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[发明专利]吸水谷物的计量排出方法及吸水谷物的计量排出机构-CN202310329686.8有效
发明人：狩山昌弘;冈本敏宏 -专利权人：藤原酿造机械株式会社
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B65G65/42 文献下载
摘要：本发明提供吸水谷物的计量排出方法及吸水谷物的计量排出机构，可定期变更从浸泡槽排出的吸水谷物的排出速度，并以设定时间将其全部连续地自动排出至下一工序。将来自所选择的浸泡槽的已排出吸水谷物累计重量除以所选择的浸泡槽的吸水前谷物累计重量而求出吸水倍率，将剩余浸泡槽的吸水前谷物累计重量乘以吸水倍率而计算剩余浸泡槽的吸水谷物累计重量，从将全部吸水谷物排出至下一工序的设定时间中减去开始排出吸水谷物起直到指定浸泡槽的排出结束为止所花费的累计时间而计算用于排出剩余浸泡槽的吸水谷物的剩余的所需时间，将剩余浸泡槽的吸水谷物累计重量除以剩余的所需时间而运算吸水谷物从计量排出单元的排出速度从而变更排出速度的设定值。
吸水谷物计量排出方法机构

[发明专利]有机半导体材料-CN202180054043.6在审
发明人： 冈本敏宏;黑泽忠法;C·P·余;竹谷纯一;山元明人;池田大次 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C07D471/22 文献下载
摘要：本发明提供一种能够通过印刷工艺形成体现高电荷迁移率的有机半导体的化合物。本公开的化合物如下述式(1)所示。下述式(1)中，X1、X2相同或不同，表示‑O‑、‑NR1‑或‑PR2‑。Y1、Y2相同或不同，表示氧原子或硫原子。Z1～Z8相同或不同，表示＝N‑或＝CR3‑。所述R1、R2、R3相同或不同，表示氢原子或有机基团。n表示0以上的整数。
有机半导体材料

[发明专利]有机薄膜晶体管、有机半导体膜、化合物、有机薄膜晶体管用组合物及有机薄膜晶体管的制造方法-CN201780038047.9有效
发明人：福崎英治;渡边哲也;宇佐美由久;谷征夫;冈本敏宏;竹谷纯一 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K85/60 文献下载
摘要：本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。
有机薄膜晶体管有机半导体化合物薄膜晶体管用组合制造方法

[发明专利]导体材料-CN202180031352.1在审
发明人： 冈本敏宏;黑泽忠法;山下侑;竹谷纯一;池田大次;横尾健;赤井泰之 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C08L101/12 文献下载
摘要：本申请提供一种具有高导电性的导体材料。本公开的导体材料具有将掺杂剂掺杂进在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成，该掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。作为所述阴离子，优选下述式(1)所示的阴离子。下述式(1)中，R1、R2相同或不同，表示电子吸引性基团。R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。
导体材料

[发明专利]掺杂剂及导体材料-CN202180028713.7在审
发明人： 冈本敏宏;黑泽忠法;竹谷纯一;池田大次;横尾健;赤井泰之 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C07C211/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中，R1～R3相同或不同，表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是，R1～R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数，等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中，Ar1、Ar2、Ar3相同或不同，表示二价芳香族基团，Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同，表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同，表示0以上的整数。
掺杂导体材料

[发明专利]新型化合物及其用途-CN202080096972.9在审
发明人：池田大次;横尾健;赤井泰之;冈本敏宏;黑泽忠法;竹谷纯一;岑鼎海 -专利权人：株式会社大赛璐;国立大学法人东京大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C07D307/77 文献下载
摘要：本发明提供化学稳定性优异、对溶剂具有高溶解性、且显示出优异的载流子迁移率的化合物。所述化合物为下述式(1)表示的化合物。[式(1)中，X1、X2、X3、R1～R10如说明书中所定义。]
新型化合物及其用途

[发明专利]环状酰亚胺化合物的制造方法、组合物、化合物-CN202080064863.9在审
发明人：杉浦宽记;谷征夫;松下哲也;渡边哲也;冈本敏宏 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C07D471/22 文献下载
摘要：本发明的第一课题在于，提供一种收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法。另外，本发明的第二课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的组合物。另外，本发明的第三课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的中间体化合物。本发明的环状酰亚胺化合物的制造方法是一种使下述式(1)表示的化合物和至少1种胺化合物反应，获得下述式(2)表示的化合物的制造方法。
环状亚胺化合物制造方法组合

[发明专利]酱油原料的计量供给装置及酱油原料的计量供给方法-CN201610372488.X有效
发明人： 冈本敏宏;狩山昌弘;藤原惠子 -专利权人：藤原酿造机械株式会社
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B65G47/74 文献下载
摘要：提供一种能够将酱油原料向下个工序的供给量的偏差抑制在最小限度、并且在既定时间内刚好将原料没有过量或不足地供给至下个工序的酱油原料的计量供给装置及酱油原料的计量供给方法。是一种在酱油的制造工序中使用的酱油原料的计量供给装置，具备将酱油原料输送并向下个工序供给的供给机构、测量借助供给机构而处于输送中的酱油原料的重量的重量测量机构和调整来自供给机构的酱油原料的供给量的控制机构，控制机构基于由重量测量机构持续地测量出的各测量值，计算由供给机构输送的酱油原料的累积重量，并定期地进行用于供给量的调整的判断，在判断时，求出累积重量与累积重量的测量时的计划累积重量之间的偏差，并根据偏差更新供给量的设定值。
酱油原料计量供给装置方法

