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[发明专利]一种薄膜太阳能电池用合金靶材及其制备方法-CN202310813301.5在审
发明人： 储茂友;张恒;白雪;刘宇阳;韩沧;杨秀玉 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池用合金靶材及其制备方法，制备方法包括：钼酸钠粉体或钼酸钾粉体在300‑400℃下进行煅烧预处理，获得预处理粉体；将高纯Mo粉体与预处理粉体混合均匀后，装入石墨模具中进行冷压，获得成型坯体；成型坯体在真空热压炉内进行两阶段真空热压烧结并随炉冷却，得到烧结坯体；将烧结坯体进行无水外形加工，再置于真空炉内，在400～700℃下进行真空退火处理，以及表面精磨加工，获得合金靶材。本发明通过上述制备步骤获得具有组织均匀性好、密度高、碱金属Na或K含量均匀稳定的薄膜太阳能电池用高品质MoNa(K)合金靶材，该材料可直接用于磁控溅射镀膜制备MoNa(K)膜层，其中Na(K)将向光电转换CIGS膜层中扩散渗透，以提高电池的光电转换效率。
一种薄膜太阳能电池合金及其制备方法

[发明专利]一种超高温陶瓷致密化方法、超高温陶瓷-CN202210342262.0有效
发明人：王星明;刘宇阳;白雪;李小宁;杨磊;桂涛;王星奇;储茂友;韩沧 -专利权人：有研科技集团有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高温陶瓷致密化方法和超高温陶瓷，所述方法包括：按照添加剂与原料混合物之间的目标比例，在合成所述超高温陶瓷粉体的过程中添加所述添加剂以实现缺陷调控，得到超高温陶瓷粉体；其中，所述添加剂包括B粉、NaCl、Na2B4O7、KCl中的至少一种；对所述超高温陶瓷粉体进行烧结，以得到致密化的超高温陶瓷；本发明通过添加添加剂对超高温陶瓷粉体进行缺陷调控，得到了烧结活性高的超高温陶瓷粉体，从而烧结得到了致密度高的超高温陶瓷。
一种超高温陶瓷致密方法

[发明专利]一种无机电致变色成膜材料及其制备方法-CN202310813285.X在审
发明人： 储茂友;张碧田;孙静;白雪;刘宇阳;韩沧;孙悦 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种无机电致变色成膜材料及其制备方法，制备方法包括如下制备步骤：S1、对WO3粉体或NiO粉体在400‑500℃下进行煅烧预处理；S2、对煅烧预处理后的WO3粉体或NiO粉体进行冷等静压处理，然后经破碎、球磨造粒处理，形成粒径为45‑55um的造粒粉体；S3、将造粒粉体装入石墨模具中进行冷压，然后转移至真空热压炉内，进行两阶段真空热压烧结并随炉冷却，得到烧结坯体；S4、对烧结坯体进行外形加工、真空退火处理以及表面精磨加工后，获得无机电致变色成膜材料。本发明通过模压成型结合两阶段真空热压烧结工艺，解决WO3或NiO在烧结和加工过程中存在的组分稳定性差以及易出现裂纹和坍塌问题，制备出具有高纯度、高密度的无机电致变色镀膜材料。
一种机电变色材料及其制备方法

[发明专利]一种减反膜用镀膜材料、制备方法及其应用-CN202310632711.X在审
发明人：段华英;张恒;孙静;彭程;石志霞;张碧田;王星明;储茂友 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种减反膜用镀膜材料、制备方法及其应用，涉及光学镀膜材料技术领域，所述制备方法包括：步骤1：将二氧化钛粉体、氧化铝粉体和钛粉混合后进行球磨，得到分散均匀的混合粉体；步骤2：对所述混合粉体进行冷等静压成型，得到坯体；步骤3：对所述坯体进行真空分段控温烧结，烧结后自然冷却，得到所述镀膜材料；所述镀膜材料的相结构包含Ti3O5\Al2O3\TiO2相。本发明通过在TiO2粉体中添加一定比例的Ti粉体和Al2O3粉体，再通过球磨、冷等静压成型、烧结的工艺，得到一种减反膜用复合钛铝氧化物镀膜材料，得到的具有Ti3O5\Al2O3\TiO2相结构的镀膜材料不仅改善了纯TiO2薄膜的光学性能，还兼顾了基材的热物理性能以及湿气防护性能。
一种减反膜用镀膜材料制备方法及其应用

