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[发明专利]一种AlSb薄膜太阳能电池潮解抑制方法-CN202310831311.1有效
发明人：黎敏强;黎兵;熊小勇;李秀玲;高凤英;曾广根;李卫;冯良桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种AlSb薄膜太阳能电池潮解抑制方法，能够长时间有效地抑制AlSb薄膜太阳能电池潮解。包括一种AlSb薄膜太阳能电池潮解抑制方法，包括以下步骤：S1、采用磁控溅射方法在真空室内将AlSb薄膜沉积在FTO衬底上；S2、保持步骤S1得到的样品在真空环境中，在AlSb薄膜上沉积Ni金属薄膜层；S3、步骤S2完成后，将样品从真空室中取出，放置在培养皿内，立即将准备好的丙烯酸树脂溶液喷涂反复改在Ni金属薄膜层上，静置等待丙烯酸树脂溶液干燥成膜；S4、将步骤S3中得到的FTO/AlSb/Ni/丙烯酸树脂重新放置到磁控溅射真空室中，常温下沉积第二层Ni金属薄膜；丙烯酸树脂由全氟烷基丙烯酸酯和甲基丙烯酸烷基酯制备而成。
一种 alsb 薄膜太阳能电池潮解抑制方法

[发明专利]一种II-VI族化合物薄膜/硅并联叠层的太阳电池-CN202310146815.X在审
发明人：曾广根;冯良桓;李卫;杨秀涛;郑雨洁;张鑫 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/043 文献下载
摘要：本发明公开了一种II‑VI族化合物薄膜/硅并联叠层的太阳电池，该太阳电池包括整体厚度小于1微米，光谱响应范围为300nm至690～800nm，透光率可以调整20%～60%的II‑VI族化合物薄膜顶太阳电池，以及基本结构为p‑i‑n或n‑i‑p的晶硅底太阳电池。顶太阳电池与底太阳电池采用并联的方式进行电极连接，并通过透明聚合物材料实现粘接叠层。本发明解决了顶太阳电池制作时的高温过程对底太阳电池的热影响，并避免了复杂隧穿结的制作。本发明能够最大程度地利用太阳电池的成熟制作工艺，节约成本，也能够最大程度地利用太阳光谱300nm～1100nm，满足不同的应用场景，特别是弱光条件下的需求。
一种 ii vi 化合物薄膜并联太阳电池

[发明专利]一种硫属化合物/钙钛矿薄膜双异质结太阳电池-CN202310120551.0在审
发明人：李卫;冯良桓;武莉莉;曾广根 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫属化合物/钙钛矿薄膜双异质结太阳电池，所述双异质结太阳电池的主体是由宽带隙的硫属化合物薄膜作为吸收层的顶电池和由窄带隙的钙钛矿薄膜作为吸收层的底电池构成。顶电池的基本结构为透明导电氧化物薄膜/窗口层/硫属化合物/电子反射层，底电池的基本结构为电子传输层/钙钛矿薄膜/空穴传输层。以这种结构为基础，可以构成两端双结串联结构和四端双结串联结构，还可以构成三端并联结构，而三端并联结构还可以制备成单面太阳电池和双面太阳电池。这一系列太阳电池的主要特点是能提高含有机钙钛矿薄膜的太阳电池的稳定性，使该结构获得的高转换效率得以长期保持。
一种化合物钙钛矿薄膜双异质结太阳电池

