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[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置-CN202180003699.5在审
发明人：杜楠;苏国玮;钟杰兴;傅永义;周勇;白锋;孙赛君;陈凯豪;彭索萍;宋克超;徐郑平;刘飒;李和雄 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括显示区域(100)和位于显示区域(100)中的至少一个孔区域(200)，孔区域(200)包括功能孔(210)和环绕功能孔(210)的隔断区(220)，隔断区(220)设置有至少一个环绕功能孔(210)的隔断坝(300)；隔断坝(300)包括设置在基底(10)上的第一隔断层(40)和设置在第一隔断层(40)远离基底(10)一侧的第二隔断层(50)，至少一个隔断层包括第二子层和设置在第二子层远离基底(10)一侧的第三子层，第三子层相对于第二子层的侧壁具有突出部，突出部和第二子层的侧壁形成内陷结构。
显示及其制备方法显示装置

[发明专利]一种离子注入设备及其控制方法-CN201711123553.6有效
发明人：李儒健;傅永义;谭超;经好;刘晨亮;张新慧;罗康 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种离子注入设备及其控制方法，涉及显示技术领域，能够降低在调整分析磁场的磁场强度的阶段中，离子束和分析磁场的内外壁碰撞产生的杂质颗粒进入到离子注入腔室中的数量。该离子注入设备包括离子源、射束线装置、离子注入腔室、以及位于离子注入腔室内的监控装置，监控装置用于在调整射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段，对经射束线装置进入离子注入腔室的离子束的电流进行监控。离子注入设备还包括用于调节离子束入口的打开程度的调节件，调节件设置在离子注入腔室的离子束入口所在位置处，调节件用于在调整射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段，对离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡。
一种离子注入设备及其控制方法

[实用新型]基板载台和离子注入设备-CN201821550546.4有效
发明人：刘晨亮;姜东诚;傅永义;谭超;经好;李儒健;罗康;黎韬;相莎莎;方娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板载台和离子注入设备，属于半导体设备技术领域，其可至少部分解决现有的离子注入设备制造的基板中异物和性能不稳定的问题。本实用新型的基板载台，包括载台本体，所述载台本体具有承载面，所述承载面包括用于放置基板的基板放置区，所述基板载台还包括至夹具，所述夹具用于将基板固定在所述基板放置区，所述夹具包括移动件和连接在所述移动件上的接触件，所述移动件能够移动以使所述接触件压在所述基板的边缘部或者离开所述基板，所述接触件与所述基板接触的部分的表面为弧面。
基板载台基板夹具离子注入设备接触件移动件本实用新型基板放置区承载面半导体设备基板固定基板接触载台本体边缘部台本体异物弧面移动制造

[发明专利]承载装置及离子注入设备-CN201710137906.1有效
发明人：刘晨亮;蒋冬华;傅永义;谭超;王学伟;李儒健;罗康;令勇洲;谢银;杨剑波;李飞 -专利权人：成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种承载装置及离子注入设备，所述承载装置包括：用于承托基板的承托台；以及，用于支撑基板的多个支撑部件，各支撑部件以可移动地方式设置在所述承托台上，以使各支撑部件在基板上的支撑位置可调节。本发明提供的承载装置及离子注入设备，能够减少由于支撑部件与基板接触所引起的亮暗点、白Mura等不良产生。
承载装置离子注入设备

[发明专利]离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法-CN201710483558.3在审
发明人：经好;姜东佑;傅永义;刘晨亮;李儒健;罗康 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入量调节装置，包括调节件，用于开启和关闭离子注入设备的离子出口；驱动结构，用于控制所述调节件运动以调节离子出口的开口度。本发明的有益效果是可以灵活调节离子注入量。本发明还涉及一种离子注入设备、离子注入量调节方法、判断方法。
离子注入调节装置方法设备判断

