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[发明专利]聚焦环、用于固定基底的卡盘组件以及等离子体处理设备-CN202110191266.9在审
发明人：宋仁哲;友安昌幸;尹洪珉;林智贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种聚焦环、用于固定基底的卡盘组件以及等离子体处理设备。所述聚焦环包括：第一导电层，具有第一厚度和第一比电阻；第二导电层，堆叠在第一导电层上，第二导电层具有大于第一厚度的第二厚度和大于第一比电阻的第二比电阻；以及介电层，位于第一导电层的下表面和第二导电层的上表面中的一个上。
聚焦用于固定基底卡盘组件以及等离子体处理设备

[发明专利]包括聚焦环的半导体基底处理设备-CN202010074502.4在审
发明人：宣钟宇;宋仁哲;尹洪珉;林智贤;友安昌幸;韩济愚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括：壳体，包围工艺室；等离子体源单元，连接到壳体，并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环，喷头包括安装在固定环上的上电极，并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔；静电吸盘，连接到壳体并包括下电极，并且用于使半导体基底安装在其上；以及环单元，安装在静电吸盘的边缘部分上，并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面，聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面，覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。
包括聚焦半导体基底处理设备

[发明专利]使用运行到运行控制器的故障检测与分类（FDC）-CN200580048112.3有效
发明人：詹姆斯·E·威利斯;麦尔特·凡克;凯文·拉利;凯文·彼恩托;友安昌幸;雷蒙德·彼得森;哈达·桑达哈简 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：一种用于在APC系统中实现FDC(400)的方法，包括从存储器接收FDC模型(430)；将所述FDC模型(430)提供给处理模型计算引擎(425)；使用所述处理模型(425)计算引擎计算预测的依赖处理参数矢量；接收包括一组配方参数(440)的处理配方，将处理配方提供给处理模块(420)；执行所述处理配方以产生测量的依赖处理参数矢量(445)；计算所述预测的依赖处理参数矢量和所述测量的依赖处理参数矢量之间的差(450)；将所述差和阈值进行比较(455)；以及当所述差大于阈值时宣布故障状态(465)。
使用运行控制器故障检测分类 fdc

[发明专利]去除化学氧化物的系统的操作方法-CN200480038051.8有效
发明人： 友安昌幸;梅里特·拉尼·芬克;凯文·奥古斯丁·品托;小田桐正弥;陈廉明;山下朝夫;岩见显;高桥宏幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-11-03 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了一种用于化学氧化物去除(COR)的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此相互耦合。第一处理室包括化学处理室，其提供被控温的室以及用于支持进行化学处理的衬底的被单独控温的衬底支撑物。衬底在包括表面温度和气体压强的被控条件下，暴露给例如HF/NH₃的气体化学物质。第二处理室包括提供了被控温的室的热处理室，其与化学处理室热绝缘。热处理室提供了用于控制衬底温度的衬底支撑物，以对衬底上经化学处理过的表面进行热处理。
去除化学氧化物系统操作方法

[发明专利]处理装置的多变量解析模型式作成方法、处理装置用的多变量解析方法、处理装置的控制装置、处理装置的控制系统-CN03813082.3有效
发明人： 友安昌幸;王斌;田中秀树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在本发明中，对于作为基准的等离子体处理装置100A和与之同种类的等离子体处理装置100B，分别对利用第一设定数据进行动作时由各自的多个传感器检测的检测数据进行多变量解析，作成多变量解析模型式后，使用利用新的第二设定数据进行动作时由等离子体处理装置100A的多个传感器检测的检测数据，作成多变量解析模型式，使用该新的第二设定数据的等离子体处理装置100A的多变量解析模型式和等离子体处理装置100B的多变量解析模型式，作成与新的第二设定数据相对应的等离子体处理装置100B的多变量解析模型式。由此，即使在每个处理装置中存在处理特性差异时，也可以将对于一个处理装置而作成的模型式直接用在同种类的其它处理装置中，不需要对每个处理装置都取各种测定数据作成相应模型式。由此，可减轻模型式作成时的手续和时间。
处理装置多变解析模型作成方法控制控制系统

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体装置-CN200510000398.X有效
发明人： 友安昌幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-01-10 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明可以提高等离子体处理装置的处理结果的预测等的精度，并可减轻作成模型时的负担。将作为基准的运转条件A、B的测量数据Xa、Xb存储在测量数据存储部分(202)中，将通过多变量分析作成的模型Ka、Kb存储在分析处理结果存储部分(210)中，将新的运转条件P的测量数据存储在测量数据存储部分202中，利用分析处理部(208)，将测量数据Xp作为分别将加权系数Wa、Wb与测量数据Xa和测量数据Xb相乘后相加的加权测量数据，由此，求出的加权系数Wa、Wb。通过分别将加权系数Wa、Wb与模型Ka和模型Kb相乘再相加，求根据新的运转条件P的模型Kp。
等离子体处理方法装置