[发明专利]一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料-CN202010780626.4有效
发明人：王星明;王宁;杨娟玉;刘宇阳;桂涛;白雪;王武育;储茂友;韩沧;段华英 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料。该纳米片状氧化亚硅的化学式为SiOx，其中0.9＜x＜1.1；并且具有纳米片状颗粒形貌；其由激光粒度仪测试的中位粒径(D50)为100‑1000nm，由氮吸附测试的比表面积为50‑150m2/g。该纳米片状氧化亚硅颗粒平面方向的平均直径为100‑1000nm，厚度为10‑50nm，且所述颗粒平面方向的平均直径与颗粒厚度的比值大于5。所述复合负极材料包含所述纳米片状氧化亚硅及添加剂，其中纳米片状氧化亚硅在复合负极材料中的质量分数为5‑50％。本发明的纳米片状氧化亚硅具有电子、离子传输距离短的优势，在电极充放电过程中能够保持导电结构稳定。基于该纳米片状氧化亚硅的复合负极材料，可以减少导电组分的用量，在提高导电性和改善循环性能的同时保持高容量。
一种纳米片状氧化及其复合负极材料

[发明专利]一种含锂SiOx-CN202010629154.2有效
发明人：王星明;刘宇阳;桂涛;王武育;韩沧;白雪;储茂友;段华英 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种含锂SiOx粉体的制备方法。所述含锂SiOx粉体中的x为0.9＜x＜1.1，主要成分为SiO、Si、SiO2和含锂化合物，该制备方法包括以下步骤：(1)原料的混合：将高纯Si粉和SiO2粉按一定配比称量，添加一定量的金属锂或者含锂化合物，采用球磨的方法进行混合；(2)含锂SiOx的制备：采用单源蒸发或双源蒸发化学气相沉积法制备含锂SiOx块体；(3)粉体整形：将含锂SiOx块体通过球磨或者气流破碎法进行粉体整形，得到目标含锂SiOx粉体。采用该方法制备SiOx粉体能够有效的实现SiOx材料的预锂化，并能够有效的避免SiOx材料在预锂化过程中的歧化反应。
一种 sio base sub

[发明专利]一种超高温热障涂层材料的高通量筛选的方法-CN202210789031.4在审
发明人：王星明;王星奇;白雪;储茂友;刘宇阳;彭程 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司;有研科技集团有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高温热障涂层材料的高通量筛选的方法，所述方法包括：步骤1，通过高通量筛选出超高温热障涂层材料的初始结构；步骤2，分别对多种所述初始结构进行结构优化，得到多种所述初始结构各自对应的优化后结构；步骤3，获取每种所述优化后结构的弹性常数矩阵，并基于弹性常数矩阵确定每种所述优化后结构的性能参数，所述性能参数用于表征所述优化后结构的热物理性能；步骤4，基于每种所述优化后结构的性能参数，从多种所述优化后结构中筛选出目标优化后结构。本发明提供的方法为材料的综合评价提供依据，能够高效地、合理地筛选出超高温热障涂层材料，有效地缩短筛选周期，降低实验的成本。
一种超高温热障涂层材料通量筛选方法

[发明专利]一种RE-Zr(Hf)共掺杂锆酸钆材料、制备方法以及热障涂层-CN202210697517.5在审
发明人：王星明;刘宇阳;王星奇;储茂友;白雪;彭程 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司;有研科技集团有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种RE‑Zr(Hf)共掺杂Gd2Zr2O7材料，所述RE‑Zr(Hf)共掺杂Gd2Zr2O7材料的化学式为(Gd1‑xREx)2‑z(Zr1‑yHfy)2+zO7+δ；其中，x为掺杂RE元素的含量，y为掺杂Hf和/或过量的Zr的含量，z表征了(Gd+RE)与Zr(Hf)之间的化学计量比，δ为掺杂所述RE元素所导致的氧空位的浓度；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤2，0≤δ≤1。本发明通过在Gd2Zr2O7中共同掺杂RE元素和Zr(Hf)，能够在提高材料的断裂韧性和热膨胀系数的同时，还能降低材料的热导率，使得由RE‑Zr(Hf)共掺杂Gd2Zr2O7材料制成的热障涂层，具有的优异热学性能和力学性能，从而能够更好地发挥热防护的作用。
一种 re zr hf 掺杂锆酸钆材料制备方法以及热障涂层

[发明专利]一种基于缺陷调控的超高温陶瓷致密化方法、超高温陶瓷-CN202210343585.1在审
发明人：王星明;刘宇阳;白雪;李小宁;杨磊;桂涛;王星奇;储茂友;韩沧 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于缺陷调控的超高温陶瓷的致密化方法，所述方法包括：采用多种合成方法制备得到与每种合成方法对应的超高温陶瓷粉体；计算得到超高温陶瓷粉体的位错密度；基于计算得到的粉体的位错密度，确定多种合成方法分别得到超高温陶瓷粉体的混合比例；按照所述混合比例，将多种合成方法分别得到的超高温陶瓷进行混合以调控超高温陶瓷粉体缺陷浓度；将混合后的超高温陶瓷粉体进行烧结，得到超高温陶瓷；本发明通过计算位错密度并利用不同位错密度的粉体调控粉体缺陷，制备得到致密度高的超高温陶瓷。
一种基于缺陷调控超高温陶瓷致密方法