[发明专利]一种用于修复碲化镉薄膜砂眼的碳基复合浆料及其应用-CN202211137531.6在审
发明人：曾广根;杨秀涛;王嘉艺;郑雨洁;郝雅宁;赵倩俨;黎兵;张静全;李卫;冯良桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C09D133/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于修复碲化镉薄膜砂眼的碳基复合浆料及其应用，该复合浆料包含以下质量份数的组分：5～20份碳粉、5～20份碲化镉粉、10～20份有机粘接剂、5～20份表面活性剂、1～5份触变剂、5～10份分散剂；所述的碳粉的粒径为5nm～30nm；所述的碲化镉粉的粒径为5nm～20nm。本发明解决了现有技术不能有效地弥补碲化镉薄膜砂眼或缺陷，导致电池成品率较低、制造成本较高的问题。本发明的复合浆料能够有效地填充并修复砂眼，提高太阳电池成品率，降低生产成本。本发明简单易行，采用旋涂法形成中间层，有利于碲化镉薄膜与后序工艺中制备的背接触层之间获得良好的附着力。
一种用于修复碲化镉薄膜砂眼复合浆料及其应用

[发明专利]一种用于硅胶按键的Ag@SiO2-CN202211132927.1在审
发明人：曾广根;郑雨洁;杨秀涛;王嘉艺;郝雅宁;赵倩俨;黎兵;张静全;李卫;冯良桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C09D11/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅胶按键的Ag@SiO2改性导电油墨及其制备方法，该导电油墨包含以下质量份数的组分：300～400份油墨、3～30份SiO2粉末、3～40份Ag@SiO2核‑壳粉末；所述的SiO2粉末的粒径为100nm～5μm；所述的Ag@SiO2核‑壳粉末的粒径为1～10μm。本发明解决了现有导电油墨附着力差、力学性能不佳，导致按键使用寿命较短的问题。本发明制备Ag@SiO2改性导电油墨在维持高导电的同时，增强了导电层与按键的附着力，优化了按键接触区机械性能，提高了按键的使用寿命。
一种用于硅胶按键 ag sio base sub

[发明专利]一种含有复合吸收层的硒化锑薄膜太阳电池-CN202211168328.5在审
发明人：熊小勇;黎兵;黎敏强;李秀玲;高凤英;曾广根;李卫;冯良桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有复合吸收层的硒化锑薄膜太阳电池，具体为含Sb2(S1‑xSex)3/Sb2Se3结构的复合吸收层硒化锑太阳电池，该电池结构从上到下的主要包括：玻璃衬底，在玻璃衬底上依次沉积有透明导电氧化物前电极层、n型窗口层、p型Sb2(S1‑xSex)3半导体层、p型Sb2Se3半导体层以及背电极层；解决了目前单一吸收层的硒化锑太阳电池开路电压偏低导致硒化锑太阳电池性能低下的问题；待申请技术设置的复合吸收层扩展太阳光谱吸收范围，而且避免了梯度掺杂的工艺复杂性。
一种含有复合吸收硒化锑薄膜太阳电池

[发明专利]一种锑化铝薄膜太阳电池-CN202211056744.6在审
发明人：黎敏强;黎兵;熊小勇;李秀玲;高凤英;曾广根;李卫;冯良桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化铝薄膜太阳电池，包所述的异质PN结由n‑CdS和p‑AlSb构成，吸收层为AlSb，缓冲层为CdTe，背接触层为ZnTe：Cu。本发明制备后，吸收层AlSb的厚度达到800nm，提高了光生电流密度，CdTe和ZnTe：Cu层厚度800nm，除了分别作为缓冲层和背接触层之外，厚度增加可以更加有效地阻挡水汽和吸收层的接触，避免其潮解而破坏AlSb薄膜的质量；减少一层CdTe，增大AlSb薄膜厚度，串联等效电阻减小，短路电流增大，电池的VOC减小，效率提升明显。
一种锑化铝薄膜太阳电池

[发明专利]一种太阳电池电解水制氢的系统-CN202010784753.1在审
发明人：王文武;冯良桓;曾广根;张静全;武莉莉;李卫;赵德威;黎兵;郝霞 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过太阳电池直接电解水制取氢气的系统。太阳电池电解水制氢的系统主要包括透明电解池、太阳电池、反射镜、隔膜等组成。进入系统的太阳光直接照射在太阳电池上或者经过电解池底部的反射镜反射到太阳电池上，产生电子‑空穴对在其两端聚集，通过电子和空穴的强还原性和氧化性，在太阳电池两侧通过还原反应或者氧化反应产生氢气和氧气，然后将产生的气体收集。
一种太阳电池电解水系统

