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[发明专利]对接机构及阀装置-CN202210270189.0在审
发明人：刘果;刘小菡 -专利权人：南京菡束环保设备有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： F16K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对接机构及阀装置，其技术方案要点是包括阀基座，阀基座内开设有导阀腔；对接阀套，对接阀套设置于所述导阀腔内，并一端从阀基座中穿出，对接阀套穿出阀基座的端部形成有阀口；顶芯，顶芯沿对接阀套轴向设置；施力组件，施力组件设置于导阀腔外，并与阀基座连接，施力组件设置于阀基座的外侧，施力组件还与对接阀套连接，施力组件用于提供控制对接阀套与顶芯抵触并密闭阀口的密闭力。本发明一种对接机构及阀装置，具有以通过腔外施力的方式提供密闭力，从而获得圆滑的流道，不易出现液体被节流的效果。
对接机构装置

[发明专利]滤芯智能安装系统-CN202111431632.X在审
发明人：刘果;刘小菡 -专利权人：南京菡束环保设备有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B01D35/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤芯智能安装系统，其技术方案要点是包括提供壳体，安装于壳体内的芯腔，滤芯上开设有锁紧槽，设置于壳体上的驱动机构，驱动机构连接有限位构件；智能安装系统包括触控模块，触控模块包括开关件，滤芯安装时触控开关件，开关件控制驱动机构驱动限位构件锁紧滤芯，触控模块还包括主控单元，触发主控单元时，驱动机构驱动限位构件转动并提供顶出滤芯的顶出力。本发明提供一种滤芯智能安装系统，该安装系统能够智能化的方便快速对滤芯进行拆装。
智能安装系统

[发明专利]滤芯安装结构-CN202111431686.6在审
发明人：刘果;刘小菡 -专利权人：南京菡束环保设备有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B01D35/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤芯安装结构，其技术方案要点是包括用于设置于壳体上的开关件，还包括限位构件、驱动机构，驱动机构设置于壳体上，限位构件与驱动机构连接，滤芯上开设有锁紧槽，限位构件包括多个锁紧位，多个锁紧位包括第一锁位、第二锁位、第三锁位，限位构件于第一锁位时，供滤芯安装至壳体内，滤芯安装至壳体内时触控开关件，驱动机构控制限位构件运动至第二锁位并锁紧滤芯；当驱动机构带动限位构件运动至第三锁位时，限位构件提供顶出滤芯的顶出力。本发明具有在滤芯安装后不易出现轴向以及周向位移，并实现智能控制拆装的效果。
安装结构

[发明专利]Cu-Im/CF微电极的制备及其对多巴胺的电化学检测应用-CN202310674257.4在审
发明人：朱烨;施佳源;刘小菡 -专利权人：山东大学深圳研究院;山东大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明属于电化学生物传感器领域，提供了Cu‑ImCF微电极的制备及其对多巴胺的电化学检测应用。将1‑乙基‑3‑甲基咪唑(EMI)通过电化学聚合的方式聚合在碳纤维上，并通过旋蒸将硝酸铜与聚咪唑进行配位，成功制备了有Cu‑Im纳米酶修饰的碳纤维材料，并将其制备成微电极用于多巴胺的电化学检测。制备的Cu‑Im碳纤维微电极与裸的碳纤维微电极相比，用Cu‑Im碳纤维微电极检测多巴胺获得了明显的多巴胺氧化信号，并且具备良好的选择性、稳定性和灵敏度。
cu im cf 微电极制备及其多巴胺电化学检测应用

[实用新型]对接阀座-CN202220603775.8有效
发明人：刘果;刘小菡 -专利权人：南京菡束环保设备有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： F16K1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种对接阀座，其技术方案要点是包括阀体，所述阀体一端穿设至壳体内，所述阀体穿设至壳体内的部分开设有出水口；锁紧件，所述锁紧件与阀体连接，且用于锁紧壳体与阀体，所述锁紧件上开设有与出水口连通的通水槽口；阀芯，所述阀芯同轴设置于阀体内；阀孔件，所述阀孔件设置于所述阀体内；阀控组件，所述阀控组件用于控制阀芯与阀孔件的密封或打开，所述阀芯与阀孔件密封时阻断出水口。本实用新型一种对接阀座，具有阀芯轴向位移行程大，满足阀头与阀孔件之间更大的开度需要，且不会出现泄漏的效果。
对接

