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[发明专利]一种基于双活性工作电极的光电化学检测装置-CN201610061292.9有效
发明人：张楠;赵伟伟;徐静娟;周明;陈洪渊 -专利权人：南京大学;南通明芯微电子有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：一种基于双活性工作电极的光电化学(PEC)检测装置，其样品池主要由具有光电活性和生物催化沉淀(BCP)活性的工作电极为特征的三电极体系组成。工作电极与激发光光源对准，三电极通过导线与电化学工作站相连。本发明基于双活性的工作电极，布局新颖，检测结果准确，结构简单。
一种基于活性工作电极光电化学检测装置

[发明专利]一种芯片的制造方法-CN201710575010.1在审
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片的制造方法，所述芯片包括基板，其特征在于在所述基板下端设置有散热层，所述散热层与所述基板一体成型，所述散热层与所述基板通过数个连接块相连，在所述基板上设置有数个金属层，在最上层所述金属层上设置有钝化层，所述芯片的加工步骤包括处理晶圆，基板上表面进行氧化、金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，涂钝化层、检测、封装。本发明设计合理，步骤简单，生产出的芯片散热效果好，使用寿命长。
一种芯片制造方法

[发明专利]一种芯片压胶装置-CN201710576274.9有效
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片压胶装置，包括压胶台，在压胶台上设置有弹性压座，在压胶台上设置凹槽，在凹槽底部设置有数个弹簧支撑件，弹性压座固定在弹簧支撑件上，在压胶太上设置有压胶结构，在压胶结构前侧的压胶台上设置有芯片放置台，芯片放置台包括支撑架，在支撑架前端设置有推动芯片的推动装置，支撑架与导向槽相连，导向槽端部设置在弹性压座上端，在弹性压座的另一侧设置有下料装置，下料装置包括下料台，在下料台上设置有旋转下料结构，下料台与传送带相连。本发明结构简单、设计合理，能够提高芯片加工速度，同时减少残次品的数量，降低生产成本。
一种芯片装置

[发明专利]半绝缘多晶硅薄膜的制备方法-CN201710169837.2在审
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种半绝缘多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤以SiH4和N2O作为反应气体，N2作为携带气体，在LPCVD系统中进行半绝缘多晶硅薄膜沉积，所述的反应条件如下1）温度620‑650℃；2）气压66.5 Pa；3）SiH4气体流量为100sccm—120sccm；4）SiH4与N2O的流量比为2‑41。本发明的半绝缘多晶硅薄膜的制备方法，制备的半绝缘多晶硅薄膜化学稳定性很好,特别适合于器件钝化。
绝缘多晶薄膜制备方法

[发明专利]激光二极管-CN201610941941.4在审
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光二极管，包括设在顶部的P型半导体和设在底部的N型半导体，所述的P型半导体和N型半导体之间设有光活性半导体，所述的P型半导体、N型半导体和光活性半导体的端面均为抛光面，所述的光活性半导体的材料选自TiO2、ZnO、α‑Fe2O3、ZnS、CdS、WO3、SnO2或SrTiO3。本发明的激光二极管，具有如下技术效果1）引脚不容易被折弯或折断；2）激光二极管的稳定性和互换性好。
激光二极管

[发明专利]一种有机三极管-CN201610677191.4在审
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机三极管，本发明的有机三极管，包括外壳、设在外壳内的管芯、连在管芯下方的引脚、设在外壳顶部的玻璃凸镜，所述的管芯包括底部的玻璃基板、连在玻璃基板上的铜蒸发膜源电极、连在铜蒸发膜源电极上的第一CuPc蒸发膜、连在第一CuPc蒸发膜上的梳状铝栅极、连在梳状铝栅电极上的第二CuPc蒸发膜和连在第二CuPc蒸发膜上的铜蒸发膜漏电极，所述的外壳为金属管壳片。本发明的有机三极管具有如下技术效果：1）能快速响应；2）能承受高压。
一种有机三极管

[发明专利]一种光敏三极管-CN201610677155.8在审
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种光敏三极管，包括外壳、设在外壳内的管芯、连在管芯下方的引脚、设在外壳顶部的玻璃凸镜，所述的管芯包括两端的发射区和集电区、设在发射区和集电区中间的基区、连在发射区上的发射极、连在集电区上的集电极、连在基区上的基极、设在发射区与基区之间的发射结和设在集电区与基区之间的集电结，所述的引脚上设有定位块。本发明的光敏三极管具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。
一种光敏三极管

[发明专利]一种激光二极管-CN201610189448.1在审
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光二极管，包括顶部的管帽、设在管帽内的散热器和激光二极管管芯、与激光二极管管芯相连的激光二极管管芯引脚、与激光二极管管芯引脚相连的光敏二极管、与光敏二极管相连的光敏二极管引脚、设在管帽下方和光敏二极管外部的管座，所述的激光二极管管芯引脚和光敏二极管引脚上设有限位块。本发明的激光二极管，具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。
一种激光二极管