[发明专利]一种光刻装置及光刻方法、显示基板的制作方法-CN201610077559.3在审
发明人：袁洪光;胡岩;张宇;赵吾阳;陆忠;熊黎;傅永义;张文轩;范真瑞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种光刻装置及光刻方法、显示基板的制作方法，涉及显示技术领域，以在简化显示基板制作过程时，提高显示面板的最小解像精度。该光刻装置包括激光发生单元、光线控制单元以及光线校正单元；激光发生单元用于发射激光束，光线控制单元用于按照目标图案改变激光束的传播方向，获取可控激光束；光线校正单元用于将可控激光束校正成用于对目标层进行光刻的光刻激光束。所述光刻方法使用上述技术方案提供的光刻装置。本发明提供的光刻装置用于显示基板的制作中。
一种光刻装置方法显示制作方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示面板-CN201410473275.7在审
发明人：魏悦;陆忠;青海刚;熊黎;傅永义;蒋冬华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括像素区和环绕所述像素区的外围区，所述像素区内设置有薄膜晶体管，所述外围区设置有引线，其中，该阵列基板的制造方法包括：形成包括所述薄膜晶体管的源极和漏极的图形；形成平坦化层；形成包括第一透明电极的图形；形成第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第一透明电极和所述平坦化层，以暴露所述薄膜晶体管的漏极。本发明还提供一种阵列基板以及一种显示面板。利用所述制造方法制造的阵列基板的平坦化层上不存在云纹缺陷。
阵列及其制造方法显示面板

[实用新型]TFT阵列基板和显示面板-CN201420350763.4有效
发明人：蒋冬华;傅永义;李炳天 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种TFT阵列基板和显示面板，该阵列基板中，在覆盖在所述栅电极图形之上的第二绝缘层之上采用低温工艺形成钝化层。本实用新型提供的TFT阵列基板在制作过程中，由于形成的钝化层相对比较疏松，不易在活化时因为热胀冷缩而断裂，从而很好的隔离栅极与源漏极，另一方面，由于低温下形成的钝化层相比与高温下形成的钝化层含氢量较高，能够在加氢过程中，更好的对多晶硅层进行加氢，从而获得更好的电学特性的稳定性。
tft 阵列显示面板

[发明专利]TFT阵列基板的制作方法、TFT阵列基板和显示面板-CN201410298562.9在审
发明人：蒋冬华;傅永义;李炳天 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种TFT阵列基板的制作方法、TFT阵列基板和显示面板，该方法中，在覆盖在所述栅电极图形之上的第二绝缘层之上采用低温工艺形成钝化层。本发明提供的TFT阵列基板的制作方法中，由于形成的钝化层相对比较疏松，不易在活化时因为热胀冷缩而断裂，从而很好的隔离栅极与源漏极，另一方面，由于低温下形成的钝化层相比与高温下形成的钝化层含氢量较高，能够在加氢过程中，更好的对多晶硅层进行加氢，从而获得更好的电学特性的稳定性。
tft 阵列制作方法显示面板

[发明专利]过孔刻蚀方法-CN201310389494.2无效
发明人：李炳天;蒋冬华;傅永义;赵吾阳;李淳东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种过孔刻蚀方法，涉及半导体制造领域，克服了现有技术过孔刻蚀方法过孔终点无法控制且坡度角不利的缺陷。本发明实施例的过孔刻蚀方法，包括：形成过孔刻蚀结构，过孔刻蚀结构包括依次形成在基板上的低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层；在过孔刻蚀结构上形成包括过孔掩膜图形的掩膜层；采用第一刻蚀方法刻蚀过孔刻蚀结构，刻蚀至栅极绝缘层的第一厚度处；采用第二刻蚀方法刻蚀过孔刻蚀结构，刻蚀掉剩余厚度的栅极绝缘层，露出低温多晶硅层；移除掩膜层，形成过孔结构。
刻蚀方法

[发明专利]一种刻蚀设备及其上部电极-CN201210265642.5无效
发明人：蒋冬华;李炳天;傅永义;赵吾阳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀设备及其上部电极，涉及机械结构领域，所述上部电极上设有多个电极孔，所述上部电极至少由第一区域和第二区域组成，所述电极孔在所述第一区域的分布密度和所述电极孔在所述第二区域的分布密度不同。本发明根据所刻蚀膜层材质的不同，改变上部电极上的电极孔的设置区域和电极孔间的间隔，从而实现了改善刻蚀率均一性的目的。
一种刻蚀设备及其上部电极

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