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[发明专利]碳化硅晶棒多线切割方法-CN201910115290.7有效
发明人：卓廷厚;罗求发;黄雪润 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：在碳化硅晶棒的端面粘贴陪片；对粘贴有所述陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，切割产生多个晶片，最外侧的所述晶片为端面晶片，所述端面晶片之外的所述晶片为中间晶片；分离所述陪片和所述端面晶片。所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。
碳化硅晶棒多线切割方法

[实用新型]一种集成电路测试用的装置-CN202121438581.9有效
发明人：卓延厚;郎岳 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2021-06-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路测试用的装置，包括集成电路测试仪和顶部为开口设置的防护盒，所述集成电路测试仪位于防护盒内，所述防护盒内设置有与集成电路测试仪相配合的移动收纳机构，所述防护盒上设置有与移动收纳机构相配合的自开式遮挡机构，所述移动收纳机构包括设置在防护盒内的支撑板，集成电路测试仪固定安装在支撑板的顶部。本实用新型设计合理，便于在使用时快速移出集成电路测试仪并同步自动开启两个挡板，且便于在使用后快速对集成电路测试仪收纳防护并同步自动带动两个挡板回转合闭，实现对集成电路测试仪收纳包围挡护的效果，降低使用后携带时其被误碰损伤的风险，满足使用需求，有利于使用。
一种集成电路测试装置

[发明专利]碳化硅晶棒多线切割方法-CN201910115289.4有效
发明人：卓廷厚;罗求发;黄雪润 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：将多个碳化硅晶棒头尾连接在一起，形成晶棒组；在晶棒组的端面粘贴第一陪片；对粘贴有所述第一陪片的所述晶棒组进行多线切割，切割产生多个晶片，最外侧的所述晶片为第一端面晶片，相邻两个所述碳化硅晶棒之间相互最靠近对方的一个所述晶片为第二端面晶片，所述第一端面晶片和所述第二端面晶片之外的所述晶片为中间晶片；在切割形成所述第一端面晶片之时或之后，分离所述第一陪片和所述第一端面晶片。所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。
碳化硅晶棒多线切割方法

[发明专利]一种功率模块的制造方法-CN202110715470.6在审
发明人：卓延厚;郎岳 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2021-06-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率模块的制造方法，包括以下步骤：S1：取一个碳化硅多孔体置于与其大小形状相适配的模型内，紧接着将加热熔融的铝或铝合金压入到该模型内，其中加热熔融的铝或铝合金由Al‑Si系合金构成，并以加压的状态进行冷却，冷却完成后，在碳化硅多孔体表面包覆规定厚度的包覆层，其中包覆层的厚度在80μm—100μm之间；S2：将S1中的碳化硅多孔体放置在切割装置上，对其进行切割加工。本发明设计合理，散热片和扩散层的设置，能够及时将工作过程中产生的热量有效的散出，且配合第一集成衬片和第二集成衬片的设置，能够进一步提高散热效果，降低功率模块工作过程中因温度过高造成的损坏风险。
一种功率模块制造方法

[发明专利]一种功率模块的封装结构及其封装方法-CN202110715476.3在审
发明人：卓延厚;郎岳 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2021-06-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率模块的封装结构及其封装方法，其功率模块的封装结构包括功率模块主体，所述功率模块主体的两侧底部均固定连接有矩形卡套，所述功率模块主体的底部活动接触有回形架，回形架的底部两侧均固定连接有L形固定架，回形架内固定连接有散热板，且散热板的顶部与功率模块主体的底部活动接触。本发明便于快速对封装盖拆装，达到便于快速单独对功率模块主体拆装修换，无需连带散热部分和封装盖部分整体更换，降低长期修换成本，且便于在封装时自动实现对功率模块主体的弹性绷紧压固，能够保证功率模块主体始终持续稳定与散热板接触，降低因震动等因素发生的分离风险，提高结合导热稳定性，满足使用需求。
一种功率模块封装结构及其方法

[发明专利]一种功率模块测试系统-CN202110715472.5在审
发明人：卓延厚;郎岳 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2021-06-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率模块测试系统，包括功率模块测试装置本体和顶部为开口设置的防护箱，所述功率模块测试装置本体位于防护箱内，所述功率模块测试装置本体包括箱体以及转动安装在箱体顶部的显示屏，所述箱体的前侧内壁上开设有多个出气孔，箱体的底部内壁上开设有多个第一进气孔。本发明设计合理，便于在携带时对功率模块测试装置本体进行收纳遮挡防护，降低携带过程中造成的误碰损坏风险，便于在使用时，将功率模块测试装置本体移出使用，且便于根据使用需要对功率模块测试装置本体的高度位置进行调节，方便人员操作使用，提高使用舒适度，散热风机的设置，能够提高功率模块测试装置本体的散热效果。
一种功率模块测试系统

[发明专利]碳化硅晶棒多线切割方法-CN201910115376.X有效
发明人：卓廷厚;罗求发;黄雪润 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：对碳化硅晶棒的端面进行应力状态检测，选出具有拉应力的拉应力型端面；在所述拉应力型端面粘贴环形陪片；对粘贴有所述环形陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，粘贴有所述环形陪片的晶片成为端面晶片；分离所述环形陪片和所述端面晶片。所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。
碳化硅晶棒多线切割方法

[发明专利]碳化硅晶棒多线切割方法-CN201910114125.X有效
发明人：卓廷厚;罗求发;黄雪润 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：对碳化硅晶棒的端面进行应力状态检测，选出具有压应力的压应力型端面；在所述压应力型端面粘贴碟形陪片；对粘贴有所述碟形陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，粘贴有所述碟形陪片的晶片成为端面晶片；分离所述碟形陪片和所述端面晶片。所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。
碳化硅晶棒多线切割方法

