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[发明专利]用于旋转整流的圆形玻璃钝化二极管整流芯片及生产工艺-CN202010467417.4有效
发明人： 史国顺;徐明星;夏冬生 -专利权人：山东芯诺电子科技股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种用于旋转整流的圆形玻璃钝化二极管整流芯片及生产工艺，属于旋转二极管整流芯片制造技术领域，通过合理设计光刻版图达到单片最大产出芯片数，4英寸硅片经过清洗、扩散、喷砂、一次匀胶光刻、开沟腐蚀、特殊RCA清洗、LPCVD薄膜沉积、二次光阻玻璃匀胶光刻、喷淋显定影、玻璃烧结、LTO薄膜沉积、三次匀胶光刻、去氧化腐蚀、表面金属化处理、芯片测试、激光切割圆形等工艺步骤生产具有五层钝化保护复合结构用于旋转整流的圆形玻璃钝化芯片，具有耐高温、大电流特性，解决了现有技术中出现的问题。
用于旋转整流圆形玻璃钝化二极管芯片生产工艺

[发明专利]一种玻璃钝化晶片背面切割方法-CN201711122028.2有效
发明人：陈鑫宇;徐明星;史国顺 -专利权人：山东芯诺电子科技股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种玻璃钝化晶片背面切割方法，包括如下步骤：(1)一次双面匀胶，(2)单面光刻，(3)显定影，(4)一次蚀刻，(5)清洗，(6)玻璃钝化，(7)表面金属化，(8)晶圆测试，(9)激光打孔，(10)激光划切。晶片在制造过程中无需进行蚀刻制作切割线，使用激光划片设定特殊划切程序，晶片在一次光刻过程，无需进行背面匀胶曝光，同时在蚀刻时无需进行一次蚀刻再匀胶保护，在晶片制造过程中缩减生产流程，提高晶片流转效率，节省生产成本。
一种玻璃钝化晶片背面切割方法

[实用新型]晶片自动裂片设备-CN201821832786.3有效
发明人： 史国顺;杨勇;马齐营 -专利权人：山东芯诺电子科技股份有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶片自动裂片设备，属于半导体元器件生产装置技术领域，包括外部支架，外部支架的下方联接有升降装置，升降装置的下方联接有升降支架，升降支架的下方通过滚轴联接杆联接有滚轴，升降支架的左右两侧联接有联接块，联接块的外部设有升降轨道，升降轨道联接在外部支架的内侧，联接块与升降轨道相配合实现相对运动，升降支架的下方设有裂片盘，裂片盘的下方设有驱动装置，外部支架的一侧设有人机操作平台，人机操作平台内设有控制器，人机操作平台的外部设有显示器和按钮，将已划切好得四寸晶圆片通过自动化设备将晶片分离成单颗晶粒提高生产效率降低操作人员用力不均的弊端。解决了现有技术中出现的问题。
联接升降支架支架外部人机操作升降轨道联接块升降装置自动裂片滚轴裂片半导体元器件本实用新型自动化设备晶粒晶片分离驱动装置生产效率生产装置左右两侧控制器晶圆片联接杆按钮晶片种晶显示器配合

[实用新型]多层钝化保护复合结构芯片-CN201721856628.7有效
发明人：徐明星;史国顺;夏冬生;周猛 -专利权人：山东芯诺电子科技股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多层钝化保护复合结构芯片，属于半导体芯片技术领域，包括芯片基底，芯片基底通过湿法蚀刻形成沟槽，沟槽的外侧与芯片基底之间设有PN结，沟槽的上方设有钝化膜保护层，钝化膜保护层覆盖在沟槽的外部，钝化膜保护层包括多层，从上到下依次为低温氧化膜层、中温氧化膜层、掺氧半绝缘多晶硅薄膜层、多晶硅薄膜层，本实用新型能够实现对裸漏PN结面的多层保护，提高钝化的效果。
芯片保护层钝化膜多层基底本实用新型钝化保护复合结构掺氧半绝缘多晶硅多晶硅薄膜层半导体芯片低温氧化膜从上到下多层保护湿法蚀刻氧化膜层薄膜层钝化中温外部覆盖

[实用新型]玻璃胶的混合装置-CN201721506518.8有效
发明人：徐明星;夏冬生;周猛;史国顺 -专利权人：山东芯诺电子科技股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B01F9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种玻璃胶的混合装置，属于玻璃胶技术领域，包括支架、主动辊和从动辊，主动辊和从动辊均转动安装在支架上，主动辊连接有驱动电机，驱动电机连接室内电源，主动辊和从动辊之间上方设置有滚磨桶，滚磨桶直径大于主动辊与从动辊间距，滚磨桶内设置有滴胶瓶，滴胶瓶内设置有直径不相同的研磨球。本实用新型通过驱动电机带动主动辊转动，从而带动滚磨桶转动，使得滚磨桶内部的滴胶瓶转动，对滴胶瓶内的玻璃粉与光刻胶混合，滴胶瓶内加入研磨球，研磨球直径大小不一，利于充分研磨混合。
主动辊滴胶滚磨从动辊驱动电机玻璃胶研磨球本实用新型混合装置支架转动大小不一室内电源研磨混合转动安装玻璃粉光刻胶瓶转动

