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[发明专利]单晶半导体结构的裸片上形成-CN202210925717.1在审
发明人： J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔;刘鸿威;S·查杰德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本申请涉及单晶半导体结构的裸片上形成。在一些实例中，半导体材料层可沉积在存储器单元的一或多个叠组上方并且被划分成一组贴片。可基于几乎或部分地熔化所述半导体材料而形成每个贴片的相应结晶布置，使得成核位点保持在所述半导体材料中，相应结晶布置可从所述成核位点生长。晶体管的沟道部分可至少部分地通过掺杂所述半导体材料的所述结晶布置的区来形成。因此，所述存储器单元的操作可由下部电路系统(例如，至少部分地由结晶半导体衬底的掺杂部分形成)和上部电路系统(例如，至少部分地由半导体的沉积在所述存储器单元上方并且以原位结晶布置形成的掺杂部分形成)支持。
半导体结构裸片上形成

[发明专利]一种螺旋式磁化过滤喷雾装置-CN202110361231.5在审
发明人：荆德吉;蒋卓;任帅帅;马明星;刘鸿威;孟祥曦;张天;庞星宇;安日娜;贾荞溪;贾鑫;王志恒;于涛 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B01D47/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺旋式磁化过滤喷雾装置，该装置分为水路、气路两条支路：水路包括自吸式离心泵、过滤装置、磁化装置；气路包括气泵、储气罐、稳压阀、压力表、水力控制阀。自吸式离心泵通过输水管路一与过滤装置连接，过滤装置为一个水箱，水箱通过输水管路二与磁化装置连接，磁化装置包括内永磁铁、外永磁铁，内永磁铁与外永磁铁之间为螺旋形管道。气路的喷雾装置通过输水管路三连接在喷头支架，喷头支架上的气动喷头均匀布置。
一种螺旋式磁化过滤喷雾装置

[发明专利]一种适用于转载点负压循环卷吸控尘装置-CN202110360271.8在审
发明人：魏德宁;荆德吉;马明星;孟祥曦;张天;符雨;刘鸿威;蒋卓;于涛 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B65G69/18 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于转载点负压循环卷吸控尘装置，包括压力喷嘴、回环管、万向节、水动力装置；回环管分为两部分组成，回环管与落料管连接端为直管，回环管与导料槽连接端为弧型管，回环管断面均为圆形，回环管直管开口倾斜向下；压力喷嘴在万向节上，压力喷嘴与万向节均匀布置在回环管管壁上，压力喷嘴与回环管管壁成一定角度；装置工作时，回环管中的一部分空气跟随水雾运动，在回环管产生负压，部分含尘气流在该负压的作用下从回环管与导料槽接口流入回环管，再从落料管与回环管接口离开回环管，完成转载点循环控尘；水动力装置均使用高压胶管连接。
一种适用于转载点负压循环卷吸控尘装置

[发明专利]竖直晶体管-CN202111029910.9在审
发明人：李宜芳;刘鸿威;陆宁;A·A·卡恩德卡尔;J·B·赫尔;S·博尔萨里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种竖直晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直位于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区与所述沟道区具有顶部界面，且所述底部源极/漏极区与所述沟道区具有底部界面。所述沟道区是结晶的，且其晶粒具有小于20纳米的平均晶粒度。所述顶部界面处或所述底部界面处的所述沟道区具有比竖直位于所述顶部及底部界面处的所述晶粒之间的所述沟道区中的所述晶粒的体积大的水平织构。公开其它实施例及方面。
竖直晶体管

[发明专利]一种混合分配型超细螺旋式喷雾装置-CN202210011502.9在审
发明人：白淼;刘鸿威;荆德吉;张天;赵树理 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B01D47/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合分配型超细螺旋式喷雾装置，包括螺旋气压喷头、对轴超细雾化喷嘴、气体分配器及气液混合分配器，其通过内部对轴超细雾化喷嘴可产生超细螺旋式喷雾，并且在螺旋气压喷头前端内部圆台结构的角度及螺旋气孔的调节下和高压进气口进入的高压气流的供能下可以达到理想的螺旋效果，能够高效捕捉和抑制所要治理的粉尘污染，通过系统控制气体分配器和气液混合分配器可以达到多种液体及气体的比例调节式螺旋喷雾效果，可以应用于各种工作面和针对各种特殊性粉尘污染问题进行解决，能有效治理不同工作环境下的粉尘污染，并且能够针对各种领域进行作业工作，实现自动智能化应用。
一种混合分配型超细螺旋式喷雾装置

