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[发明专利]色调剂粘结剂和色调剂-CN201880073317.4有效
发明人：本夛将;加藤智久;小野康弘 -专利权人：三洋化成工业株式会社
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03G9/087 文献下载
摘要：本发明涉及一种色调剂粘结剂，其是含有聚酯树脂(A)和乙烯基树脂(B)的色调剂粘结剂，其中，聚酯树脂(A)的酸值为2mgKOH/g以上，乙烯基树脂(B)的重均分子量为4,000～40,000，乙烯基树脂(B)是以均聚物的SP值为11.5～16.5的单体(m)作为必要构成单体的聚合物，构成乙烯基树脂(B)的单体中的单体(m)的重量比例以构成(B)的单体的总重量为基准为1重量％以上，聚酯树脂(A)与乙烯基树脂(B)的重量比[(A)/(B)]为80/20～99.5/0.5，在乙烯基树脂(B)包含具有70～210的聚合度的聚乙烯单元(C11)和/或具有70～210的聚合度的聚丙烯单元(C12)的情况下，乙烯基树脂(B)中的聚乙烯单元(C11)和聚丙烯单元(C2)的合计重量比例以乙烯基树脂(B)的重量为基准为9重量％以下。
色调粘结

[发明专利]色调剂粘结剂和色调剂-CN202010145863.3有效
发明人：宇津井智;加藤智久;岩胁英次;小田岛浩;三瓶真菜;杉本佑子 -专利权人：三洋化成工业株式会社
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03G9/08 文献下载
摘要：本发明涉及色调剂粘结剂和色调剂。本发明的色调剂粘结剂的特征在于，含有结晶性树脂(A)和树脂(B)，该树脂(B)是以醇成分(X)和羧酸成分(Y)作为原料进行反应而得到的聚酯树脂或其改性树脂，利用差示扫描量热计(DSC)测定的表示源自结晶性树脂(A)的吸热峰顶的温度(Tp)在40～100℃的范围，升温时的吸热峰面积S1与S2满足下述关系式(1)。(S2/S1)×100≥35 (1)。其中，将对色调剂粘结剂进行升温、冷却、升温时的第1次升温过程的源自结晶性树脂(A)的吸热峰面积设为S1，将第2次升温过程的源自结晶性树脂(A)的吸热峰面积设为S2。
色调粘结

[发明专利]细胞培养基及使用其的培养方法-CN201910496491.6有效
发明人： 加藤智久;金村米博;正札智子;福角勇人 -专利权人：株式会社钟化;独立行政法人国立病院机构
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C12N5/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种不使用饲养细胞而能够提高细胞的增殖效率的细胞培养基，特别是提供一种不含血清的细胞培养基。根据本发明，可以提供一种含有生长停滞特异性蛋白质6(Growth arrest‑specific 6；GAS6)且不含血清的细胞培养基。
细胞培养基使用培养方法

[发明专利]基板评价方法-CN202211225492.5在审
发明人：水谷诚二;中川健二;加藤智久;竹中研介 -专利权人：米朋克斯株式会社
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：提供一种在可见光区域能够观察微小的晶体缺陷的基板评价方法，包括以下步骤：向基板照射偏振所得到的平行光；以及基于利用透过了基板的光或经基板反射后的光得到的图像，来对基板的至少一部分的晶体品质进行评价。该平行光的半值宽度(HW)、发散角(DA)以及中心波长(CWL)满足以下的条件。3≤HW≤100；0.1≤DA≤5；250≤CWL≤1600。其中，中心波长(CWL)和半值宽度(HW)的单位为nm，发散角(DA)的单位为mrad。
评价方法

[发明专利]基板评价方法-CN201680078505.7有效
发明人：水谷诚二;中川健二;加藤智久;竹中研介 -专利权人：米朋克斯株式会社
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供一种在可见光区域能够观察微小的晶体缺陷的方法，包括以下步骤：向基板照射偏振所得到的平行光；以及基于利用透过了基板的光或经基板反射后的光得到的图像，来对基板的至少一部分的晶体品质进行评价。该平行光的半值宽度(HW)、发散角(DA)以及中心波长(CWL)满足以下的条件。3≤HW≤100；0.1≤DA≤5；250≤CWL≤1600。其中，中心波长(CWL)和半值宽度(HW)的单位为nm，发散角(DA)的单位为mrad。
评价方法

[发明专利]n型4H-SiC单晶基板和n型4H-SiC单晶基板的制造方法-CN201910802908.7有效
发明人：周防裕政;江藤数马;加藤智久 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供在掺杂有施主和受主这两者的构成中贯穿位错密度小、结晶性比以往提高了的n型4H‑SiC单晶基板。本发明的n型4H‑SiC单晶基板，作为施主的N元素的浓度和作为受主的B元素的浓度两者均为3×1018/cm3以上，并且，贯穿位错密度小于4000个/cm2。
sic 单晶基板制造方法

[发明专利]座席用隔离器具-CN201810199679.X有效
发明人： 加藤智久;矶野登希夫 -专利权人：株式会社本田阿克塞斯
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B60R5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在以不偏离的方式可靠地固定隔离主体的状态下隔离车辆的车辆室内的座席用隔离器具。其具有由可挠性材料所形成的侧方隔离主体(2)和第1固定单元(13)以及第2固定单元(23)。其由于为所述第1安装位置位于比所述第2安装位置处于下方，且位于车辆后方，所述第3安装位置位于比所述第4安装位置处于下方，且位于车辆前方，且所述第1固定单元和所述第2固定单元被固定为绷紧状态的构成，即使面对大型犬等的冲闯等也能够抑制已被设置在座席间的侧方隔离主体在车辆前后左右方向的偏离。
座席隔离器具