[发明专利]掺杂物以及导电性组合物及其制造方法-CN202080059299.1在审
发明人： 冈本敏宏;黑泽忠法;竹谷纯一;池田大次;赤井泰之 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C07C311/48 文献下载
摘要：本公开的新型掺杂物包含下述式(1)所示的阴离子和抗衡阳离子。在该式(1)中，R1和R2可以为选自硝基、氰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、卤代烷基、磺基、烷基磺酰基、卤代磺酰基、卤代烷基磺酰基中的至少一种基团，或者也可以为R1与R2彼此键合而形成的基团[‑SO2‑L‑SO2‑](式中，L表示卤代亚烷基)。该抗衡阳离子也可以为下述式(2)所示的自由基阳离子。(式中，R1和R2为任选地彼此键合而形成杂环的吸电子性基团，R3～R5表示氢原子氢原子、任选地具有取代基的烃基或任选地具有取代基的杂环基)。该掺杂物能形成显现高传导率的导电性组合物。
掺杂以及导电性组合及其制造方法

[发明专利]组合物-CN202080030609.7在审
发明人：中村刚希;杉浦宽记;谷征夫;松下哲也;渡边哲也;竹谷纯一;冈本敏宏 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种即使在低温条件下也能够制造载流子迁移率优异的有机薄膜晶体管的组合物。本发明的组合物含有下述式(1)所表示的化合物和下述式(S1)所表示的醇。
组合

[发明专利]含氧族元素的有机化合物、有机半导体材料、有机半导体膜和有机电力场效应晶体管-CN201980055254.4在审
发明人： 冈本敏宏;竹谷纯一;三谷真人;伊藤阳介;松室智纪 -专利权人：国立大学法人东京大学;PI-克瑞斯托株式会社
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C07D333/50 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的载流子迁移率的新型的含氧族元素的有机半导体化合物。其为由下式(1a)或式(1b)表示的化合物，[化学式1]在式(1a)和(1b)中，X表示S、O或Se，并且R1分别独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、芳基、芳烷基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基。
含氧族元素有机化合物有机半导体材料有机半导体电力场效应晶体管

[发明专利]有机半导体元件、有机半导体组合物、有机半导体膜、有机半导体膜的制造方法及用于这些的聚合物-CN201880085108.1在审
发明人：谷征夫;白兼研史;渡边哲也;冈本敏宏;竹谷纯一 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供一种具备含有特定的聚合物的有机半导体层的有机薄膜晶体管元件、优选作为该有机半导体层的有机半导体膜及其制造方法以及优选作为该有机半导体膜的构成材料的聚合物及组合物，该特定的聚合物具有包含特定的式所表示的结构的重复单元。
有机半导体元件组合制造方法用于这些聚合物

[发明专利]有机半导体元件及其制造方法、有机半导体膜形成用组合物以及有机半导体膜的制造方法-CN201680008803.9有效
发明人：津山博昭;宇佐美由久;冈本敏宏;竹谷纯一 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供高迁移率的有机半导体元件、能够形成高迁移率的有机半导体膜的有机半导体膜形成用组合物、以及由上述有机半导体膜形成用组合物形成的有机半导体元件的制造方法和有机半导体膜的制造方法。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有半导体活性层，该半导体活性层包含由式1表示且分子量为3,000以下的化合物。本发明的有机半导体膜形成用组合物的特征在于，其含有由式1表示且分子量为3,000以下的化合物、以及溶剂。
有机半导体元件及其制造方法形成组合以及

[发明专利]加热处理装置及加热处理方法-CN201410011601.2有效
发明人： 冈本敏宏;平田利雄;狩山昌弘;藤原惠子;矢泽真裕 -专利权人：藤原酿造机械株式会社
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： A23L3/16 文献下载
摘要：提供能够不夹装防倒流用的机械装置而将粉粒体向冷凝性气体投入且加热效率良好的加热处理装置及加热处理方法。一种加热处理装置（1），具备供给粉粒体（10）的供给机构（6）、被从供给机构（6）投入粉粒体（10）的粉粒体投入部（7）、向供给机构（6）或粉粒体投入部（7）吹入非冷凝性气体的非冷凝性气体供给部（20、23）、向粉粒体（10）和非冷凝性气体的混合物吹入冷凝性气体的冷凝性气体供给部（26）、和通过冷凝性气体将粉粒体（10）加热的加热部（8）；粉粒体投入部（7）配置为，使与非冷凝性气体混合的粉粒体（10）朝向加热部（8）从上方向下方流动；粉粒体（10）在加热部（8）中被投入到加压的冷凝性气体的气流中而被加热处理。
加热处理装置方法

[发明专利]有机晶体管和半导体膜及其制造方法、非发光性有机半导体器件用涂布液、材料和化合物-CN201580015681.1有效
发明人：津山博昭;野村公笃;宇佐美由久;汤本真敏;北村哲;小柳雅史;渡边哲也;冈本敏宏;竹谷纯一 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C07D495/14 文献下载
摘要：一种非发光性有机半导体器件用涂布液，其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100℃以上的溶剂(通式(2)中，R¹¹和R¹²各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基或烷氧基，也可以具有取代基，通式(2)中的芳香族部分可以取代有卤原子)，该涂布液的载流子迁移率高。本发明提供有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、有机晶体管的制造方法和有机半导体膜的制造方法。
发光有机半导体器件用涂布液晶体管化合物半导体材料晶体管用材料制造方法

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