[发明专利]低击穿电压温度系数的Trench MOSFET器件及制备方法-CN202111259941.3有效
发明人：李泽宏;刘小菡;黄龄萱;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低击穿电压温度系数的Trench MOSFET器件及制备方法，包括P+衬底、金属化漏极、P‑漂移区、金属化源极、氧化层、栅电极、N‑掺杂区、P+重掺杂区、N+重掺杂区、金属化源极；本发明有效解决了Trench MOSFET穿通击穿电压随温度升高而增大所带来的可靠性问题。显然，上述中所有的P型区与所有的N型区均可对换，对换后成为一种导电类型相反的器件。该结构还可为其他结构相似器件，提供实现低击穿电压温度系数的关键技术。
击穿电压温度系数 trench mosfet 器件制备方法

[发明专利]击穿电压温度系数可调的SGT-MOSFET器件及制备方法-CN202111261587.8有效
发明人：李泽宏;王彤阳;刘小菡;黄龄萱 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种击穿电压温度系数可调的SGT‑MOSFET器件及制备方法，包括P+衬底、金属化漏极、P‑漂移区、氧化层、金属化源极、控制栅电极和屏蔽栅电极、N‑掺杂区、P+重掺杂区、N+重掺杂区、金属化电极；本发明所提供的一种击穿电压温度系数可调的SGT‑MOSFET器件，有效解决了SGT‑MOSFET穿通击穿电压随温度升高而增大所带来的可靠性问题。显然，本发明中所有的N型区和P型区可完全对换，对换后形成导电类型相反的器件。
击穿电压温度系数可调 sgt mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种半导体纵向器件及制备方法-CN202111261484.1有效
发明人：李泽宏;王彤阳;黄龄萱;刘小菡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体纵向器件及制备方法，包括：漏极、P型半导体衬底、P型漂移区、N型半导体体区、P型半导体源区、N型半导体掺杂区、电阻控制栅极、氧化层、控制栅极、屏蔽栅极、源极；本发明在器件中引入电阻区用于补偿Trench MOS的击穿电压温度系数，使得器件的击穿电压温度系数极小，击穿电压随温度变化基本不变，适用于严苛的温度环境中。同时，使用本发明提出的一种半导体纵向器件，不需要额外的击穿电压温度补偿电路，降低整体功耗。
一种半导体纵向器件制备方法

[发明专利]击穿电压温度系数可调的Trench MOSFET器件及制备方法-CN202111261810.9有效
发明人：李泽宏;王彤阳;刘小菡;黄龄萱 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种击穿电压温度系数可调的Trench MOSFET器件及制备方法，包括P+衬底、金属化漏极、P‑漂移区、氧化层、金属化源极、栅电极、N‑掺杂区、P+重掺杂区、N+重掺杂区；本发明有效解决了Trench MOSFET穿通击穿电压随温度升高而增大所带来的可靠性问题。显然，本发明中所有的N型区和P型区可完全对换，对换后形成导电类型相反的器件。
击穿电压温度系数可调 trench mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种半导体纵向器件及制备方法-CN202111263472.2有效
发明人：李泽宏;黄龄萱;刘小菡;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体纵向器件及制备方法，包括漏极、P型半导体衬底、P型漂移区、N型半导体体区、P型半导体源区、N型半导体掺杂区、电阻控制栅极、氧化层、控制栅极、源极；本发明在器件中引入电阻区用于补偿Trench MOS的击穿电压温度系数，使得器件的击穿电压温度系数极小，击穿电压随温度变化基本不变，适用于严苛的温度环境中。同时，使用本发明提出的一种半导体纵向器件，不需要额外的击穿电压温度补偿电路，降低整体功耗。
一种半导体纵向器件制备方法

[实用新型]过滤元件及过滤装置-CN202221672357.0有效
发明人：刘果;刘小菡 -专利权人：南京菡束环保设备有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C02F1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种过滤元件及过滤装置，该过滤元件包括：过滤主体部件，其包括多个平直叠置的滤膜，每个滤膜包括相对的两个膜片，每个滤膜的两个膜片之间限定出平直的净水流道，每相邻的两个滤膜之间限定出平直的浓水流道；在过滤主体部件的至少一个侧边通过使与该侧边所对应的浓水流道的边缘封闭以及净水流道的边缘敞口而构造出净水出口；在过滤主体部件的另两个侧边通过使与该两个侧边所对应的净水流道的边缘封闭以及净水流道的边缘敞口而分别构造出原水进口和浓水出口；片状部件，其布置于净水流道以及浓水流道中；封装部件，净水出口所对应的过滤主体部件的侧边连接至封装部件，封装部件用于形成与净水出口连通的净水收集腔。
过滤元件装置