[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法-CN202080055910.3在审
发明人： M·纳哈尔;V·N·安东诺夫;K·M·考尔道;M·米奇;刘鸿威;J·B·赫尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管，其包括顶部源极/漏极区域、底部源极/漏极区域、垂直位于所述顶部源极/漏极区域与所述底部源极/漏极区域之间的沟道区域，及以操作方式横向邻近所述沟道区域的栅极。所述沟道区域是结晶的且包括多个垂直伸长晶粒，所述垂直伸长晶粒个别地直接抵靠所述顶部源极/漏极区域及所述底部源极/漏极区域中的两个。本发明公开其它实施例，包含方法。
晶体管形成方法

[发明专利]集成电路，用于制造垂直晶体管的方法，和用于制造集成电路的方法-CN202111084908.1在审
发明人： M·R·拉斯卡尔;J·B·赫尔;刘鸿威 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11509 文献下载
摘要：本申请案涉及集成电路，用于制造垂直晶体管的方法，和用于制造集成电路的方法。集成电路包括电子组件。绝缘二氧化硅邻近所述电子组件。所述绝缘二氧化硅具有(a)和(b)中的至少一者，其中：(a)：0.002到0.5原子百分比的元素形式H的平均浓度；和(b)：0.005到0.3原子百分比的元素形式N的平均浓度。本发明揭示包含方法的其它实施例。
集成电路用于制造垂直晶体管方法

[发明专利]垂直晶体管，集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法-CN202111090814.5在审
发明人： 刘鸿威;V·N·安东诺夫;A·A·恰范;D·F·范;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔;M·R·拉斯卡尔;A·廖;X-F·林;M·纳哈尔;I·V·瓦西里耶沃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及一种垂直晶体管、集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法。一种形成垂直晶体管的方法，所述垂直晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、垂直地位于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区，以及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极，所述方法包括在多个时间间隔的微波退火步骤中，使至少所述沟道区微波退火。所述多个时间间隔的微波退火步骤使所述沟道区中的元素形式H的平均浓度从其在所述多个时间间隔的微波退火步骤开始之前的情况降低。元素形式H的所述降低的平均浓度为0.005到小于1原子百分比。本发明揭示结构实施例。
垂直晶体管集成电路以及形成方法

[发明专利]晶体管及形成集成电路系统的方法-CN202080056191.7在审
发明人： 刘鸿威;S·查杰德;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064pm3内的平均晶体尺寸。公开包含方法的其它实施例。
晶体管形成集成电路系统方法

[发明专利]一种超音速自螺旋微雾降尘装置-CN202111345657.8在审
发明人：荆德吉;马纪闯;张天;任帅帅;赵树理;刘鸿威;宋嘉慧 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B01D47/08 文献下载
摘要：一种超音速自螺旋微雾降尘装置，包括进气总管、进水总管、分气罐、分水罐、进气支管、进水支管、第一旋转接头、第二旋转接头、超音速雾化喷头、喷头安装架及装置固定架；进气总管通过第一旋转接头与分气罐相连通，分气罐通过进气支管与超音速雾化喷头相连；进水总管密封穿过进气总管、第一旋转接头和分气罐，进水总管通过第二旋转接头与分水罐相连通，分水罐通过进水支管与超音速雾化喷头相连；超音速雾化喷头通过万向转接架连接在喷头安装架上，喷头安装架同时与分气罐和分水罐固连；装置固定架连接在进气总管上；多个超音速雾化喷头在喷头安装架沿周向均匀分布且喷射角相同，喷头安装架由喷雾反作用力驱动旋转，各路喷雾相互耦合形成涡旋雾场。
一种超音速螺旋降尘装置