[发明专利]n型SiC单晶基板及其制造方法以及SiC外延晶片-CN201780057496.8有效
发明人：江藤数马;周防裕政;加藤智久 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本公开提供一种n型SiC单晶基板，该n型SiC单晶基板是将施主和受主共同掺杂进去的基板，基板的外周部的施主浓度与受主浓度之差小于中央部的施主浓度与受主浓度之差，并且外周部的施主浓度与受主浓度之差小于3.0×1019/cm3。
sic 单晶基板及其制造方法以及外延晶片

[发明专利]浴槽装置-CN201810063757.3有效
发明人：松本将刚;加藤智久;武田宏二 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： A47K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种浴槽装置，即使长时间入浴，也能够使体内温度及温感这双方持续处于舒适的温度范围内。本发明的浴槽装置(1)具有：浴槽(2)；加热部(脖颈加热器(12)及背加热器(14))，设置于浴槽内部的壁面；温度探测传感器(9)，探测浴槽水的温度；及控制装置(18)，控制加热部的温度，控制部具有对加热部的温度、加热时间进行自动控制的自动运行模式，以便使入浴者的体内温度、温感持续处于各自的舒适的温度范围内，当由温度探测传感器探测到的浴槽水的温度高于第1规定温度(39℃)时，控制部以热投入量比在浴槽水的温度低于第1规定温度时更少的方式控制加热部。
装置

[发明专利]p型4H－SiC单晶和p型4H－SiC单晶的制造方法-CN201680056202.5有效
发明人：江藤数马;加藤智久;周防裕政;德田雄一郎 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所;昭和电工株式会社;株式会社电装
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种p型4H－SiC单晶，其共掺杂有铝和氮，且氮浓度为2.0×1019/cm3以上。
sic 制造方法

[发明专利]外延晶片的制造方法、外延晶片、半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201680019145.3有效
发明人：土田秀一;宮泽哲哉;米泽喜幸;加藤智久;児岛一聪;俵武志;大月章弘 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供一种抑制外延生长层的厚度、并且即使以大电流进行双极动作也有效地抑制从衬底上的外延生长层与衬底的界面扩展的带状堆垛层错的产生的外延晶片。外延晶片的制造方法包括以下步骤：在碳化硅的衬底之上，添加用于决定导电型的主掺杂物并且以比主掺杂物的掺杂浓度低的掺杂浓度来添加用于捕获少数载流子的副掺杂物，来外延生长以碳化硅为主成分的缓冲层，该缓冲层用于促进从耐压维持层向衬底的方向流动的少数载流子的捕获和消灭，该缓冲层的电阻比耐压维持层的电阻低(S1～S5)；以及在缓冲层之上外延生长耐压维持层。
外延晶片制造方法半导体装置以及

[发明专利]色调剂粘结剂和色调剂-CN201580024382.4有效
发明人：宇津井智;加藤智久;岩胁英次;小田岛浩;三瓶真菜;杉本佑子 -专利权人：三洋化成工业株式会社
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G03G9/087 文献下载
摘要：本发明的色调剂粘结剂的特征在于，含有结晶性树脂(A)和树脂(B)，该树脂(B)是以醇成分(X)和羧酸成分(Y)作为原料进行反应而得到的聚酯树脂或其改性树脂，利用差示扫描量热计(DSC)测定的表示源自结晶性树脂(A)的吸热峰顶的温度(Tp)在40～100℃的范围，升温时的吸热峰面积S1与S2满足下述关系式(1)。(S2/S1)×100≥35(1)。其中，将对色调剂粘结剂进行升温、冷却、升温时的第1次升温过程的源自结晶性树脂(A)的吸热峰面积设为S1，将第2次升温过程的源自结晶性树脂(A)的吸热峰面积设为S2。
色调粘结

[发明专利]细胞培养基及使用其的培养方法-CN201480063892.8有效
发明人： 加藤智久;金村米博;正札智子;福角勇人 -专利权人：株式会社钟化;独立行政法人国立病院机构
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C12N5/10 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种不使用饲养细胞而能够提高细胞的增殖效率的细胞培养基，特别是提供一种不含血清的细胞培养基。根据本发明，可以提供一种含有生长停滞特异性蛋白质6(Growth arrest‑specific 6；GAS6)且不含血清的细胞培养基。
细胞培养基使用培养方法

[发明专利]浴缸-CN201910131832.X在审
发明人：小谷麻美子;中村遼太;加藤智久 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： A47K3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种浴缸，能够在入浴者通过使背部与背部抵接部抵接而仰起并躺倒的体态下使脚掌与腿侧面部接触，且不会对腿施加负荷。具体而言，为入浴者可入浴的浴缸，具备倾斜的背侧面部、与所述背侧面部相对的面即腿侧面部，所述腿侧面部具有以在其左右方向上中央侧比左右侧更突出成凸状的方式弯曲形成的凸部。
侧面部浴缸抵接部脚掌侧比抵接凸部凸状施加

[发明专利]筛选多能干细胞生长促进因子的方法-CN201480036983.2有效
发明人： 加藤智久;金村米博;正札智子;福角勇人 -专利权人：株式会社钟化;独立行政法人国立病院机构
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C12Q1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用条件培养基筛选多能干细胞生长促进因子的方法，所述条件培养基由在含有L‑抗坏血酸、胰岛素、转铁蛋白、硒和碳酸氢钠并且不含血清或血清替代物的无血清培养基中培养饲养细胞产生；一种通过使用条件培养基的无饲养培养使多能干细胞生长的方法；和一种通过在预先培养过饲养细胞的无血清培养基中实现多能干细胞的无饲养培养的使多能干细胞生长的方法。
筛选多能干细胞生长促进因子方法

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