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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备及基板处理方法-CN201880047348.2有效
发明人： 千珉镐;金钟植;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备以及基板处理方法。该气体分配设备包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块用于将处理气体分配到第一气体分配空间；以及第二气体分配模块，所述第二气体分配模块用于将处理气体分配到与所述第一气体分配空间不同的第二气体分配空间。
处理设备气体分配方法

[发明专利]气体供应装置-CN202310189369.0在审
发明人：徐东源;李奎范;千珉镐 -专利权人：韩华株式会社
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种气体供应装置，包括：清洁气体供应源，用于供应清洁气体；工程气体供应源，用于供应工程气体；第一流路，可供所述清洁气体流动；闸式阀，通过安装在所述第一流路内的第一位置而对所述第一流路进行开闭，从而使得所述清洁气体通过或阻断；第二流路，可供所述工程气体流动并在与所述第一位置相比处于下游的第二位置与所述第一流路汇流；以及，喷淋头单元，用于将通过所述闸式阀的清洁气体或所述工程气体喷射到腔室内部。
气体供应装置

[发明专利]薄膜沉积装置-CN202211708966.1在审
发明人：禹蓝;金相俌;李镇焕;千珉镐;李承俊 -专利权人：韩华株式会社
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积装置。多层薄膜沉积装置包括：腔室，对多个基板进行处理；多个加热器部件，通过以分别对应于所述多个基板的下部的方式配置而对所述多个基板进行加热；起模顶杆，以分别贯通所述多个加热器部件的方式升降并对所述多个下侧面进行支撑；多个隔热板，可供所述起模顶杆的下端安置且具有所述多个加热器部件之间的隔热功能；以及，多个支撑柱，在将所述多个加热器部件结合成一体的同时提供支撑。
薄膜沉积装置

[发明专利]基板处理设备-CN201780015704.8有效
发明人：金世英;权秀泳;刘真赫;赵炳夏;千珉镐;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理设备，用于喷射源气体和反应气体，所述设备包括：第一排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第一废气；第二排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第二废气；捕获装置，安装在第一排放管路中；以及第三排放管路，连接到排放泵以排出穿过捕获装置的第一废气和穿过第二排放管路的第二废气。
处理设备

[发明专利]基板处理设备-CN202180027336.5在审
发明人： 千珉镐;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2021-05-04 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明关于一种基板处理设备，包含：腔体、基板支撑部、顶电极以及底电极。基板支撑部于腔体中支撑一或多个基板。顶电极设置于基板支撑部之上并与基板支撑部对向设置。底电极设置于顶电极之下并与顶电极分离。底电极可包含第一电极以及第二电极。具有第一频率的第一射频电源被施加至第一电极。具有相异于第一频率的第二频率的第二射频电源被施加至第二电极。
处理设备

[发明专利]基板处理方法-CN201580066608.7有效
发明人：辛昇澈;刘真赫;千珉镐;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：公开了一种基板处理方法，包括：朝着被容置在反应腔室中的基板注入包括含有硅的源材料的气体；通过产生包括氧基团的等离子体将所述源材料沉积在所述基板上以形成沉积膜；和通过注入包括氧基团的等离子体气体执行所述沉积膜的表面处理。
处理方法

[发明专利]基板支撑设备-CN201880029938.2在审
发明人：千东硕;金正美;金鍾植;郑源宇;千珉镐;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：基板支撑设备的一个实施方式包括：用于支撑基板的支撑构件；和温度补偿构件，所述温度补偿构件设置在所述支撑构件的边缘并且补偿所述基板的温度，其中所述支撑构件可由光透射材料形成，所述温度补偿构件可由不透明材料形成，并且所述温度补偿构件的表面可由对清洁气体具有抗腐蚀性的材料制成。
温度补偿构件支撑构件基板支撑设备不透明材料光透射材料清洁气体支撑基板基板

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201680061579.X在审
发明人： 千珉镐;刘真赫;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据本发明实施例的基板处理装置可以包括：处理腔室；基板支撑部，安装在所述处理腔室中以支撑多个基板，所述基板支撑部沿一定方向旋转；腔室盖，覆盖所述处理腔室的顶部以与所述基板支撑部相对；以及气体分配单元，安装在腔室盖中以在空间上分离不同的第一气体和第二气体并将在空间上分离的所述第一气体和所述第二气体分配到所述多个基板。所述基板支撑部可以包括：第一盘，被设置成可旋转；以及至少一个第二盘，设置在所述第一盘上，以根据所述第一盘的旋转而围绕所述第一盘的中心旋转和绕转，所述多个基板设置在所述至少一个第二盘上。
基板支撑部处理腔室多个基板基板处理装置腔室盖气体分配单元方向旋转基板处理气体分配中心旋转可旋转绕转覆盖支撑

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