[发明专利]一种复合型万牛米级高承载紧凑型精密减速装置-CN202211168922.4在审
发明人：常乐;黄玉成;尹滦;柴林;韩忠皓;吕振玉;刘小菡 -专利权人：天津旗领机电科技有限公司
申请日： 2022-09-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F16H57/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合型万牛米级高承载紧凑型精密减速装置，特点为：行星架固装于机架的一个安装腔内，行星架具有中心孔和圆周均布的三组轴承安装孔，在中心孔处设有内轴承安装台，并在其外圈上设有两个外轴承安装台；输入轴经输入轴支撑轴承与内轴承安装台部位配合；三个曲柄轴通过安装在两轴端部的轴承分别支撑于三组轴承安装孔内；三个曲柄轴分别通过一同步轮与输入轴上的外齿啮合；两片摆线轮通过三个驱动孔分别与三个曲柄轴的两侧偏心外圆部相对转动式配合；针齿壳经针齿销与两片摆线轮的外圈啮合，并通过两支撑轴承与两外轴承安装台配合；输出齿轮转动支撑于机架另一安装腔内，并与针齿壳的外齿啮合。本发明实现了平行式输出、强过载和紧凑化。
一种复合型万牛米级高承载紧凑型精密减速装置

[实用新型]具有清洗功能的净水系统-CN202221794169.5有效
发明人：刘果;刘小菡 -专利权人：南京菡束环保设备有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C02F9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有清洗功能的净水系统包括：第一过滤装置，其包括浓水侧和净水侧，净水侧具有原水进口和浓水出口，净水侧具有净水出口；浓水排放调节阀，其直接或者间接连接至所述第一过滤装置的浓水出口，所述浓水排放调节阀至少具有排放口；容器，其用于暂存净化水，其具有与内部连通的气嘴，所述容器的位置配置成高于所述第一过滤装置；第一清洗管路，其连接于所述第一过滤装置的净水出口与所述容器之间；气泵，其借由气管连接至所述气嘴；当需要清洗时：所述容器中的净化水依靠重力势能反向供入所述第一过滤装置的净水侧和/或所述气泵通过向所述容器中泵入气体而压迫所述容器中的净化水供入所述第一过滤装置的净水侧。
具有清洗功能净水系统

[发明专利]具有电压检测功能的功率半导体器件-CN202211052581.4在审
发明人：李泽宏;杨洋;赵一尚;黄龄萱;夏梓铭;王彤阳;刘小菡;陈雨佳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供具有电压检测功能的功率半导体器件，包括：集成在同一衬底上的功率IGBT器件、过渡区器件和IGBT电压检测器件；可以通过检测电压引出端得到与功率IGBT器件集电极电压变化趋势相同的电压，及时反馈，且不用额外增加器件的面积。采用与器件同一套工艺流程集成电压检测结构，电压检测结构与原器件的兼容性好，不需要额外的电压检测电路，能减小整体面积，降低功耗成本。同时，集成在IGBT电压检测器件区的电压检测电容与寄生电容并联能够保证采样点电压更低，兼容更低压的模拟控制电路对采样信号进行处理，进一步优化了设计成本和器件兼容性。
具有电压检测功能功率半导体器件

[发明专利]浓水分配比例调节阀-CN202210609414.9在审
发明人：刘果;刘小菡 -专利权人：南京菡束环保设备有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： F16K11/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种浓水分配比例调节阀，包括：阀体，其内形成有柱状腔，阀体具有切向导入至柱状腔的进液口、用于使浓水回流的第一出液口、用于使浓水排放的第二出液口；阀板，其设置在柱状腔的端部；阀孔系，其包括不同通流截面的多个阀孔，多个阀孔周向间隔排布的开设在阀板上；阀芯控制机构，其包括贴附于阀板的盘状阀芯以及用于驱动盘状阀芯转动的驱动部件，盘状阀芯上开设有镂空部，通过转动盘状阀芯而使镂空部择一性地与其中一个阀孔相对而使该阀孔打开；其中：盘状阀芯与阀板相对的盘面上开设有导流槽，使得：在镂空部将阀孔系中任意一个阀孔打开后，导流槽至少将其余的阀孔中的若干阀孔的内端进行连通。
水分配比调节

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