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[发明专利]基片处理装置-CN202310254236.7在审
发明人：高栖纪尚;山中进矢;立花佑太;北泽贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置，其包括具有喷淋板和冷却板的喷淋头，在该基片处理装置中，抑制冷却板的翘曲，防止或减轻喷淋板的破损。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置在上述等离子体处理腔室内，能够支承基片；和与上述基片支承部相对的喷淋头，上述喷淋头具有：喷淋板，其形成有释放气体的气体释放口；冷却板，其保持上述喷淋板，形成有供给致冷剂的致冷剂流路和气体供给流路；以及多个气体扩散室，其形成在上述喷淋板与上述冷却板之间，分别与上述气体释放口和气体供给流路连通，上述致冷剂流路在俯视时至少一部分与上述喷淋板和上述冷却板之间的传热面重叠地配置。
处理装置

[发明专利]上部电极和等离子体处理装置-CN202310217330.5在审
发明人：山中进矢;北泽贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制上部电极的异常放电的上部电极和等离子体处理装置。本发明的上部电极在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头。上部电极包括第一部件、第二部件和第三部件。第一部件由导电体形成。在第一部件形成有第一气孔。第一气孔贯穿第一部件。第二部件由导电体形成。第二部件设置在第一部件之上。在第二部件形成有第二气孔。第三部件由电介质形成。第三部件设置在第一部件与第二部件之间。第三部件形成气体扩散室。第一气孔和第二气孔与气体扩散室连接。
上部电极等离子体处理装置

[发明专利]热介质循环系统和基板处理装置-CN202010917456.X在审
发明人：砂金优;北泽贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种热介质循环系统和基板处理装置。使透过树脂制的管道的透过气体的排气效率提高。热介质循环系统具有：管道，其为树脂制，构成供热介质循环于温度控制对象物的循环流路的至少一部分；罩，其包围管道的外周面；以及排气管，其与管道和罩之间的空间相连接，将透过管道并向该空间释放的热介质排出，罩具有供气口，该供气口与热介质从排气管的排出同时地向管道和罩之间的空间供给空气。
介质循环系统处理装置

[发明专利]基板处理装置的基板载置台-CN201510896410.3有效
发明人：佐藤彻治;北泽贵;吉村章弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。
处理装置基板载置台

[发明专利]等离子体处理装置-CN201110146665.X有效
发明人：堀口将人;辻本宏;北泽贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间中，也很容易将其排出的等离子体处理装置。在该装置中设有：在处理室(102)的顶壁(105)中与下部电极(111)相对以升降自如的方式设置，且设有导入处理气体的多个吹出孔(123)的上部电极(120)；围绕各个电极和其间的处理空间的周围的保护侧壁(310)；设置于保护侧壁的内侧，排出处理空间的气体的内侧排气通道(330)；和设置于保护侧壁的外侧，排出流入上部电极和顶壁之间的空间的处理气体的外侧排气通道(138)。
等离子体处理装置

[发明专利]基板处理装置的基板载置台-CN201010582558.7无效
发明人：佐藤彻治;北泽贵;吉村章弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。
处理装置基板载置台

[发明专利]真空装置、其泄漏率测量方法及测量用程序和存储介质-CN200610008362.0无效
发明人： 北泽贵;小林敦;手塚一幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-02-21 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种在排气部不使用闸阀的真空装置中，能够准确地测量真空腔室泄漏率的泄漏率测量方法。该方法是对测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括：内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与真空腔室相连接的第一排气泵、连接在第一排气泵排气方向下游的第二阀门，该装置设有从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道分支出来的、以连通状态与真空腔室相连接的循环通道，在所述第一阀门设定在规定的通导性，所述第二阀门闭合的状态下，由所述第一排气泵通过所述循环通道使气体向所述真空腔室循环，对所述真空腔室内的压力进行监测。
真空装置泄漏测量方法测量程序存储介质

[发明专利]相对压力控制系统和相对流量控制系统-CN200480016146.X有效
发明人：河野哲儿郎;土居广树;伊藤稔;长冈秀树;伊藤惠贵;远藤宏纪;岛津强;广濑润;胜又治;三浦和幸;北泽贵 -专利权人：喜开理株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： G05D16/20 文献下载
摘要：一种以简单的构造就能正确调整作用气体的分压比，并且在紧急时能从作用气体供给管路确实抽出作用气体的相对压力控制系统。具有与被供给作用气体的作用气体供给管路连接的多个常开型气动阀(8)、分别与检出气动阀(8)串联连接而检出气动阀(8)输出的压力的压力传感器(3)、根据压力传感器(3)检测出的压力来控制气动阀(8)的操作压力的控制器(25)以及使多个气动阀(8)常时至少1个开阀地关联起来的硬联锁用电磁阀(59)，调整从多个气动阀(8)中给定了的气动阀(8)的开度，按规定的分压比输出作用气体。
相对压力控制系统流量

[发明专利]真空处理装置和基板传送方法-CN200410032743.3有效
发明人：寄特利彦;丹羽慎治;保坂聪树;北泽贵;三田淳夫;佐藤义隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社;株式会社东芝
申请日： 2004-04-16 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：蚀刻处理装置(1)具备传送腔(2)，多个处理腔(3、4)，多个盒腔(7、8)，在传送腔(2)内设置传送机构(14)。在传送机构(14)的动作停止了预定时间及预定时间以上之际，控制装置(17)关闭对设置有该传送机构的传送腔(2)进行真空排气的真空排气机构的开闭阀(15)，并停止真空泵(16)的动作。据此，可以实施节省能量而不引起生产性降低。
真空处理装置传送方法

[外观设计]半导体制造用排气环-CN03352204.9无效
发明人：手塚一幸;北泽贵;纲仓纪彦;小泉浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-06-11 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：左视图与右视图相对称，省略左视图。
半导体制造排气

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