[外观设计]智能功率模块-CN201930718846.2有效
发明人：卓廷厚;郎岳 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：智能功率模块。2.本外观设计产品的用途：应用于电路图板中的智能模块。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
智能功率模块

[实用新型]隔离充电电源-CN202020578420.9有效
发明人：卓廷厚;张维娜 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种隔离充电电源，包括：交流电源，用于提供交流电力；第一整流电路，所述第一整流电路用于将所述交流电源提供的交流电力进行整流；至少两个变换电路，所述变换电路之间相互并联，所述变换电路的输入连接所述第一整流电路输出；至少两个隔离变压器，一个所述隔离变压器的输入对应连接一个所述变换电路的输出；至少两个第二整流电路，一个所述第二整流电路的输入对应连接一个所述隔离变压器的输出；切换电路，所述切换电路连接在相邻两个所述第二整流电路之间，所述切换电路用于将所述第二整流电路之间的连接结构在串联结构和并联结构之间切换。所述隔离充电电源输出电压范围得到拓展。
隔离充电电源

[发明专利]隔离充电电源-CN202010307720.8在审
发明人：卓廷厚;张维娜 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种隔离充电电源，包括：交流电源，用于提供交流电力；第一整流电路，所述第一整流电路用于将所述交流电源提供的交流电力进行整流；至少两个变换电路，所述变换电路之间相互并联，所述变换电路的输入连接所述第一整流电路输出；至少两个隔离变压器，一个所述隔离变压器的输入对应连接一个所述变换电路的输出；至少两个第二整流电路，一个所述第二整流电路的输入对应连接一个所述隔离变压器的输出；切换电路，所述切换电路连接在相邻两个所述第二整流电路之间，所述切换电路用于将所述第二整流电路之间的连接结构在串联结构和并联结构之间切换。所述隔离充电电源输出电压范围得到拓展。
隔离充电电源

[实用新型]碳化硅MOSFET器件-CN201920197953.X有效
发明人：卓廷厚;李钊君;刘延聪 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种碳化硅MOSFET器件。所述碳化硅MOSFET器件自下而上包括漏电极，N+衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区，第一P‑阱区中具有P+区和N+区；还包括：第一金属，第一金属与P+区上表面和部分N+区上表面形成第一欧姆接触；第二P‑阱区，位于相邻两个第一P‑阱区之间，第二P‑阱区与两侧的第一P‑阱区均具有第一间隔，第二P‑阱区包围有沟槽；第二金属，第二金属覆盖沟槽表面以形成第二欧姆接触，第二金属同时覆盖第一间隔上表面以形成肖特基接触。所述碳化硅MOSFET器件提升器件续流能力的同时，防止肖特基接触区在器件工作在高压阻断模式时泄漏电流过大的问题。
阱区碳化硅MOSFET 金属上表面肖特基接触欧姆接触外延层沟槽表面提升器件漏电极衬底覆盖续流泄漏包围

[实用新型]MPS二极管器件-CN201822267178.9有效
发明人：卓廷厚;李钊君;刘延聪 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种MPS二极管器件。所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N‑外延层和阳极电极；所述N‑外延层具有至少两个P+区；相邻两个所述P+区之间具有N‑补偿掺杂区，所述N‑补偿掺杂区的深度小于或者等于所述P+区的深度，所述N‑补偿掺杂区的掺杂浓度高于所述N‑外延层的掺杂浓度；所述阳极电极包括第一金属和第二金属，所述P+区表面与所述第一金属之间为欧姆接触，所述N‑补偿掺杂区表面与所述第二金属之间为肖特基接触。所述MPS二极管能够改善器件导通特性，促使器件的正向压降降低。
掺杂区外延层金属二极管器件阳极电极掺杂肖特基接触二极管导通特性欧姆接触阴极电极正向压降区表面碳化硅衬底

[实用新型]MPS二极管器件-CN201822268708.1有效
发明人：卓廷厚;李钊君;刘延聪 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种MPS二极管器件。所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N‑外延层和阳极电极；所述N‑外延层具有至少两个P+区；相邻两个所述P+区之间具有N‑补偿掺杂区，所述N‑补偿掺杂区的深度大于所述P+区的深度，所述N‑补偿掺杂区的掺杂浓度高于所述N‑外延层的掺杂浓度；所述阳极电极包括第一金属和第二金属，所述P+区表面与所述第一金属之间为欧姆接触，所述N‑补偿掺杂区表面与所述第二金属之间肖特基为接触。所述MPS二极管能够改善器件导通特性，促使器件的正向压降降低。
掺杂区外延层金属二极管器件阳极电极掺杂二极管导通特性欧姆接触阴极电极正向压降区表面碳化硅肖特基衬底

[实用新型]碳化硅UMOSFET器件-CN201920068385.3有效
发明人：卓廷厚;李钊君;刘延聪 -专利权人： 厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种碳化硅UMOSFET器件。所述器件自下而上包括漏电极层、N+碳化硅衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第二P‑阱区、第二N+注入区、第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；第一栅结构和第二栅结构之间留有第三凹槽的第一底面；第三凹槽底部下方具有多个P+注入区，相邻P+注入区之间具有间隔；第一金属、第二金属和第三金属，第三金属覆盖第一金属和第二金属，同时第三金属填充剩余的第一凹槽、剩余的第二凹槽和剩余的第三凹槽，所述第一金属与间隔的上表面形成肖特基接触。所述器件提升了续流能力，可靠性提高，漏电流减小，开关能力提升。
金属注入区碳化硅外延层栅结构阱区肖特基接触金属填充开关能力漏电极层漏电流上表面衬底底面减小续流覆盖

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