专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种水解酸化滤池-CN202223515369.5有效
  • 姜祝明;王明军;邹子健;刘安鸿;姜义;骆宇成;周彩娟;褚舒凡 - 江苏欧亚华都环境工程有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-04-28 - C02F3/28
  • 本实用新型公开了一种水解酸化滤池,涉及水解酸化滤池技术领域,为解决现有技术中的水解酸化滤池需要将滤池内添加药剂,但是药剂污水的内部混合效果不够均匀,需要长时间的静置,处理效率低的问题。所述水解酸化滤池的内部安装有转轴,且转轴与水解酸化滤池通过轴承转动连接,所述转轴的外侧安装有搅拌叶,且搅拌叶与转轴通过紧固螺丝固定连接,所述搅拌叶设置有若干个,所述水解酸化滤池的内部安装有密封传动箱,且密封传动箱与水解酸化滤池通过密封螺丝固定连接,所述密封传动箱的内部设置有传动轴,所述传动轴与水解酸化滤池通过轴承转动连接。
  • 一种水解酸化滤池
  • [发明专利]晶圆结构、芯片结构以及堆迭型芯片结构-CN201210156433.7无效
  • 刘安鸿;黄士芬;李宜璋;黄祥铭 - 南茂科技股份有限公司
  • 2012-05-18 - 2013-09-25 - H01L23/544
  • 一种晶圆结构、芯片结构以及堆迭型芯片结构。晶圆结构包括一半导体基底、多个穿硅导孔、多个测试接垫及多条重配置导电迹线。半导体基底具有一主动表面、一背表面及多条将半导体基底分隔成多个芯片单元的切割道。穿硅导孔位于芯片单元内且贯穿半导体基底,并使半导体基底的主动表面与背表面相互电性连接。每一穿硅导孔的一第一端与一第二端分别位于半导体基底的主动表面与背表面。测试接垫配置于半导体基底的背表面上且位于切割道内。重配置导电迹线配置于半导体基底的背表面上。重配置导电迹线分别从芯片单元延伸至切割道内,且分别连接穿硅导孔的第二端与测试接垫。
  • 结构芯片以及堆迭型
  • [发明专利]多芯片封装体-CN201210171828.4无效
  • 刘安鸿;黄士芬;李宜璋;黄祥铭 - 南茂科技股份有限公司
  • 2012-05-29 - 2013-09-18 - H01L23/498
  • 一种多芯片封装体包括一承载器、一第一芯片、一第二芯片、多个第一凸块、多个第二凸块、一光学基板以及一框胶。第一芯片具有一第一主动表面、多个位于第一主动表面上的信号垫、一与第一主动表面相对的背面、一位于背面上的凹陷以及多个贯穿第一芯片的导孔,信号垫与导孔电性连接。第二芯片位于凹陷内且具有一第二主动表面。导孔透过配置于第一芯片的背面与承载器之间的第一凸块与承载器电性连接。第二芯片透过配置于第二主动表面与承载器之间的第二凸块与承载器电性连接。光学基板覆盖第一主动表面,且框胶配置于光学基板与第一芯片之间。
  • 芯片封装
  • [发明专利]探针卡-CN201210092909.5有效
  • 刘安鸿;李宜璋;黄祥铭;黄士芬 - 南茂科技股份有限公司
  • 2012-03-23 - 2013-06-05 - G01R1/073
  • 本发明关于一种用以对一芯片堆迭结构进行电性测试的探针卡,包含一电路板、组装于电路板上并与之电性连接的一探针头、以及设置于探针头上,分别具有多个第一垂直探针及多个第二垂直探针的一第一探针组及一第二探针组。所述多个第一垂直探针位于探针头的一内部区域,用以探触芯片堆迭结构的至少一芯片的多个直通硅晶穿孔电极,所述多个第二垂直探针位于探针头的一外部区域,用以探触芯片堆迭结构的一基板的多个测试端点。
  • 探针
  • [发明专利]半导体组件堆栈结构测试方法-CN201110372934.4无效
  • 易继铭;刘安鸿;黄祥铭;李宜璋 - 南茂科技股份有限公司
  • 2011-11-08 - 2013-03-06 - H01L21/66
  • 本发明提供一种半导体组件堆栈结构测试方法。此方法包含的步骤有:提供有多个测试接点的测试底板与探针卡、提供设置于测试底板上的基板及和多个半导体组件、自前述多个半导体组件中取出一个半导体组件,固接于基板上,使其与基板电性连接,接着继续取出另一个半导体组件,固接于前一个半导体组件之上,并使后取出的半导体组件的与前一个半导体组件电性连接、再将探针卡接触后取出的半导体组件进行电性测试,重复堆栈固接半导体组件及电性测试的步骤,直至所有半导体组件全部测试完毕,藉此可确保半导体组件间的电性连接的稳定性。
  • 半导体组件堆栈结构测试方法
  • [发明专利]多晶粒堆栈封装结构-CN201010231510.1有效
  • 王伟;刘安鸿;黄祥铭;杨佳达;李宜璋 - 南茂科技股份有限公司
  • 2010-07-08 - 2012-01-11 - H01L23/52
  • 一种多晶粒堆栈封装结构,包括一个基板,其上表面上定义晶粒设置区及配置有多个接点,这些接点位于晶粒设置区之外;第一晶粒,具有一有源面及一背面,并以背面设置于晶粒设置区,其有源面上配置有多个第一焊垫且第一焊垫上形成一第一凸块;多条金属导线,用以连接第一凸块至接点;第二晶粒,具有一有源面及一背面,其有源面上配置有多个第二焊垫,第二焊垫上形成一个第二凸块,第二晶粒以有源面面对第一晶粒的有源面接合第一晶粒,使第二凸块分别对应连接金属导线及第一凸块;封胶体,用以覆盖基板、第一晶粒、第二晶粒及金属导线。
  • 多晶堆栈封装结构
  • [发明专利]硅晶圆结构及多晶粒的堆栈结构-CN201010213323.0无效
  • 王伟;刘安鸿;黄祥铭;李宜璋 - 南茂科技股份有限公司
  • 2010-06-17 - 2011-12-21 - H01L23/522
  • 一种硅晶圆结构,包括第一表面及相对第一表面的第二表面,第一表面上形成有多个晶粒区,每一晶粒区形成有多个硅贯通孔,而硅贯通孔连通第一表面及第二表面,于硅贯通孔中形成一硅贯通孔电极结构,其中每一硅贯通孔电极结构包括:一介电层,形成于硅贯通孔的内壁上;一阻障层,形成于介电层的内壁上,并界定出一填充空间;一充填金属层,填充于填充空间中,充填金属层的第一端低于第一表面而形成一凹槽;一柔性金属凸块,连接并覆盖充填金属层的第一端,其中部份柔性金属凸块形成于凹槽中。通过此柔性金属凸块的应用,可提高多晶粒堆栈封装结构的可靠度。
  • 硅晶圆结构多晶堆栈

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