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[发明专利]微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺-CN202110813137.9有效
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺，包括以下步骤：在N型单晶硅片的背面扩散一层浓磷；在高温下进行浓磷再扩散，形成器件内二极管的阴极区和三极管的集电区；在硅片正面进行液态硼源扩散，形成一定深度的二极管补硼区；通过离子注入硼对三极管的基区进行掺杂；通过正面液态硼源扩散在正面形成晶闸管的短基区以及三极管的基区补硼区；在三极管基区上通过离子注入磷形成三极管的发射区；正面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；通过LPCVD在表面沉积一层多晶硅；光刻刻出引线孔；正、背面金属化后，得到芯片；本发明制得的芯片具有小型化、防浪涌能力高、成本低、可靠性高等优点。
微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺

[发明专利]低电容低残压大功率过压保护器件芯片及其制作工艺-CN202110471933.9有效
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容低残压大功率过压保护器件芯片，包括N型单晶硅片，N型单晶硅片的两侧形成有穿通区及触发区，N型单晶硅片的双面形成有基区，N型单晶硅片双面的基区形成阴极区，N型单晶硅片双面形成有双面氧化层，双面氧化层上位于阳极区与穿通区之间处形成内沟槽台面，内沟槽台面处填充有玻璃层，双面氧化层表面与内沟槽台面结构上形成有二氧化硅保护膜，二氧化硅保护膜、双面氧化层上位于基区、阳极区、阴极区上方光刻形成引线窗口，二氧化硅保护膜、双面氧化层上两侧边缘光刻形成划片槽，本发明实现了高浪涌、低残压、低电容兼容，产品的响应速度更快，更加适合目前通信领域的应用环境。
电容低残压大功率保护器件芯片及其制作工艺

[发明专利]一种双极型晶体管制造用高切换速度的封焊装置-CN202210175492.2在审
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极型晶体管制造用高切换速度的封焊装置，属于封焊装置技术领域，散热扇安装在出气口中间处，限位座底中部安装有驱动转盘组件，限位支撑立柱中上段一侧安装有气缸封焊组件，转动好后通过启动气缸推动封焊组件和红外线扫描件向下移动对另一侧进行扫描和封焊，封焊结束后启动第二驱动电机带动第一转动杆、限位套和齿轮沿着齿牙进行移动带动第二电动伸缩杆和升降推料板进行升降和推料，封焊好后的双极型晶体管通过下料板和下料槽进行下料，从而避免在封焊时热量过高会导致封焊件的使用寿命较短，更换成本较高的问题；晶体管在生产过程中便于上下料，可以进行转动调节角度进行封焊；晶体管在封焊结束后可以进行自动下料。
一种双极型晶体管制造切换速度装置

[发明专利]内沟槽台面工艺触发二极管芯片的制作工艺-CN202110423298.7在审
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种内沟槽台面工艺触发二极管芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上通过低温液态源扩散或离子注入方式掺杂一层淡磷；在高温下进行磷再扩散，在淡磷上进行双面浓磷扩散；在淡磷上进行双面局部补硼扩散；在双面进行硅腐蚀，形成内沟槽；在双面沟槽内填充一层玻璃层形成终端保护；双面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；正、背面金属化后，得到芯片。本发明采用的内沟槽钝化保护结构相比常规外沟槽结构有更高的可靠性，产品不易失效与产生漏电，规避了芯片划片、封装等带来的可靠性风险。
沟槽台面工艺触发二极管芯片制作

[发明专利]高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺-CN202110423467.7在审
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上生长一层氧化层，在芯片边缘进行对通隔离扩散，再进行背面阳极区及正面短基区P扩散；在正面短基区P上进行磷扩散；在正面进行局部腐蚀，形成深沟槽；在正面门极与阴极交界处附近进行腐蚀，形成浅沟槽；在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层；在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层；通过LPCVD方法在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层；在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；正、背面金属化后，得到芯片。通过提高门极灵敏型触发可控硅的温度特性，来提高产品使用的最高结温，提升产品的高温适应性能。
温度特性灵敏触发可控硅芯片制作工艺