[实用新型]一种半导体晶片喷砂加工除尘装置-CN201721515382.7有效
发明人：吴兴旺;徐明星;杨勇;史国顺 -专利权人：山东芯诺电子科技股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： B24C9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶片喷砂加工除尘装置，包括排风除尘管路和水循环系统，所述排风除尘管路下端设有进风口，排风除尘管路的顶端开口为出风口，进风口连接喷砂机排风系统，排风除尘管路包括由下至上的四级滤网，排风除尘管路底部设有初级沉淀池；水循环系统包括多级沉淀池，多级沉淀池入口端连接所述初级沉淀池，多级沉淀池出口端连接多孔喷淋管，多孔喷淋管设置在所述四级滤网上部。多孔喷淋管呈水雾喷淋，冲洗过滤网吸附的金刚砂尘，形成泥水落入除尘管路下端进行初级沉淀。经初级沉淀后泥水经出水口溢流进行二级沉淀池，进一步沉淀处理，经溢流方式进入三级沉淀，最后进入清水池，由水泵抽取清水进行水雾喷淋，形成用水循环。
一种半导体晶片喷砂加工除尘装置

[实用新型]一种硅片清洗自动提拉装置-CN201721524088.2有效
发明人：徐明星;史国顺;吴兴旺 -专利权人：山东芯诺电子科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片清洗自动提拉装置，包括气动推拉泵、清洗槽体隔板、连接横杆、调位拉环、载片篮，所述气动推拉泵呈立式固定在清洗槽体隔板上，所述连接横杆悬置于清洗槽体隔板下部，所述气动推拉泵的伸缩杆穿过清洗槽体隔板与连接横杆连接，所述连接横杆固定连接调位拉环，调位拉环钩挂载片篮，载片篮悬置在清洗槽上部。硅片清洗自动提拉装置利用气动推拉泵实现上下往复运动；利用调节控制器控制气动推拉泵上下运动行程及运动频率，同时进行自动提拉时间控制；利用连接横杆实现左右悬挂平衡；利用调位拉环钩挂载片篮且可进行位置调节。该装置实现了硅片清洗自动化，替代双手操作，结构简单实用性强。
一种硅片清洗自动装置

[实用新型]一种玻璃钝化晶片玻璃胶涂覆装置-CN201721515385.0有效
发明人：徐明星;吴兴旺;夏冬生;史国顺 -专利权人：山东芯诺电子科技股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种玻璃钝化晶片玻璃胶涂覆装置，包括特制电机、特制吸盘，特制电机连接有中空电机转轴，中空电机转轴连接特制吸盘，特制吸盘上固定有晶片，所述中空电机转轴连接有真空系统。晶片在特制吸盘上面匀速旋转，硅胶勺将玻璃胶涂覆在晶片中心位置，然后通过直线移动硅胶勺，将玻璃胶由晶片中心位置向外直至边缘进行推涂，玻璃胶在晶片旋转过程中通过硅胶勺的推压可以均匀的附着在晶片表面。
一种玻璃钝化晶片玻璃胶装置

[发明专利]一种玻璃钝化晶片玻璃胶涂覆方法及装置-CN201711122066.8在审
发明人：陈鑫宇;徐明星;夏冬生;史国顺 -专利权人：山东芯诺电子科技股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃钝化晶片玻璃胶涂覆方法及装置。玻璃钝化晶片玻璃胶涂覆装置，包括特制电机、特制吸盘，特制电机连接有中空电机转轴，中空电机转轴连接特制吸盘，特制吸盘上固定有晶片，所述中空电机转轴连接有真空系统。晶片在特制吸盘上面匀速旋转，硅胶勺将玻璃胶涂覆在晶片中心位置，然后通过直线移动硅胶勺，将玻璃胶由晶片中心位置向外直至边缘进行推涂，玻璃胶在晶片旋转过程中通过硅胶勺的推压可以均匀的附着在晶片表面。
一种玻璃钝化晶片玻璃胶方法装置

[实用新型]一种镀镍液配制搅拌及供液系统装置-CN201620590901.5有效
发明人： 史国顺;徐明星;陈茂文;王超 -专利权人：山东芯诺电子科技有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： B01F5/10 文献下载
摘要：本实用新型的一种镀镍液配制搅拌及供液系统装置，包括配液桶和储液桶，配液桶顶部设置有进料口和注水口，注水口连接有带进水手动阀门的注水管，配液桶上部与底部之间连接有外循环管Ⅰ，外循环管Ⅰ上设置有循环配液泵；配液桶底部与储液桶上部之间连接有抽液管，抽液管上设置有抽液泵；储液桶连接有带排液手动阀门的排液管，排液管上设置有气动隔膜泵，储液桶上部与底部之间连接有外循环管Ⅱ，外循环管Ⅱ上设置有储液循环泵。本实用新型的有益效果是：本专利能够为生产线连续供应镀镍液体，满足了生产需求，极大的提高了生产效率，而且结构简单实用，操作方便。
一种镀镍液配制搅拌系统装置

