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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]自对准作用沟槽触点-CN201410772818.5有效
发明人： 史蒂文·艾伦·莱特尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请案涉及一种自对准作用沟槽触点。可通过包含以下步骤的过程来形成具有自对准触点的集成电路：在集成电路上方形成填充邻近于MOS栅极的侧壁之间的空间的间隙填充电介质层，及将间隙填充电介质层向下平面化到含有MOS栅极的栅极结构的顶部。在间隙填充电介质层上方形成暴露用于自对准触点的区域的触点图案；所述区域与栅极结构的邻近实例重叠。从用于自对准触点的区域移除间隙填充电介质层，且随后移除触点图案。在集成电路上方、在栅极结构上及在己移除了间隙填充电介质材料的区域中形成触点金属层；触点金属沿着侧壁的高度邻接侧壁。将触点金属向下平面化到栅极结构的顶部，从而形成自对准触点。
对准作用沟槽触点

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