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[发明专利]在电镀期间横流歧管的动态调节-CN202010423152.8有效
发明人：卡利·托尔凯尔森;亚伦·贝尔克;布莱恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明涉及在电镀期间横流歧管的动态调节。本发明的实施方式涉及将一种或多种材料电镀到衬底上的方法和装置。通常，本发明的实施方式利用位于衬底附近的有沟道的板，在有沟道的板和衬底之间并在侧面上经由流限制环创建横流歧管。可以在衬底保持器的底表面和衬底保持器下方的元件(例如，流限制环)的顶表面之间设置密封件。在电镀期间，流体通过有沟道的板中的沟道以及通过横流入口进入横流歧管，然后在与横流入口相对定位的横流出口处排出。该设备可以在电镀期间在密封状态和未密封状态之间切换，例如通过适当地降低和升高衬底和衬底保持器以接合和脱开密封件来实现。
电镀期间歧管动态调节

[发明专利]电镀纳米双晶和非纳米双晶铜特征-CN202180060502.1在审
发明人：贾斯廷·奥伯斯特;布莱恩·L·巴卡柳;托马斯·阿南德·波努司瓦米;史蒂文·T·迈耶;斯蒂芬·J·巴尼克二世 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：可电镀纳米双晶铜和非纳米双晶铜以形成混合晶体结构，例如二合一铜通孔与RDL()结构或二合一铜通孔与柱结构。通过用氧化剂或其他化学试剂预处理非纳米双晶铜层的表面，可以在非纳米双晶铜层上电镀纳米双晶铜。替代地，可电镀纳米双晶铜以部分地填充介电层中的凹部，并可在纳米双晶铜上方电镀非纳米双晶铜以填充凹部。随后可去除铜覆盖层。
电镀纳米双晶特征

[发明专利]半导体处理中伴随颗粒污染减轻的电氧化金属移除-CN202180060983.6在审
发明人：卡利·托尔凯尔森;斯蒂芬·J·巴尼克二世;布莱恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-05-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C25F3/02 文献下载
摘要：在半导体衬底上的电氧化金属移除期间，对具有金属层的衬底施加阳极偏置，并且金属被电化学溶解于电解液中。金属颗粒(例如，当溶解的金属是铜时为铜颗粒)可能在电化学金属移除期间无意中形成于衬底的表面上，并且在后续的半导体处理期间造成缺陷。可通过防止颗粒形成和/或通过将颗粒溶解以减轻这种颗粒的污染。在一实现方案中，减轻涉及在电化学金属移除期间使用包含氧化剂(例如过氧化氢)的电解液。在一实施方案中，电化学金属移除设备具有用于将氧化剂导入电解液的导管及用于监控电解液中的氧化剂浓度的传感器。
半导体处理伴随颗粒污染减轻氧化金属

[发明专利]用于形成半导体特征结构的电化学组件-CN202280005175.4在审
发明人： 史蒂文·T·迈耶;卡利·托尔凯尔森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：本文提供了用于在工件上形成沉积特征结构的方法、装置和系统。通常，本文的技术采用沉积头来限定促进电化学沉积的电场。可以采用其他系统和控制器，所述系统和控制器可有助于将所述沉积头对准或定位在工件附近并控制沉积特征结构的尺寸和位置。
用于形成半导体特征结构电化学组件

[发明专利]工艺套件除泡-CN202180042887.9在审
发明人：詹姆斯·艾萨克·福特纳;史蒂文·T·迈耶;斯蒂芬·J·巴尼克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C25D21/04 文献下载
摘要：在一些示例中，提供了一种用于在衬底上沉积金属层的电镀装置。示例性的电镀装置包括：用于接收电镀溶液的电镀槽；电极；对电极；衬底保持夹具；阻性元件；以及除泡设备，其能旋转地支撑在所述阻性元件附近以产生或引导穿过所述阻性元件的电镀溶液的流动，从而释放截留的气泡。
工艺套件

[发明专利]用于管芯级电沉积厚度分布控制的微惰性阳极阵列-CN202280005377.9在审
发明人： 史蒂文·T·迈耶;卡利·托尔凯尔森;本杰明·艾伦·哈斯凯尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：金属可以使用靠近具有一个或多个管芯的半导体衬底的微惰性阳极阵列，在电镀室中被电镀在半导体衬底上。微惰性阳极阵列包括多个独立可控的微惰性阳极元件。施加到微惰性阳极元件的电流在阵列中提供电流分布，其至少部分基于半导体衬底中的管芯布局，或至少部分基于全局晶片内校正。电流分布可实现电镀厚度均匀，即使半导体衬底的管芯中的特征分布不均匀。在一些实施例中，阵列中的电流分布可以根据半导体衬底的旋转路径，在衬底旋转期间调节。
用于管芯沉积厚度分布控制惰性阳极阵列

