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[发明专利]半导体装置、电力转换装置及控制系统-CN202210637520.8在审
发明人： 冲川满;奥井富士雄;樋口安史;雨堤耕史;柴田英高;加藤勇次;寺井睦 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述高电阻层的底面与所述n+型半导体层的上表面之间的距离小于1.5μm，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上。
半导体装置电力转换控制系统

[发明专利]半导体装置、电力转换装置及控制系统-CN202210638429.8在审
发明人： 冲川满;奥井富士雄;樋口安史;雨堤耕史;柴田英高;加藤勇次;寺井睦 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上，所述高电阻层中嵌入所述n‑型半导体层中的部分的深度d(μm)满足d≥1.4。
半导体装置电力转换控制系统

[发明专利]半导体元件和半导体装置-CN202180013128.X在审
发明人：松原佑典;今藤修;安藤裕之;竹原秀树;四户孝;冲川满 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。
半导体元件装置

[发明专利]半导体元件和半导体装置-CN202180013173.5在审
发明人：松原佑典;今藤修;安藤裕之;竹原秀树;四户孝;冲川满 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。
半导体元件装置

[发明专利]半导体装置和半导体系统-CN202080064681.1在审
发明人： 冲川满;樋口安史;松原佑典;今藤修;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：提供了一种对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的由半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层、肖特基电极和绝缘体层，在所述半导体层的一部分和所述肖特基电极之间设置有所述绝缘体层，所述半导体层包含结晶性氧化物半导体，所述绝缘体层具有10°以下的锥形角。
半导体装置系统

[发明专利]层叠结构体和半导体装置-CN202080064671.8在审
发明人： 冲川满;樋口安史;松原佑典;今藤修;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种层叠结构体和使用层叠结构体的半导体装置，该层叠结构体对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷。一种层叠结构体，通过在半导体膜的一部分上层叠有绝缘体膜而成，所述半导体膜具有刚玉结构，并且包含结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体含有选自元素周期表第9族和第13族中的一种或两种以上的金属，所述绝缘体膜具有20°以下的锥形角。
层叠结构半导体装置

[发明专利]结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法-CN202080059351.3在审
发明人：河原克明;大岛祐一;冲川满 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种结晶膜，其包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层，从而得到位错密度为1×107cm‑2以下且表面积为10mm2以上的结晶膜。
结晶包含半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202080052697.0在审
发明人： 冲川满;樋口安史;松原佑典 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种特别对于功率器件有用的、抑制了漏电流的低损耗的半导体装置。一种半导体装置，包含：半导体层；介电膜，形成在所述半导体层上，且具有开口部，在距离所述开口部至少0.25μm以上的范围而形成；和电极层，在从所述开口部的内部直至所述介电膜的一部分或全部之上而形成，其中，从所述开口部到0.25μm以上的距离的所述介电膜的膜厚小于50nm，所述介电膜的相对介电常数在5以下。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080052650.4在审
发明人： 冲川满 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：提供一种特别对于功率器件有用的、抑制了漏电流的低损耗的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层和肖特基电极，所述半导体层包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极包含第一电极层和导电率高于第一电极层的第二电极层，其中，第二电极层的外端部经由第一电极层与所述半导体层电连接，第一电极层的外端部位于比电连接的第二电极层的电连接区域的外端部更外侧的位置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体系统-CN202011271959.0在审
发明人：雨堤耕史;则松和良;冲川满 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及半导体系统。本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。半导体装置包括：结晶性氧化物半导体层；和与所述结晶性氧化物半导体层电连接的至少一个电极，在所述结晶性氧化物半导体层的第一面具有至少一个沟槽，所述沟槽包括底面、侧面及所述底面与所述侧面之间的至少一个圆弧部，所述圆弧部的曲率半径在100nm～500nm的范围内，所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度为90°以上。
半导体装置系统

