专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201910593706.6有效
  • 原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 - 株式会社迪思科
  • 2019-07-03 - 2023-10-13 - H01L21/304
  • 提供晶片的加工方法,在不降低品质的情况下形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚酯系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上;一体化工序,对该聚酯系片进行加热,通过热压接使晶片和该框架借助该聚酯系片而一体化;分割工序,使用具有切削刀具并且该切削刀具能够旋转的切削装置,沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚酯系片进行加热,将器件芯片上推,拾取该器件芯片。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]加工装置、清扫方法和清扫用板-CN202310266874.0在审
  • 藤崎聪;原田成规;松泽稔 - 株式会社迪思科
  • 2023-03-15 - 2023-09-26 - H01L21/687
  • 本发明提供加工装置、清扫方法和清扫用板,能够不依赖于专用的清扫机构而清扫用于保持被加工物的保持面。该加工装置具有:保持单元,其包含具有对被加工物进行保持的第1保持面的卡盘工作台;加工单元;盒载置台,其载置能够对在第1面侧设置有凹凸构造的板状的清扫用板进行收纳的盒;搬送单元,其包含保持垫;以及控制单元,其能够按照存储于存储装置的程序控制保持单元和搬送单元。控制单元按照程序执行如下的步骤:利用保持垫对清扫用板的第2面进行保持;在利用保持垫保持着清扫用板的状态下,利用搬送单元将清扫用板的第1面推抵于卡盘工作台的第1保持面;在将清扫用板的第1面推抵于卡盘工作台的第1保持面时,使卡盘工作台旋转。
  • 加工装置清扫方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201910613278.9有效
  • 原田成规;冈村卓;赵金艳 - 株式会社迪思科
  • 2019-07-09 - 2023-09-15 - H01L21/683
  • 提供晶片的加工方法,在将晶片分割成各个器件芯片时,不会使器件的品质降低。该晶片的加工方法将由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法包含如下的工序:晶片配设工序,在对晶片进行支承的基质的上表面上敷设聚烯烃系片或聚酯系片中的任意的片,将晶片的背面定位在片的上表面上而进行配设;片热压接工序,在密闭环境内对隔着片而配设于基质的晶片进行减压并对片进行加热,并且按压晶片,从而隔着片将晶片热压接在基质上;以及分割工序,将切削刀具定位于晶片的正面而对分割预定线进行切削,从而将晶片分割成各个器件芯片。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202211395677.0在审
  • 冈村卓;原田成规 - 株式会社迪思科
  • 2022-11-09 - 2023-05-12 - H01L21/02
  • 本发明提供晶片的加工方法,能够在不增加切削屑混入器件的可能性的情况下降低清洗液的消耗量。一边向晶片的正面的中心提供清洗液并且通过使晶片进行旋转而形成覆盖晶片的正面的清洗液的膜,一边进行晶片的边缘修整。由此,能够防止晶片的正面的干燥而降低切削屑混入器件的可能性。另外,与一边向晶片的正面的整个区域提供帘状的清洗液一边进行晶片的边缘修整的情况相比,能够降低清洗液的消耗量。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]芯片间隔维持方法-CN201710769571.5有效
  • 原田成规;赵金艳 - 株式会社迪思科
  • 2017-08-31 - 2023-04-11 - H01L21/683
  • 提供芯片间隔维持方法,即使是在被加工物上粘贴有不因加热而收缩的扩展片的情况下,也维持芯片的间隔被扩展的状态并防止产生因片材松弛而导致的芯片彼此的接触。该芯片间隔维持方法具有如下步骤:芯片间隔形成步骤,对片材(T2)进行扩展而在芯片之间形成间隔;以及片材收缩步骤,在实施了芯片间隔形成步骤之后,在维持着芯片之间的间隔的状态下对框架(F)与被加工物(W)之间的片材进行加热而在被加工物外周侧使拉伸了的片材收缩,该芯片间隔维持方法还具有在实施片材收缩步骤之前将多个热缩带(T3)粘贴在框架与被加工物之间的片材上的步骤,在片材收缩步骤中,对框架与被加工物之间的片材和带一同进行加热而使粘贴有带的区域的片材收缩。
  • 芯片间隔维持方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202210456588.6在审
  • 赵金艳;原田成规 - 株式会社迪思科
  • 2022-04-28 - 2022-11-11 - H01L21/67
  • 本发明提供晶片的加工方法,提出了用于在粘片层的探出部断裂时可靠地防止断裂的部分附着于器件上的新技术。晶片的加工方法包含如下的步骤:粘贴步骤,借助直径比晶片的直径大的粘片层而将该晶片粘贴于片上,由此在该晶片的外周形成该粘片层的探出部;以及探出部去除步骤,使去除部件与该探出部接触,由此将该探出部从该片上去除。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]边缘修剪方法-CN202111483398.5在审
  • 冈村卓;原田成规 - 株式会社迪思科
  • 2021-12-07 - 2022-06-14 - H01L21/02
  • 本发明提供边缘修剪方法,减小磨削时产生的边角料体积。边缘修剪方法对在外周部具有倒角部的被加工物的外周部进行切削,边缘修剪方法具有如下步骤:切入步骤,在利用卡盘工作台的保持面对被加工物进行保持的保持步骤之后,使旋转的切削刀具与卡盘工作台相对移动而使切削刀具切入至被加工物的外周部;切削步骤,在切入步骤之后,使卡盘工作台旋转而对被加工物的外周部进行切削,形成环状的阶梯差;和移动步骤,在切削步骤之后,为了形成与阶梯差相邻的环状的其他阶梯差,使切削刀具在切削刀具的旋转轴方向上移动,通过按顺序重复进行切入步骤、切削步骤和移动步骤,在外周部形成厚度随着从被加工物的最外周端朝向内侧而增加的台阶状的倾斜区域。
  • 边缘修剪方法
  • [发明专利]切削方法-CN202110922874.2在审
  • 冈村卓;原田成规 - 株式会社迪思科
  • 2021-08-12 - 2022-02-22 - B28D5/02
