08 文献下载
摘要：提供：特别适合用于LiDAR用的传感器制造的GaAs晶圆和能得到该GaAs晶圆的GaAs晶锭的制造方法。本发明的GaAs晶圆具有：5.0×1017cm‑3以上且低于3.5×1018cm‑3的硅浓度、3.0×1017cm‑3以上且低于3.0×1019cm‑3的铟浓度和1.0×1018cm‑3以上的硼浓度，平均位错密度为1500个/cm2以下。
gaas 制造方法

[发明专利]球状银粉的制造方法-CN201980045792.5有效
发明人：大坪贤明;平田晃嗣 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：提供能够简便地制造与以往相比一次粒径的偏差小的球状银粉的球状银粉的制造方法及由其得到的球状银粉。本发明的球状银粉的制造方法包括在含有银离子的水性反应体系中混合由碳酸肼构成的还原剂使银颗粒还原析出的还原析出工序。
球状银粉制造方法

[发明专利]深紫外发光元件及其制造方法-CN201880064035.8有效
发明人：渡边康弘 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供一种兼具高的发光输出和优异的可靠性的深紫外发光元件及其制造方法。根据本发明的深紫外发光元件在基板(10)上依次具有n型半导体层(30)、发光层(40)、p型电子阻挡层(60)和p型接触层(70)，p型接触层(70)具有超晶格结构，该超晶格结构是通过交替层叠第1层(71)和第2层(72)而得到的，第1层(71)由具有比发光层(40)中发出深紫外光的层的Al组成比w0高的Al组成比x的AlxGa1‑xN构成，第2层(72)由具有比Al组成比x低的Al组成比y的AlyGa1‑yN构成，并且Al组成比w0、Al组成比x、Al组成比y以及p型接触层的厚度平均Al组成比z满足式[1]0.030＜z‑w0＜0.20和式[2]0.050≤x‑y≤0.47。
深紫发光元件及其制造方法

[发明专利]硅氧化物被覆软磁性粉末及其制造方法-CN201980011187.6有效
发明人：田上幸治;矢野拓哉;西泽赖人 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明提供绝缘性优异并且可获得高压粉密度的硅氧化物被覆软磁性粉末及其制造方法。通过在包含1质量％以上且40质量％以下的水的水与有机物的混合溶剂中使含有20质量％以上的铁的软磁性粉末分散而成的浆料中添加了烷氧化硅后，添加该烷氧化硅的水解催化剂，进行硅氧化物被覆，从而得到用R＝Si×100/(Si+M)(其中，Si和M为通过XPS测定得到的Si和构成软磁性粉末的元素的摩尔分率)定义的被覆率R为70％以上、压粉密度为4.0g/cm3以上、在高频带中具有高μ'、并且高绝缘性的硅氧化物被覆软磁性粉末。
氧化物被覆磁性粉末及其制造方法

[发明专利]铁系氧化物磁粉分散浆料及其制造方法-CN202180037183.2在审
发明人：宫本靖人 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明提供在中碱性区域至弱酸性区域中分散性也良好的铁系氧化物磁粉分散浆料的制造方法。向含有ε型铁系氧化物粒子的浆料中添加作为第一分散剂的季铵盐和碱，使25℃下的pH成为11以上之后，添加作为第二分散剂的为在分子内具有2个以上的羧基的有机酸、且除了该羧基以外还在不构成羧基的碳上结合有羟基和氨基中的1种或2种的有机化合物，使浆料的25℃下的pH成为4以上且小于11，从而得到用动态光散射式粒度分布测定装置测定的ε型铁系氧化物的平均二次粒径为65nm以下的、分散性良好的铁系氧化物磁粉分散浆料。
氧化物分散浆料及其制造方法

[发明专利]载体芯材以及使用其的电子照片显影用载体及电子照片用显影剂-CN201880020687.1有效
发明人：河内岳志;石川洋平;宫野弘行 -专利权人： 同和电子科技有限公司;同和铁粉创新有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03G9/107 文献下载
摘要：本发明涉及的载体芯材的特征在于，其为由铁氧体颗粒构成的载体芯材，所述铁氧体颗粒包含48质量％～52质量％的Fe、16质量％～22质量％的Mn、1.0质量％～3.5质量％的Mg、0.05质量％～0.5质量％的Ca，将温度10℃、相对湿度35％的环境下(L/L环境下)的施加电压500V时的电阻值设为RL(Ω·cm)，将温度30℃、相对湿度70％的环境下(H/H环境下)的施加电压500V时的电阻值设为RH(Ω·cm)时，该载体芯材满足下述式(1)。0.1≤(logRL‑logRH)≤0.3······(1)。
载体以及使用电子照片显影显影剂

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