[发明专利]一种低功耗高浪涌能力的二极管整流芯片及其生产工艺-CN201610435120.3在审
发明人： 史国顺;徐明星;陈茂文;王超 -专利权人：山东芯诺电子科技有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明的一种低功耗高浪涌能力的二极管整流芯片，包括芯片体，所述芯片体包括从上往下依次排列的P⁺层、N层和N⁺层，所述P⁺层上表面设置有金属层，P⁺层和N层两侧烧结有玻璃层。其生产工艺包括匀胶、刀片划槽、台面腐蚀、清洗、玻璃钝化、镀镍金、晶圆测试和激光切割。本发明的有益效果是：通过对芯片参数和工艺的改进，使芯片不但尺寸和功耗降低，而且浪涌能力大大提高，提升了芯片的品质。
一种功耗浪涌能力二极管整流芯片及其生产工艺

[实用新型]一种玻璃粉刮涂刀-CN201420449451.9有效
发明人： 史国顺 -专利权人：山东芯诺电子科技有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： B05C11/04 文献下载
摘要：本实用新型的一种玻璃粉刮涂刀，包括长方形刮板，所述刮板的上部两侧均通过螺栓连接有固定板，两个固定板顶部连接有把手，所述刮板底部垂直设置有长方体的刮头，所述刮头底部设置有若干平行于刮板长边的刮齿。本实用新型的有益效果是：减少玻璃粉在硅片表面残留明显，提高了玻璃粉的涂刮填充效率。在涂刮过程中不容易损伤产品表面，相对而言产品的表面质量有较大的提高，就产品合格率得到提高。
一种玻璃粉刮涂刀

[实用新型]一种硅片湿法刻蚀工艺用开沟装置-CN201420448888.0有效
发明人： 史国顺 -专利权人：山东芯诺电子科技有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型的一种硅片湿法刻蚀工艺用开沟装置，包括酸槽和防酸花篮，还包括支撑架，所述支撑架包括底板、顶板以及连接在底板和顶板之间的伸缩支撑杆，所述底板上设置有卡座，所述酸槽卡在卡座内；顶板上开有导向槽口，导向槽口一端的顶板上方设置有气缸，所述气缸的活塞杆连接有悬臂，所述悬臂竖直贯穿导向槽并且底部设置有花篮挂钩，防酸花篮顶部设置有与花篮挂钩配合的钩环。本实用新型的有益效果是：保证酸槽中混酸液温度的均匀，从而免去了操作人员的重复劳动，节省了人力。
一种硅片湿法刻蚀工艺用开沟装置

[实用新型]一种半导体硅片晶粒分裂装置-CN201420448886.1有效
发明人： 史国顺 -专利权人：山东芯诺电子科技有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型的一种半导体硅片晶粒分裂装置，包括底座和碾压装置，碾压装置包括手柄，手柄的前端设置有辊子支架，辊子支架上设置有橡胶辊子，辊子支架两侧分别连接有弹性支腿，弹性支腿末端设置有滚轮；手柄的后端转动连接有带尖端的裂片头；底座上设置有圆形的凸台，凸台两侧的底座上设置有与滚轮相配合的长条形的滑槽。本实用新型的有益效果是：划片后的硅片在橡胶辊子的碾压下，经划片后产生的划痕发生分裂，得到晶粒；操作简单，便于握持，使得裂片的效率高，同时，能够提高晶粒的良品率。
一种半导体硅片晶粒分裂装置

[实用新型]一种硅片开沟装置-CN201420449549.4有效
发明人： 史国顺 -专利权人：山东芯诺电子科技有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型的一种硅片开沟装置，包括酸槽、防酸花篮、支撑架，支撑架包括底板、顶板以及连接在底板和顶板之间的侧板，酸槽底部设置有滚轮，底板上铺设有与滚轮相配合的滑槽；侧板外侧设置有气缸，气缸的活塞杆水平穿过侧板并与酸槽相连接；顶板上设置有竖直向下的悬臂，悬臂末端设置有花篮挂钩，防酸花篮顶部设置有与花篮挂钩配合的钩环；悬臂包括固定在顶板上的套筒和穿在套筒内的连杆，套筒和连杆上均开有若干上下并排的定位孔，套筒和连杆上对齐的定位孔中穿有定位销。本实用新型的有益效果是：保证酸槽中混酸液温度的均匀，从而免去了操作人员的重复劳动，节省了人力。
一种硅片装置

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