[发明专利]图像处理装置、摄像装置、图像处理方法以及图像处理程序-CN201380075066.0在审
发明人： 冲川满 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： G03B17/18 文献下载
摘要：提供一种能够容易地在视觉上识别是否处于对焦状态的图像处理装置、摄像装置、图像处理方法以及图像处理程序。生成部(28B)生成基于从摄像元件输出的图像信号的第1显示用图像以及基于第1以及第2图像信号的第2显示用图像。确定部(28C)确定由生成部(28B)生成的第2显示用图像中的满足第1条件以及第2条件这两种条件的图像区域。然后，将第2显示用图像中的由确定部(28C)确定的图像区域显示成能够与其他区域相区别。此处，第1条件是指对比度的大小为第1预定值的一例以上的条件，第2条件是指第1图像与第2图像的一致度为第2预定值以上的条件。
图像处理装置摄像方法以及程序

[发明专利]摄像元件及摄像装置-CN201380029917.8有效
发明人： 冲川满 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：摄像元件(5)具有在行方向(X)和与该行方向正交的列方向(Y)上以格子状配置的多个像素单元(50)(R、G、B像素单元)。在各像素单元行中，以检测同色光的两个像素单元(50)为对，该对连续配置。对应在行方向(X)上相邻的每两个像素单元(50)，设有一个微透镜ML(51)。ML(51)的排列为以下排列：位于奇数行的像素单元行的ML(51)相对于位于偶数行的像素单元行的ML(51)在行方向(X)上错开各像素单元行中的ML(51)的排列间距的1/2，在各ML(51)的下方配置检测不同颜色的光的两个光电转换部。
摄像元件装置

[发明专利]固体摄像元件、摄像装置及固体摄像元件的驱动方法-CN201380017512.2有效
发明人：河合智行;冲川满 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：固体摄像元件(5)具备分别呈拜耳状排列的像素单元(53(1)～(4))。G像素单元(53(2))配置在G像素单元(53(1))的右相邻位置，G像素单元(53(3))配置在G像素单元(53(2))的下相邻位置，G像素单元(53(4))配置在G像素单元(53(3))的右相邻位置。
固体摄像元件装置驱动方法

[发明专利]固体摄像装置-CN201280065009.X有效
发明人： 冲川满;林健吉;田中诚二 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H04N9/07 文献下载
摘要：在得到立体视用的图像的固体摄像装置中，实现高分辨率化，并减少伪色。滤色器阵列(20)具有G滤光片、R滤光片、B。这些滤光片中的任一种滤光片与成对的相位差像素对应，包括G、R、B各滤光片的基本排列图案(BP1)在水平和垂直方向上重复配置。最有助于取得亮度信息的G滤光片配置在像素排列的水平方向(X方向)、垂直方向(Y方向)和倾斜方向(DL方向、DR方向)的各行上。R滤光片和B滤光片分别配置于倾斜方向的各行上。G滤光片的数量比R滤光片、B滤光片各自的数量多。
固体摄像装置

[发明专利]固态成像元件、其驱动方法和成像装置-CN201280023450.1无效
发明人： 冲川满;河合智行;岩崎洋一;小田和也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：提供了一种包括相差AF功能和单眼3D成像功能的固态图像捕捉装置，其中能够适当地读出每一个像素的信号。像素对(25)设立有第一像素读出晶体管(40)、第二像素读出晶体管(41)、电荷积聚单元(42)、重置晶体管(43)、放大器晶体管(44)、和行选择晶体管(45)。第一像素读出晶体管(40)读出第一像素(21)的信号电荷。第二像素读出晶体管(41)读出第二像素(22)的信号电荷。电荷积聚单元(42)暂时地积聚从每一个像素读出的信号电荷。重置晶体管(43)重置电荷积聚单元(42)。放大器晶体管(44)将在电荷积聚单元(42)中积聚的信号电荷转换到信号电压，并且输出该信号电压。行选择晶体管(45)选择信号电压从其被转移到垂直信号线(50)的行。
固态成像元件驱动方法装置

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