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[发明专利]电源系统-CN200780003712.7有效
发明人：山田和夫;松井亮二;八木有百实;吉见直辉 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H02J7/35 文献下载
摘要：一种电源系统，其平滑太阳能光电功率发电输出，以使之能够进行时间移位。一种电源系统，包括：DC电源串，包含蓄电池与DC电源的并联组合；以及DC/AC功率转换设备，用来将DC电源串连接到电力系统或者负载。使用连接在DC电源与蓄电池之间的开关来选择性地提供DC电源的输出功率或者DC电源与蓄电池的联合输出功率给DC/AC功率转换设备。通过这种方式，平滑了太阳能光电功率发电输出，以使之能够进行时间移位。
电源系统

[发明专利]半导体激光器件-CN200510082068.X无效
发明人： 八木有百实;松原和德 -专利权人：夏普公司
申请日： 2003-01-30 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种适于大规模生产的半导体激光器件。其可以改善导线布置，并使器件小型化。该半导体激光器件包括：多根引线，其穿过一绝缘框架构件的两侧面的每一侧面设置，使其从外部进入该绝缘框架构件的内部；至少一半导体激光元件和一光接收元件安装在该绝缘框架构件的内部；以及多根导线，其布置在该绝缘框架构件的内部，以将该引线分别连接到该半导体激光元件的电极和该光接收元件的电极，其特征在于，在该绝缘框架构件内部，该引线中的至少一根引线向该绝缘框架构件上的该引线中的所述至少一根引线穿过其而设置的侧面的边缘弯曲。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器件-CN200410032221.3无效
发明人：篠原久幸;八木有百实;松原和德;井上哲修 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-03-25 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种半导体激光器件，包括一有前表面、后表面和外周表面的组件；装在前表面上的半导体激光元件和光接收元件；排列在前表面上、空间上隔开并从组件向外延伸的多根引线；装在前表面上的其光轴垂直于前表面用于将半导体激光元件发出的激光束导向目标物并将目标物反射的光导向光接收元件的光学元件；其中外周表面被配置成使得与其轴和光学元件的光轴平行的圆柱形孔相配，外周表面有一从前表面延伸到后表面的凹槽，引线从前表面延伸出去并通过凹槽时被弯曲，其远端沿光学元件的光轴延伸而其近端与半导体激光元件和光接收元件电连接。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光装置和使用它的光拾取器-CN03124881.0无效
发明人：小泉秀史;八木有百实;松原和德;金子延容 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-09-29 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： G11B7/12 文献下载
摘要：提供一种可形成小型、薄形的光拾取器的半导体激光装置。在支撑部件(1)的上表面(1c)上形成用于搭载元件组的元件搭载区域，元件组包括半导体激光元件(2)和受光元件(3)，受光元件检测从半导体激光元件(2)发射的由外部的光盘面反射后再入射的激光束。在从半导体激光元件至所述光盘面的激光束的光路中，包含从所述支撑部件的元件搭载区域大致向垂直方向行进的垂直光路。分别在所述支撑部件的左右一对的对置端部上、或分别在形成于所述支撑部件上的左右一对的突起部上，形成用于嵌插所述支撑部件的圆弧状弯曲外表面，以使与具有圆弧弯曲内表面的半导体激光装置安装孔重合。这些弯曲外表面由以所述垂直光路为中心轴的圆弧构成，并且以相同圆弧的曲率半径左右不同来形成。
半导体激光装置使用拾取

[发明专利]半导体激光设备以及使用它的光拾取设备-CN03140778.1无效
发明人：松原和德;八木有百实 -专利权人：夏普公司
申请日： 2003-03-12 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光设备。该半导体激光设备由绝缘架(11)组成，其中至少装配有一个半导体激光装置和光接收装置。多个引线(10)通过绝缘架(11)的两个相对面(63A、63B)，并从绝缘架内伸到绝缘架外。绝缘架(11)有外表面(61A、61B)，它们与装配面(30a)平行，半导体激光装置(1)装配在装配面(30a)上。根据本发明，可以提供半导体激光设备和使用它的光拾取设备，它有良好的生产率，利于诸如光轴调节的位置调节。
半导体激光设备以及使用拾取设备

[发明专利]半导体激光器件及其制造方法和使用该器件的光拾取器-CN03103427.6无效
发明人： 八木有百实;松原和德 -专利权人：夏普公司
申请日： 2003-01-30 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种适于大规模生产的半导体激光器件及其生产方法，以及一种应用该半导体激光器件的光拾取器。其可以改善导线布置，并使器件小型化。该半导体激光器件包括：多根引线，其穿过一绝缘框架构件的两侧面的每一侧面设置，使其从外部进入该绝缘框架构件的内部；至少一半导体激光元件和一光接收元件安装在该绝缘框架构件内部或其上；以及导线，布置在该绝缘框架构件内部，以将该引线连接到该半导体激光元件和该光接收元件的电极。其中，在该绝缘框架构件内部，该引线中至少一根的末端向内延伸得比元件安装部分的边缘更远，所述边缘朝向与所述至少一根引线穿过该绝缘框架构件同一侧设置的至少另一根引线的末端。
半导体激光器及其制造方法使用器件拾取