[发明专利]一种自吸式低微米级气动磁雾喷头-CN202110952797.5在审
发明人：荆德吉;刘鸿威;张天;白淼;赵树理;马明星;孟祥曦;任帅帅;蒋卓;于涛;贾鑫;王志恒 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B05B1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种自吸式低微米级气动磁雾喷头，包括外保护壳、高压气流管、注水针保护帽、注水针及梭形体注水装置；其能够产生自吸式效果，不仅可以彻底去掉注水能耗和水泵磨损，还可以进一步提高节水性能；并且在相同供水量的情况下，该喷头所产生的雾滴粒径更小，雾化粒子量更大，而且射程范围更广更长，能够进一步提高空气能的使用效率，同时减少空气压缩泵的压力需求和损耗程度；内部强效磁环和波纹型磁环所形成的磁场对液体可以产生磁化效果，空气在通过折式管腔道段时无需额外提供超声振动能量便可形成超音速气流，液滴粒度可达2.5微米级，大幅度提高了对呼吸性粉尘的捕获能力。
一种吸式低微米气动喷头

[发明专利]一种园区智能配送车-CN201710549302.8有效
发明人：陈为民;曾惠芳;罗迎;王超凡;任云龙;苟洪梅;王慧琪;刘雨婷;王鹤;陈湘洲;司京艳;周志强;蔡畅;刘鸿威;杨程 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G06Q10/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种园区智能配送车，包括司机终端、货主终端和货车配送系统数据库，所述司机终端设有信息接收提醒，司机终端和货主终端皆设有GPS定位系统，所述货车配送数据库设有实时地理位置系统、消息输送平台以及服务界面，消息输送平台输送货车配送信息给所述司机终端，消息输送平台输送空车信息给所述货主终端，消息输送平台将服务界面发出的指令传送给货车配送数据库进行数据处理，经过数据处理后反馈给司机终端。该智能配送车提出了园区货车共享的新概念。其包含了专车、拼车、租车等一系列功能，用一个平台有效取代多个繁琐复杂的共享平台。
一种智能配送

[发明专利]一种可控性指向性煤矿巷道除尘设备-CN202110360117.0在审
发明人：荆德吉;刘鸿威;张天;马明星;蒋卓;孟祥曦;任帅帅;贾鑫;王志恒;于涛;安日娜;贾荞溪;庞星宇 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： E21F5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控性指向性煤矿巷道除尘设备，由喷水柱、箱体、控制器、激光感测器、滑轨车、通风过滤风箱构成。主要由中心箱体顶部激光感测器和控制器来实现工作，主要原理为激光感测器对滑轨车前方或者上方粉尘浓度进行感测，将粉尘浓度信号传递给控制器，当感测到粉尘浓度在不同范围时，控制器会实行不同的指令来针对所要做的降尘工作，并且车体内部设有除尘过滤风箱来进一步清除，并经过过滤产生新鲜的流动空气回流到巷道内，加强对人员和设备的保护。
一种可控性指向煤矿巷道除尘设备

[发明专利]半导体结构形成-CN202011211016.9在审
发明人：胡申;刘鸿威;李晓;解志强;C·施塔勒;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔;T·A·菲古拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及半导体结构形成。实例设备包含形成衬底材料的工作表面。所述实例设备包含形成于所述衬底材料的所述工作表面上的两个半导体结构之间的沟槽。所述实例设备进一步包含形成于与分离第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域的沟道区域对置的所述半导体结构的相邻侧壁上的存取线。所述实例设备进一步包含形成于所述半导体结构的所述侧壁的一部分之上的时控形成抑制剂材料。所述实例设备进一步包含形成于所述半导体结构之上以围封所述存取线之间的非实心空间的电介质材料。
半导体结构形成

[发明专利]NAND存储器阵列、包括半导体沟道材料及氮的装置以及形成NAND存储器阵列的方法-CN201880046100.4在审
发明人： C·M·卡尔森;刘鸿威;李杰;D·帕夫洛珀罗斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一些实施例包含装置，所述装置具有通过介电区域与半导体沟道材料间隔开的栅极，并且具有直接抵靠所述半导体沟道材料且位于所述半导体沟道材料的与所述介电区域相对的侧上的含氮材料。一些实施例包含一种装置，所述装置具有通过介电区域与半导体沟道材料间隔开的栅极，且具有位于所述半导体沟道材料中的至少一些半导体沟道材料内的氮。一些实施例包含一种NAND存储器阵列，所述NAND存储器阵列包含交替的绝缘层级与字线层级的垂直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠垂直延伸。电荷存储材料位于所述沟道材料与所述字线层级之间。介电材料位于所述沟道材料与所述电荷存储材料之间。氮位于所述沟道材料内。一些实施例包含形成NAND存储器阵列的方法。
nand 存储器阵列包括半导体沟道材料装置以及形成方法

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