[发明专利]使用空间上定制为管芯级图案的离子阻性离子可渗透元件或屏蔽件在衬底上电沉积金属-CN202280005187.7在审
发明人：蔡利平;加布里埃尔·海·格拉哈姆;布莱恩·L·巴卡柳;斯蒂芬·J·巴尼克二世;桑托斯·库马尔;詹姆斯·艾萨克·福特纳;罗伯特·拉什;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：一种用于在半导体衬底上电镀金属的设备，其中在管芯级对电镀厚度具有高控制，所述设备包括离子阻性离子可渗透元件(例如，具有通道的板)，其中所述元件允许离子电流在电镀期间穿过所述元件流向所述衬底，其中所述元件包括多个区域，每个区域具有变化的局部电阻的图案，并且其中所述变化的局部电阻的图案在至少两个区域中重复。一种电镀方法，所述方法包括：将半导体衬底提供到电镀设备中，其中所述电镀设备包括具有与衬底上的特征图案相关的图案的离子阻性离子可渗透元件或网格状屏蔽件，同时至少在总电镀时间的一部分期间保持衬底上的图案与元件或网格状屏蔽件的图案空间对准。
使用空间定制管芯图案离子渗透元件屏蔽衬底沉积金属

[发明专利]用于金属特征的无光致抗蚀剂形成的电流体动力喷射打印和电镀-CN202180012504.3在审
发明人： 史蒂文·T·迈耶;卡利·托尔凯尔森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本文中提供了用于在半导体衬底上形成金属特征的方法、墨水、装置以及系统。有利地，本文中的技术不需要使用光致抗蚀剂且可在不需要使用传统处理流程中所用的许多处理及装置的情况下完成。而是使用电流体动力喷射打印沉积包含电镀添加物如加速剂或抑制剂的墨水。接着可在优先沉积处理中电镀经打印的衬底，优先沉积处理在存在墨水的衬底区域上实现第一沉积速率并在不存在墨水的衬底区域上实现第二沉积速率，第一和第二沉积速率彼此不同。在电镀之后，可使用化学蚀刻使优先成长的金属特征彼此空间隔离。
用于金属特征无光致抗蚀剂形成流体动力喷射打印电镀

[发明专利]半导体金属互连件的高速3D金属打印-CN202180008502.7在审
发明人： 史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C25D5/04 文献下载
摘要：一种在衬底上打印金属互连件的系统包含阳极衬底。多个阳极被布置于所述阳极衬底的一侧上，其中在所述多个阳极的相邻者之间具有第一预定间隙。第一多个流体孔具有位于所述多个阳极之间的一端。多个控制设备被配置为分别选择性供给电流至所述多个阳极。所述阳极衬底被布置在包含金属种子层的工件衬底的第二预定间隙内。所述第二预定间隙比所述第一预定间隙的比率在从0.5:1至1.5:1的范围内。阵列控制器被配置为在电解质溶液经由所述阳极衬底与所述工件衬底之间的所述第一多个流体孔供给时，使用所述多个控制设备中的相对应者以对所述多个阳极中的所选定者通电。
半导体金属互连高速打印

[发明专利]通过长脉冲化和斜坡化提高TSV处理窗和填充性能-CN202180008773.2在审
发明人：申宰;约瑟夫·理查森;杰雅维尔·维尔姆鲁根;托马斯·阿南德·波努司瓦米;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：提供了一种在具有高打开区域部分的衬底上将金属电镀到部分制造的电子器件的特征中的方法。该方法包括用高电流电平下的脉冲启动主体电填充阶段；将电流降低到基线电流水平；并且可选地以一个或多个步骤增加电流直到电镀完成。
通过脉冲斜坡提高 tsv 处理填充性能

