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[发明专利]衬底处理装置及方法、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202310850326.2在审
发明人： 加我友纪直;吉田怜亮 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供衬底处理装置及方法、半导体器件的制造方法及记录介质，衬底处理装置具有：处理室，收容支承衬底的衬底支承件；气体供给系统，向所述衬底供给多个处理气体；衬底搬送系统，向所述衬底支承件搬送衬底；及控制部，控制所述衬底搬送系统和所述气体供给系统，以相应于支承在所述衬底支承件上的衬底的总表面积而修正所述多个处理气体的供给循环数。
衬底处理装置方法半导体器件制造记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底装填方法及记录介质-CN201680083313.5有效
发明人： 加我友纪直;吉田怜亮 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：课题为提供一种在用分批炉对大表面积衬底进行处理的情况下，能够减轻每1张大表面积衬底的表面积及装填张数的影响，能够得到良好的衬底装填区域间的膜厚均匀性的技术。解决手段具有下述工序：对大表面积衬底进行分散装填的工序，其中，当在衬底的最大装填张数为X张(X≥3)的衬底支承件上装填Y张(Y＜X)大表面积衬底时，以大表面积衬底的最大连续装填张数成为Z张(Z＜Y)的方式，将大表面积衬底分散并装填于衬底支承件，并且以使得下述(a)、(b)、(c)的值各自变得小于Z＝Y时的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值的方式，对Z的值进行调节，其中，衬底支承件是具备具有多个插槽的衬底装填区域并且将多个衬底装填于插槽并进行支承的衬底支承件，大表面积衬底为在上表面上形成有相对于半径r而言上表面的表面积成为3πr2以上这样的图案的大表面积衬底，(a)在25≤X≤200的情况下，各插槽及各插槽的相邻10个插槽这总计11个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值，(b)在11≤X≤24的情况下，各插槽及各插槽的相邻4个插槽这总计5个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值，(c)在5≤X≤10的情况下，各插槽及各插槽的相邻2个插槽这总计3个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值；和将分散装填有大表面积衬底的衬底支承件收容在处理室中，对大表面积衬底进行处理的工序。
半导体器件制造方法衬底装填记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质-CN201811053128.9有效
发明人：奥田和幸;南政克;中村吉延;高木康祐;加我友纪直;竹林雄二 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质。本发明的课题为抑制在沿上下方向装载的衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间产生不均。本发明的解决手段为通过一边供给DCS气体一边从喷嘴(249a)向处理室(201)供给N2气体，从而利用N2气体将DCS气体推升至沿上下方向延伸的喷嘴(249a)的上端。此外，通过从下方对处理室(201)内的气体进行排气，从而即使DCS气体被大量供给至在喷嘴(249a)内流动的DCS气体的上游侧即处理室(201)内的下方部，也仍可将其排气。由此，能够在处理室(201)的上下方向上均匀地供给DCS气体，能够使在衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间均匀。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、程序和基板处理装置-CN202080018060.X在审
发明人：定田拓也;加我友纪直;永冨佳将 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提高膜特性。具有：第一工序、多次重复第一工序的工序、在多次反复第一工序后的第二工序和多次重复第二工序的工序，在所述第一工序中，进行供给工序和排气工序，在所述供给工序中，对于处理室内的基板并行地进行含金属气体的供给以及含硅和氢但不含卤素的还原气体的供给，在所述排气工序中，对于处理室内的气氛进行排气，在所述第二工序中，进行对于处理室内的基板的含氮气体的供给和处理室内的气氛的排气。
半导体装置制造方法程序处理