  • 本发明提供切削方法,对切削刀具赋予超声波振动而对被加工物进行切削,并且减少切削刀具的过度磨损。切削方法使用切削装置对被加工物进行切削,该切削装置具有:卡盘工作台,其对被加工物进行保持;以及切削单元,其具有切削刀具和超声波振子,该切削刀具对卡盘工作台所保持的被加工物进行切削,该超声波振子使切削刀具在切削刀具的径向上进行超声波振动,该切削方法具有:保持步骤,利用卡盘工作台对被加工物进行保持;以及切削步骤,在被加工物所设定的多条切削线中的同一切削线上实施超声波切削和通常切削,该超声波切削利用进行超声波振动的切削刀具对被加工物进行切削,该通常切削利用未进行超声波振动的切削刀具对被加工物进行切削。
  • 切削方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202110629751.X在审
  • 冈村卓;原田成规;泷田友春 - 株式会社迪思科
  • 2021-06-07 - 2021-12-10 - H01L21/78
  • 本发明提供晶片的加工方法,简单地将残留于晶片的外周部的加强部去除。晶片的加工方法对晶片进行加工,该晶片在正面侧具有器件区域,在背面侧具有形成于与该器件区域对应的区域的凹部,在外周部具有将该器件区域和该凹部包围的环状的加强部,其中,该器件区域在由以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件,该晶片的加工方法包含如下步骤:保持步骤,利用卡盘工作台对凹部的底面进行保持;切削步骤,利用切削刀具沿着分割预定线对晶片进行切削,由此将器件区域分割成多个器件芯片,并且在加强部的正面侧形成槽;以及分割步骤,通过对加强部施加外力,以槽为起点沿着分割预定线对加强部进行分割。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]形成四棱柱的加工方法-CN201610884306.7有效
  • 原田成规;襟立真奈 - 株式会社迪思科
  • 2016-10-10 - 2021-12-07 - H01L41/338
  • 提供一种加工方法,能够抑制在板状基板上由多个较深的切削槽形成的棱柱发生倾倒。本发明是在具有制品区域(12)的板状基板(14)上形成多个四棱柱(44)的加工方法。在准备了具有围绕制品区域的剩余区域(16)的剩余尺寸板状基板(10)之后,在第1方向上利用切削刀具(30)切入剩余尺寸板状基板,形成第1切削槽(41)。之后,在与第1方向垂直的第2方向上利用切削刀具切入剩余尺寸板状基板,形成第2切削槽(42),并将树脂填充到第1切削槽和第2切削槽内。然后,利用切削刀具对剩余区域进行切削,将其从板状基板去除。
  • 形成棱柱加工方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202011214260.0在审
  • 原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 - 株式会社迪思科
  • 2020-11-04 - 2021-05-25 - H01L21/78
  • 本发明提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚酯系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上;一体化工序,对该聚酯系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束,在该晶片中形成盾构隧道,将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚酯系片赋予超声波,将器件芯片顶起,拾取该器件芯片。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202011214261.5在审
  • 原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 - 株式会社迪思科
  • 2020-11-04 - 2021-05-25 - H01L21/78
  • 本发明提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚烯烃系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上;一体化工序,对该聚烯烃系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束,在该晶片中形成盾构隧道,将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚烯烃系片赋予超声波,将器件芯片顶起,拾取该器件芯片。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202011013365.X在审
  • 原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 - 株式会社迪思科
  • 2020-09-24 - 2021-04-20 - H01L21/304
  • 本发明提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚酯系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上;一体化工序,对该聚酯系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束,在该晶片中形成盾构隧道,将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚酯系片进行冷却,将器件芯片顶起,拾取该器件芯片。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202011015035.4在审
  • 原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 - 株式会社迪思科
  • 2020-09-24 - 2021-04-20 - H01L21/304
  • 本发明提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚烯烃系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上;一体化工序,对该聚烯烃系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束,在该晶片中形成盾构隧道,将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚烯烃系片进行冷却,将器件芯片顶起,拾取该器件芯片。
  • 晶片加工方法

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