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[发明专利]蚀刻方法-CN202210269105.1在审
发明人：久保卓也;前原大树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻方法。提供在使用物理溅射现象的加工方法中，抑制溅射的原子向蚀刻侧壁附着的技术。在一个实施方式的蚀刻方法中，通过使用等离子体中的离子的溅射对晶圆进行蚀刻。在晶圆中，将包含难挥发性材料的多层膜的表面上的掩模层的高度(h)除以限定露出表面的露出空间的一部分的邻接的掩模层的两个侧壁在表面形成的间隔(D)得到的纵横比(h/D)满足将侧壁相对于与侧壁交叉且垂直于表面的垂直面的倾斜角度设为θ、将通过溅射产生的离子向垂直面的入射角度的上限值设为的条件：在蚀刻方法中，通过使用由供给到腔室的内部空间中的处理气体生成的等离子体中的离子的溅射对多层膜进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]基片处理装置和处理系统-CN201880012792.0在审
发明人： 前原大树;渡边直树;石井亨;中村贯人;斋藤诚;D·赫尔利;I·科尔冈 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-02-21 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一个实施方式中的基片处理装置(10)和处理系统(100)对具有磁性层的基片(W)进行单片式处理，包括：支承基片的支承部(PP)；加热由支承部支承的基片的加热部(HT)；冷却由支承部支承的基片的冷却部(CR)；用于产生磁场的磁铁部(2)；和收纳支承部、加热部及冷却部的处理容器(1)，磁铁部包括彼此平行地延伸的第一端面(2a1)和第二端面(2b1)，第一端面与第二端面隔开间隔地相对，第一端面对应于磁铁部的第一磁极，第二端面对应于磁铁部的第二磁极，处理容器配置在第一端面与第二端面之间。
磁铁部支承部基片处理装置磁极处理容器处理系统加热部冷却部支承单片式处理收纳彼此平行隔开间隔支承基片磁性层磁场加热冷却延伸配置

[发明专利]磁阻效应元件的制造方法-CN201210345416.8有效
发明人：永峰佳纪;恒川孝二;D·D·贾亚普拉维拉;前原大树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件（第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等）的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物质的成膜室内，成膜成所述MgO层，来制造在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO（氧化镁）层的磁阻效应元件。吸气效果大的物质为氧气吸附能的值为145kcal/mol以上的物质即可，特别优选作为构成所述磁阻效应元件的物质的Ta（钽）。
磁阻效应元件制造方法

[发明专利]频率转换器-CN200980101258.8有效
发明人： 前原大树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H03D7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种频率转换器，其包括频率转换器件，该频率转换器件能够通过使用磁阻元件来适应Si系MMIC和GaAs系MMIC。根据本发明实施例的频率转换器包括：频率转换器件，其包括具有磁化自由层、中间层和磁化固定层的磁阻元件；磁场施加机构，用于向所述频率转换器件施加磁场；本地振荡器，用于向所述频率转换器件施加本地振荡信号；以及输入端子，其电连接至所述频率转换器件，并用于接收外部输入信号。其中，所述本地振荡器包括磁阻元件，该磁阻元件能够通过根据自身的阻抗变化输出交流电压来产生本地振荡信号。
频率转换器

[发明专利]频率变换设备和频率变换方法-CN200980100883.0有效
发明人： 前原大树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H03D7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种频率变换装置，其使用磁阻装置并由此能够与硅基MMIC和GaAs基MMIC相对应。根据本发明的频率变换设备包括：频率变换装置，其包括具有磁化自由层、中间层和磁化固定层的磁阻装置；磁场施加机构，用于向频率变换装置施加磁场；本地振荡器，用于向频率变换装置施加本地振荡信号；以及输入端子，其电连接至频率变换装置并用于输入外部输入信号。
频率变换设备方法

[发明专利]磁阻效应元件的制造方法以及制造设备-CN200910146788.6有效
发明人：永峰佳纪;恒川孝二;D·D·贾亚普拉维拉;前原大树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件(第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等)的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物质的成膜室内，成膜成所述MgO层，来制造在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO(氧化镁)层的磁阻效应元件。吸气效果大的物质为氧气吸附能的值为145kcal/mol以上的物质即可，特别优选作为构成所述磁阻效应元件的物质的Ta(钽)。
磁阻效应元件制造方法以及设备

[发明专利]磁性多层膜制作装置-CN200910118074.4无效
发明人：大卫·D.·贾亚普拉维拉;恒川孝二;长井基将;前原大树;山形伸二;渡边直树;汤浅新治 -专利权人：佳能安内华股份有限公司;产业技术总合研究所
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明涉及磁电阻效应元件及其制造方法，特别是涉及利用简单的溅射成膜法制作的具有极高磁电阻比的磁电阻效应元件及其制造方法。该磁电阻效应元件包含由一对强磁性层和位于其中间的势垒层组成的积层结构，至少一个强磁性层的至少与势垒层接触的部分为非晶态，势垒层是具有单晶结构的MgO层。
磁性多层制作装置

[发明专利]磁阻效应元件的制造方法以及制造设备-CN200780007233.2无效
发明人：永峰佳纪;恒川孝二;D·D·贾亚普拉维拉;前原大树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件(第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等)的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物质的成膜室内，成膜成所述MgO层，来制造在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO(氧化镁)层的磁阻效应元件。吸气效果大的物质为氧气吸附能的值为145kcal/mol以上的物质即可，特别优选作为构成所述磁阻效应元件的物质的Ta(钽)。
磁阻效应元件制造方法以及设备

[发明专利]磁阻效应型薄膜磁头及其制造方法-CN200780004346.7无效
发明人： 前原大树;D·D·贾亚普拉威拉;渡边直树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种可以将磁隙长度高精度地优化的具有CPP结构的磁阻效应元件的磁阻效应型薄膜磁头及其制造方法。在该磁阻效应型薄膜磁头的制造方法中，在下部屏蔽层之上，成膜以盖层为上层的磁阻效应层叠膜，在该盖层之上成膜由软磁性材料构成的软磁性层之后，进行微细加工，接下来，将在其之上成膜有软磁性层的盖层设为上层的上述微细加工后的磁阻效应层叠膜之上至少形成了绝缘层之后，去除形成在上述软磁性层之上的绝缘层的一部分而使上述软磁性层露出，在所露出的上述软磁性层的表面上形成上部屏蔽层。
磁阻效应薄膜磁头及其制造方法

[发明专利]磁电阻效应元件及其制造方法-CN200510098765.4有效
发明人：大卫·D.贾亚普拉维拉;恒川孝二;长井基将;前原大树;山形伸二;渡边直树;汤浅新治 -专利权人：安内华股份有限公司;产业技术总合研究所
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁电阻效应元件及其制造方法，特别是涉及利用简单的溅射成膜法制作的具有极高磁电阻比的磁电阻效应元件及其制造方法。该磁电阻效应元件包含由一对强磁性层和位于其中间的势垒层组成的积层结构，至少一个强磁性层的至少与势垒层接触的部分为非晶态，势垒层是具有单晶结构的MgO层。
磁电效应元件及其制造方法

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