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN201880097796.3在审
发明人： 加我友纪直;山本一良;林原秀元;浅井一秀 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种结构，包含使基板处理系统执行由多个步骤构成的工艺制程的控制部，在工艺制程的执行中，针对满足预先决定的收集条件的步骤，收集针对基板处理系统中的监视对象的部件的部件数据，生成表示收集到的部件数据的相关关系的相关曲线，将生成的相关曲线与预先存储的成为基准的初始相关曲线进行比较，判定相关曲线与初始相关曲线的差量是否超过预先决定的阈值，在超过了阈值的情况下，产生警报。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序-CN201980020201.9在审
发明人：吉田怜亮;加我友纪直 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供在基板上形成薄膜时，适应于基板的表面积、电气特性而控制薄膜的面内膜厚分布的技术。具有：对于处理室内的基板供给原料气体和非活性气体的第一工序，在停止供给原料气体的状态下对基板供给非活性气体，将处理室内残留的原料气体除去的第二工序，对基板供给反应气体和非活性气体的第三工序，在停止供给反应气体的状态下对基板供给非活性气体，将处理室内残留的反应气体除去的第四工序；并且，在第四工序中具有非活性气体的流量比在第三工序中供给的非活性气体的流量少的时刻点。
半导体装置制造方法处理程序

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法和存储介质-CN202010081220.7在审
发明人： 加我友纪直;西浦进;杉下雅士;西田政哉 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供能够使形成在基板上的膜厚在批处理之间均等的技术。基板处理装置构成为具备：处理室，其容纳基板；加热部，其对处理室内进行加热；控制部，其进行控制以使得能够根据所设定的工艺参数而在基板上形成膜；计算部，其计算附着在处理室内的膜厚；存储部，其存储由计算部计算出的膜厚的累计值作为累计膜厚，控制部能够根据存储在存储部中的累计膜厚来决定工艺参数的温度以外的设定值。
处理装置半导体器件制造方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序-CN201780094084.1在审
发明人：冈崎正;安彦一;宫田智之;加我友纪直 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：提供一种结构，具备：基板保持件，其保持包含产品基板和虚设基板在内的多枚各种基板；移载机构，其将各种基板装填于基板保持件；和控制部，其获取能够载置于该基板保持件的基板枚数和载置于该基板保持件的产品基板的枚数，根据获取到的产品基板的枚数将产品基板分割成多个基板组，基于获取到的产品基板的枚数、能够载置于基板保持件的基板枚数、以及产品基板的基板组的数量将虚设基板分割成多个基板组，将该产品基板的基板组和该虚设基板的基板组组合，生成将产品基板分散地载置到基板保持件的多个区域的基板配置数据，根据所生成的基板配置数据，使移载机构将各种基板移载到基板保持件。
处理装置半导体器件制造方法程序

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201811041043.9在审
发明人：吉田怜亮;加我友纪直;竹林雄二;境正宪;平野敦士 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的目的在于提供一种对于层叠于处理室内的多个衬底而言、能够对各衬底的面间的膜厚均衡性进行调节的技术。本发明的解决手段为提供具有下述工序的技术：从在层叠并收容有多个衬底的处理室内沿上述多个衬底的层叠方向立设的第一喷嘴，向上述多个衬底供给原料气体的工序；以及，从在上述处理室内沿上述多个衬底的层叠方向立设、且具备具有从上游侧向下游侧变大的开口面积的开口部的第二喷嘴，向上述多个衬底供给反应气体，在以沿上述多个衬底的层叠方向而成为期望的值的方式调节上述反应气体的分压均衡性的同时供给上述反应气体的工序。
衬底层叠方向反应气体衬底处理装置半导体器件喷嘴均衡性室内侧向供给原料开口部分压膜厚收容制造开口期望上游

[发明专利]衬底处理装置、衬底保持件及载置件-CN201680079936.5在审
发明人：平野敦士;竹林雄二;加我友纪直;境正宪;岛田真一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供能够忽略由晶舟导致的气体消耗的影响的构成。提供下述构成：具备安装有载置衬底的载置部的支柱、和没有安装载置部的辅助支柱的衬底保持件设置为辅助支柱的直径小于支柱的直径，当通过载置部保持衬底时，衬底的端部与支柱之间设置为分开规定长度。
载置部衬底衬底保持件辅助支柱衬底处理装置气体消耗载置件晶舟载置

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