[发明专利]一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法-CN202010234167.X有效
发明人：白雪;刘宇阳;桂涛;杨磊;王星明;储茂友;韩沧;段华英 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)以高纯氧化铈粉体为原料，向其中添加去离子水并进行造粒处理，得到结合紧密的氧化铈片状物；(2)将得到的片状物研磨破碎，并筛分出＜0.1mm的预处理粉体；(3)将所得预处理粉体装入胶套中进行冷等静压成型为坯体。(4)将所得坯体按照如下烧结工艺进行烧结：2‑3小时升温到300‑400℃保温1h‑2h，2小时升到600℃‑800℃保温1h‑2h，4小时升温到1000℃‑1200℃保温1h‑2h，4小时升温到1300℃保温1h‑2h，2小时升温至1400℃保温1‑2h，1小时升温到1450‑1550℃保温3h‑5h；(5)冷却得到氧化铈烧结坯料，将坯料进行破碎和筛分得到镀膜用氧化铈颗粒。该方法生产的氧化铈颗粒具有高纯度、高密度、低喷溅等优点。
一种镀膜氧化颗粒制备方法

[发明专利]一种AlON粉体的制备方法、AlON粉体及其应用-CN202210095287.5在审
发明人：刘宇阳;王星明;孙悦;白雪;储茂友;韩沧;王涛 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司;有研科技集团有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlON粉体的制备方法、AlON粉体及其应用，所述方法包括：将纳米氧化铝粉体和碳粉按质量比称重，加入0‑10wt％的分散剂，并以无水乙醇为介质，采用球磨方法混合，得到混合粉体；利用碳热还原氮化法烧结混合粉体；再将烧结后的粉体进行行星球磨处理，处理结束后，以无水乙醇为介质，添加0‑10wt％分散剂，并采用超声进行分散处理，得到所述AlON粉体；本发明通过分步骤添加分散剂，改进了粉体的整体分散性能，制备出分散性高，且相纯度高，粒度也较小的高烧结活性的AlON粉体，将其应用于AlON透明陶瓷的制备中，能够得到性能较好的AlON透明陶瓷。
一种 alon 制备方法及其应用

[发明专利]一种碳硅陶瓷靶材的制备方法-CN202010234099.7有效
发明人：白雪;刘宇阳;王星奇;杨磊;桂涛;王星明;储茂友;韩沧 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司;有研科技集团有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C04B35/575 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
一种陶瓷制备方法

[发明专利]一种高密度HfO2-CN201811508783.9有效
发明人：白雪;刘宇阳;杨磊;桂涛;王星明;储茂友;韩沧;张恒 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开了属于陶瓷靶材技术领域的一种高密度HfO2靶材的制备方法。本发明利用碱性溶剂对HfO2粉体预处理，将预处理后粉体置于马弗炉、热压炉中烧结，然后粉碎、过筛，再置于热压炉中进行三段式热压烧结，最后随炉冷却，得到HfO2靶材；所得HfO2靶材外观呈均匀灰色，相对密度达到85％～95％，具有高强度、不易开裂的特点，适用于溅射制备光学薄膜。
一种高密度 hfo base sub

[发明专利]一种热障涂层用陶瓷靶材的制备方法-CN201711415985.4有效
发明人：王星明;刘宇阳;彭程;储茂友;白雪 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷靶材制备技术领域，特别涉及一种热障涂层用陶瓷靶材的制备方法。该陶瓷靶材为氧化钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷靶材，Gd2Zr2O7陶瓷靶材，La2Ce2O7陶瓷靶材，La2O3+CeO2+Gd2O3、La2O3+CeO2+Ta2O5、La2O3+CeO2+ZrO2+Y2O3陶瓷靶材，通过机械混合、造粒、高温固相反应、冷等静压、烧结、真空退火、切削加工处理即可得到目标尺寸的陶瓷靶材；通过本发明提供的制备方法制备的陶瓷靶材纯度高达99.9％以上，能有效避免偏析、喷溅、开裂等问题，靶材微观结构组织均匀、强度高。
一种热障涂层陶瓷制备方法

[发明专利]一种高致密度ZrB2-CN201710647330.3有效
发明人：王星明;杨磊;桂涛;白雪;刘宇阳;储茂友;彭程 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于超高温陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高致密度ZrB2陶瓷的制备方法。该方法具体步骤为：首先采用碳热还原法和自蔓延法分别制备ZrB2粉体，再将自蔓延法制备的ZrB2粉体作为添加剂按一定比例与碳热还原法制备的ZrB2粉体均匀混合作为原料粉体，最后将该原料粉体装入高强石墨模具中，真空热压烧结实现ZrB2陶瓷的深度致密化。本发明提供的制备方法工艺简单，成本低，可操作性强，易于实现工业化生产，热压烧结过程无须添加烧结助剂，得到的ZrB2陶瓷相结构单一、纯度高、致密度高。
一种致密 zrb base sub

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