[发明专利]一种肖特基二极管-CN201610189447.7在审
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基二极管，包括设在顶部阳极金属、设在阳极金属下方且与阳极金属相连的N外延层、设在N外延层下方且与N外延层相连的N型半导体基片、设在N型半导体基片下方且与N型半导体基片相连的N阴极层、设在N阴极层下方且与N阴极层相连的阴极金属、设在阴极金属的三个引脚，中间是阳极引脚，两边是阴极引脚，所述的阳极金属材料是钼，所述的N外延层、N型半导体基片和N阴极层均为硅片，所述的阳极金属两侧设有二氧化硅氧化绝缘层，所述的阳极引脚和阴极引脚上设有限位块。本发明的肖特基二极管，具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。
一种肖特基二极管

[实用新型]一种发光二极管-CN201520594059.8有效
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种发光二极管，包括阳极引线（1）、阴极引线（2）、楔形支架（3）、LED芯片（4）和环氧树脂外壳（5），所述的LED芯片（4）连在楔形支架（3）上，所述的阳极引线（1）和阴极引线（2）连在楔形支架（3）两侧，所述的LED芯片（4）设在阳极引线（1）和阴极引线（2）之间，所述的楔形支架（3）和LED芯片（4）设在环氧树脂外壳（5）内，所述的阳极引线（1）和阴极引线（2）的外部依次覆有胶粘层（6）和铜镍合金层（7）。本实用新型的发光二极管具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。
一种发光二极管

[实用新型]一种平面型整流二极管-CN201520588497.3有效
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种平面型整流二极管，包括阳极引线（1）、阴极引线（2）、二氧化硅保护层（3）和PN结（4），所述的阳极引线（1）与二氧化硅保护层（3）相连，所述的二氧化硅保护层（3）与PN结（4）相连，所述的阳极引线（1）和阴极引线（2）的外部依次覆有胶粘层（5）和铜镍合金层（6）。本实用新型的平面型整流二极管具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。
一种平面整流二极管

[实用新型]一种面接触型整流二极管-CN201520589199.6有效
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种面接触型整流二极管，包括阳极引线（1）、阴极引线（2）、铝合金电极（3）、PN结（4）、硅N型晶体（5）、金锑合金层（6）和支架（7），所述的阳极引线（1）与铝合金电极（3）相连，所述的铝合金电极（3）与PN结（4）相连，所述的PN结（4）与硅N型晶体（5）相连，所述的硅N型晶体（5）与金锑合金层（6）相连，所述的金锑合金层（6）连在支架（7）上，所述的阴极引线（2）也连在支架（7）上，所述的阳极引线（1）和阴极引线（2）的外部依次覆有胶粘层（8）和铜镍合金层（9）。本实用新型具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。
一种接触整流二极管

[实用新型]一种点接触型整流二极管-CN201520589785.0有效
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种点接触型整流二极管，包括阳极引线（1）、阴极引线（2）、PN结（3）、N型锗片（4）、支架（5）、金属触丝（6）和外壳（7），所述的阳极引线（1）和N型锗片（4）连在金属触丝（6）的两端，所述的N型锗片（4）和支架（5）连在PN结（3）的两端，所述的阴极引线（2）与支架（5）相连，所述的PN结（3）、N型锗片（4）、支架（5）和金属触丝（6）均设在外壳（7）内，所述的阳极引线（1）和阴极引线（2）的外部依次覆有胶粘层（8）和铜镍合金层（9）。本实用新型的点接触型整流二极管具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。
一种点接触整流二极管

[发明专利]一种面接触型整流二极管-CN201510478994.2在审
发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种面接触型整流二极管，包括阳极引线（1）、阴极引线（2）、铝合金电极（3）、PN结（4）、硅N型晶体（5）、金锑合金层（6）和支架（7），所述的阳极引线（1）与铝合金电极（3）相连，所述的铝合金电极（3）与PN结（4）相连，所述的PN结（4）与硅N型晶体（5）相连，所述的硅N型晶体（5）与金锑合金层（6）相连，所述的金锑合金层（6）连在支架（7）上，所述的阴极引线（2）也连在支架（7）上，所述的阳极引线（1）和阴极引线（2）的外部依次覆有胶粘层（8）和铜镍合金层（9）。本发明具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。

一种接触整流二极管

[发明专利]一种平面型整流二极管-CN201510479633.X在审

发明人：周明 -专利权人： 南通明芯微电子有限公司

申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载

摘要：本发明提供了一种平面型整流二极管，包括阳极引线（1）、阴极引线（2）、二氧化硅保护层（3）和PN结（4），所述的阳极引线（1）与二氧化硅保护层（3）相连，所述的二氧化硅保护层（3）与PN结（4）相连，所述的阳极引线（1）和阴极引线（2）的外部依次覆有胶粘层（5）和铜镍合金层（6）。本发明的平面型整流二极管具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。

一种平面整流二极管

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