[发明专利]一种宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池-CN201811144601.4有效
发明人：曾广根;冯良桓;武莉莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池的新结构。通过选用厚度为50微米～300微米，导电类型为p‑型，电阻率为0.5Ωcm～50Ωcm的单晶硅片做衬底，然后分别在其正面依次沉积CdTe薄膜和透明导电氧化物（TCO）薄膜，在其背面依次沉积宽带隙Ⅱ‑Ⅵ族半导体背接触层薄膜和金属电极，形成基本结构为TCO/CdTe/Si/背接触层/金属的宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池。本发明提出的新结构太阳电池，具有制作简单、与太阳光谱匹配好且光谱响应范围宽300nm～1100nm、转换效率高、成本低廉的特点，特别适合于弱光下的应用。
一种光谱 cdte si 化合物异质结太阳电池

[发明专利]一种基于单晶硅片衬底的CdS/CdTe太阳电池-CN201811263997.4有效
发明人：曾广根;冯良桓;武莉莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单晶硅片衬底的CdS/CdTe太阳电池的结构。通过选用电阻率为0.2Ωcm～30Ωcm的p‑型单晶硅片做衬底，然后在其一面依次沉积CdTe薄膜、n‑型CdS窗口层薄膜以及透明导电氧化物（TCO）薄膜，在其另一面依次沉积p‑型ZnTe:Cu背接触层薄膜和金属电极，最终形成基本结构为TCO/CdS/CdTe/Si/ZnTe:Cu/金属的异质结薄膜太阳电池。本发明所提出的新结构太阳电池，具有转换效率高，成本低廉的特点，同时这种电池与太阳光谱匹配好且光谱响应范围宽300nm～1100nm，适合于紫外‑可见‑红外环境的应用。
一种基于单晶硅衬底 cds cdte 太阳电池

[发明专利]一种双面三端子碲化镉太阳电池-CN201811159856.8有效
发明人：王文武;冯良桓;李卫;郝霞 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明属于一种利用光生伏打效应，将光能直接转变为电能的半导体器件，也称之为光伏太阳电池或太阳电池，属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。传统的碲化镉太阳电池在目前的结构下，其短路电流密度接近极限电池背面因为金属电极的存在导致光无法穿透被电池利用。要进一步提升电池的短路电流密度，一个可行的新结构是用使用硅或者锗基片作为衬底，在两面同时制备太阳电池，实现双面均可吸收利用太阳光。本发明全面考虑了半导体的电子亲和势及能隙，以及掺杂效应和可能的费米能级位置，提出了双面三端子碲化镉太阳电池的结构。本发明旨在基片两侧同时制备碲化镉太阳电池，可以快速制备出更高短路电流密度的太阳电池。
一种双面端子碲化镉太阳电池

[发明专利]全直流升降压输送电系统及方法-CN201711471724.4在审
发明人： 冯良桓;冯烺 -专利权人： 冯良桓;冯烺
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H02J1/00 文献下载
摘要：本发明“全直流升降压输送电系统及方法”属于电力输送系统及关键技术。目前，输送直流电须依靠交流变压器来升、降电压，须依靠逆变、整流技术来进行交、直流转换。本发明提出了不用变压器，不作交直流变换的直流输、变电方法。其要点是：升压：使用一定数量的蓄电池组并联，受直流电源充电后，脱离电源，变并联为串联而获得高压，接入电网送电；然后再脱离电网、变回并联被充电。降压：将一定数量的蓄电池组串联，接入电网被充电，充电后脱离电网，按用户的要求进行拆分和组合为用户供电；然后再变回串联接入电网被充电。本发明提出了相应的成套方法以实现上述功能，进而构建开放的全直流送变电网，达到发直流电、输直流电、用直流电的目标。
直流电充电电网全直流并联输送电系统蓄电池组升降压脱离串联串联接入电网电力输送系统交流变压器交直流变换升压关键技术整流技术直流电源直流转换降电压直流输降压变电构建逆变变压器送电电源供电开放