[发明专利]用于防止唇形密封件镀出的晶片屏蔽-CN202080070051.5在审
发明人：格雷戈里·J·卡恩斯;蔡利平;雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：通过最小化或消除流向唇形密封件的离子电流来最小化或消除在半导体衬底上电沉积金属期间金属在唇形密封件上的不希望的沉积(唇形密封件镀出)。例如，可以进行电沉积以避免在电镀过程中唇形密封件与半导体衬底上的阴极偏置导电材料接触。这可以通过屏蔽靠近唇形密封件的小选定区域以抑制靠近唇形密封件的金属的电沉积并避免金属与唇形密封件接触来实现。在一些实施方案中，通过在将金属电镀成贯穿抗蚀剂特征的过程中顺序地使用不同内径的唇形密封件来实现屏蔽，其中在第一电镀步骤期间使用具有较小直径的唇形密封件并将其用作在选定区域中阻挡电沉积的屏蔽物。在第二个电镀步骤中，使用较大内径的唇形密封件。
用于防止密封件晶片屏蔽

[发明专利]从电镀溶液中去除副产物-CN202080061144.1在审
发明人：约瑟夫·理查森;申宰;杰雅维尔·维尔姆鲁根;伊丽莎白·卡洛拉;托马斯·阿南德·波努司瓦米;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：提供了用于电镀的系统和方法。电镀系统可包括配置为包含阳极和电镀溶液的电镀槽、配置为在电镀槽内支撑晶片的晶片支架、配置为包含电镀溶液的至少一部分的储液槽、流体连接所述储液器和所述电镀槽的再循环流动路径，其中再循环流动路径包括泵并且被配置为在储液器和电镀槽之间循环电镀溶液，以及与电镀槽、储液器和再循环流动路径中的一个或多个流体连接的起泡器。起泡器可以被配置为当电镀溶液存在于电镀系统中、与起泡器交界并且起泡器被激活时在电镀溶液中产生气泡。
电镀溶液去除副产物

[发明专利]利用离子阻性离子可穿透元件电镀金属的装置和方法-CN201910552629.X有效
发明人：布哈努丁·卡加伊瓦拉;布莱恩·L·巴卡柳;蔡李鹏;亚伦·贝尔克;罗伯特·拉什;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明涉及利用离子阻性离子可穿透元件电镀金属的装置和方法。在一个方面，一种用于利用改善的电镀均匀性在半导体衬底上电镀金属的装置包括：电镀室，其被配置成容纳电解液和阳极；衬底支架，其配置成保持所述半导体衬底；以及离子阻性离子可穿透元件，其包括基本上平坦的面对衬底的表面和相反的表面，其中所述元件在电镀期间使得离子流能朝向所述衬底流动，并且其中所述元件包括具有变化的局部电阻率的区域。在一个实施例中，元件的电阻率可通过改变元件的厚度而变化。在一些实施方式中，元件的厚度从元件的边缘沿径向方向到中心逐渐减小。所提供的装置和方法对于在WLP凹陷特征内电镀金属是特别有用的。
利用离子可穿透元件电镀金属装置方法

[发明专利]金通硅掩模电镀-CN202080014782.8在审
发明人：蔡利平;梁德福;雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗;托马斯·A·蓬努斯瓦米;布莱恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·迈耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于蚀刻辅助的金(Au)通硅掩模电镀(EAG‑TSM)的方法的系统和方法。示例性方法包括在衬底上提供籽晶层并且在衬底上的籽晶层的至少一部分上提供硅掩模。硅掩模包括一个或多个待用金填充的通孔。有掩模的衬底经受至少一个处理循环，每个处理循环包括镀金子步骤和蚀刻处理子步骤。重复循环直到达到选定的通孔填充厚度。
金通硅掩模电镀

[发明专利]使用远程电流动态控制电镀均匀性的装置和方法-CN201810358910.5有效
发明人：布哈努丁·卡加伊瓦拉;布莱恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·迈耶;蔡李鹏;亚伦·贝尔克;詹姆斯·艾萨克·福特纳;罗伯特·拉什 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：提供了使用远程电流动态控制电镀均匀性的装置和方法。在一个方面，用于在衬底上电镀金属同时控制电镀均匀性的装置包括：电镀室，其具有由膜分隔开的阳极电解液分室和阴极电解液分室；主阳极，其布置在阳极电解液分室中；离子阻性离子可渗透元件，其布置在膜和在阴极电解液分室中的衬底之间；和第二电极，其配置成贡献和/或转移电镀电流到衬底和/或从该衬底贡献和/或转移电镀电流，其中，第二电极被布置成使得贡献和/或转移的电镀电流不穿过分隔开阳极电解液分室和阴极电解液分室的膜，但穿过离子阻性离子可渗透元件。在一些实施方式中，第二电极是能在电镀期间被动态控制的方位角对称阳极(例如，围绕电镀室的外周的单独分室布置的环)。
使用远程电流动态控制电镀均匀装置方法

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