[发明专利]一种减反射薄膜的结构和制备方法-CN201810953989.6在审
发明人：张静全;王文武;武莉莉;李卫;冯良桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽谱减反薄膜。它包括玻璃衬底、TiO₂(H⁺)和两种折射率不同的TiO₂(OH^‑)溶胶凝胶层。其中通过提拉法在衬底上依次制备不同折射率的TiO₂(H⁺)、TiO₂(OH^‑)和TiO₂(OH^‑)溶胶凝胶层，其中每层薄膜均经过热处理，并对薄膜表面进行优化处理提高薄膜的稳定性。本发明制备过程为溶胶凝胶和浸渍提拉技术，通过膜系软件的设计可制备出沿衬底到空气方向上的折射率递减，厚度匹配的宽谱减反射薄膜，并且对薄膜表面进行优化将亲水基团嫁接成疏水基团，以此来提高稳定性。
折射率衬底制备薄膜减反射薄膜溶胶凝胶层薄膜表面宽谱热处理浸渍提拉空气方向亲水基团溶胶凝胶疏水基团优化处理制备过程提拉法膜系递减匹配嫁接玻璃优化

[发明专利]用多靶射频磁控溅射法制备超薄CdTe太阳电池的技术-CN201711439376.2在审
发明人：黎兵;王文武;曾广根;张静全;武莉莉;李卫;刘才;郝霞;冯良桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明“用多靶射频磁控溅射法制备超薄CdTe太阳电池的技术”属于新型太阳电池的结构设计和制备之技术领域。CdTe是II‑VI族化合物半导体材料。常温下，其带隙为1.5eV，非常适合作为太阳电池中的光吸收层。理论上，1微米厚CdTe的作为吸收层的太阳电池，转换效率就能超过30%。现今CdTe太阳电池，主要采用n‑p架构模式，即CdS/CdTe薄膜太阳电池，且已经推向市场。其主要采用近空间升华法、物理气相输运法等制备CdTe薄膜。但这样制备出来的CdTe通常有3~5微米厚。使得材料损耗上及成本控制上，都不经济。本发明旨在使用多靶射频磁控溅射法，分别在TCO玻璃上，先后溅射n型层（如CdS）、p型层(CdTe)薄膜，其厚度分别为10纳米、900纳米。之后经过退火后处理，再溅射背接触层及背电极。
多靶射频磁控溅射溅射制备化合物半导体材料结构设计和制备射频磁控溅射法退火薄膜太阳电池近空间升华法后处理背接触层材料损耗成本控制光吸收层架构模式转换效率背电极常温下吸收层带隙输运薄膜

[发明专利]一种无毒掺杂剂LiCl在碲化镉太阳电池中的应用-CN201610010569.5有效
发明人：曾广根;冯良桓;黎兵 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅰ‑Ⅶ族化合物LiCl作为无毒掺杂剂在碲化镉太阳电池中的应用方法。通过将LiCl粉末和去离子水按照摩尔比（0.1～1）100溶解成溶液，放置在超声喷雾器中，均匀的在碲化镉薄膜表面喷涂4～10秒，形成一层LiCl薄膜，干燥后放入掺杂炉中，在N2O2=41的气氛，360℃～420℃温度掺杂30～60分钟，掺杂形成性质优良的碲化镉薄膜。本发明采用的掺杂方式具有操作简单，选择性好，无毒低成本，对环境影响小等优点，得到的碲化镉薄膜结构单一，结晶取向明显，掺杂深度贯穿整个碲化镉薄膜厚度，电池性能优良。
一种无毒掺杂 licl 碲化镉太阳电池中的应用

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