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[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环-CN201910968745.X有效
发明人：段蛟;陈星建;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环，边缘环位于静电吸盘的外围，静电吸盘用于固定其上的待处理晶圆，边缘环可以包括聚焦环，聚焦环具有内侧部分和外侧部分，内侧部分位于待处理晶圆边缘的下方，外侧部分向外超出待处理晶圆的覆盖范围，外侧部分高于内侧部分，至少在聚焦环的外侧部分形成有保护涂层，保护涂层的介电常数从表面至底部逐渐增大，这样，可以使得等离子体鞘层在晶圆的整个表面保持均匀。同时即使边缘环上的保护涂层被等离子体刻蚀而发生磨损，保护涂层内部的较高介电常数的表面暴露出来，从而使保护涂层具有更好的电荷负载能力，维持等离子体鞘层的稳定，从而维持刻蚀速率的稳定性。
一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘

[发明专利]一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备-CN201911168656.3有效
发明人：梁洁;倪图强;王伟娜;吴磊 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶圆夹持装置，包括静电吸盘和接地装置，静电吸盘内部可以形成有静电电极板，静电电极板可以连接直流电源，接地装置可以包括互连的金属接地端和顶部部分，金属接地端用于连接地线，在静电吸盘上固定有晶圆，晶圆上方形成有等离子体时，顶部部分与等离子体接触，实现晶圆的接地，而顶部部分会使静电吸盘中的直流信号接地，且阻断射频信号在等离子体与地线之间的传输，这样可以为直流信号提供接地端，即为晶圆的夹持提供接地端，而射频信号不会通过接地装置接地，将射频回路和直流回路分隔开，提高晶圆夹持的可靠性。
一种夹持装置等离子体处理设备

[发明专利]一种等离子体处理装置及其下电极组件、静电卡盘-CN201911059867.3有效
发明人：左涛涛;吴狄;倪图强;黄国民 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及其下电极组件、静电卡盘，其中静电卡盘用于在等离子体处理装置的反应腔中支撑待处理基片，其包括穿过该静电卡盘上表面至下表面，用于向所述静电卡盘与待处理基片之间通入冷却气体的若干气孔；所述气孔内填塞有至少一个孔塞；所述孔塞设置有穿过该孔塞上表面至下表面的若干通孔，所述通孔的内径小于所述气孔的内径。本发明通过在静电卡盘气孔内填塞至少一个孔塞，而孔塞上布置有若干通孔，实现了在保证静电卡盘上基片的温度均匀性的情况下，进一步避免了因静电卡盘的气孔内冷却气体解离所造成的气孔内壁被击穿，而在气孔中产生杂质颗粒的问题。
一种等离子体处理装置及其电极组件静电卡盘

[发明专利]一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置-CN201911294435.0有效
发明人：赵函一;黄国民;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种下电极组件，其安装方法及所处的等离子体处理装置，通过在聚焦环和介电环与基座之间设置一介电套筒，以及在介电套筒与基座之间的缝隙内设置弹性材料层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄露到基座与边缘环组件之间的缝隙内，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性。受限于基座及各边缘环的尺寸限制，本发明通过先安装该介电套筒，使得在基座与边缘环组件之间的缝隙内设置弹性材料层的安装难度大大降低，有效的保证了下电极组件的使用安全。
一种电极组件安装方法等离子体处理装置

[发明专利]一种多区控温等离子反应器-CN201811391849.0有效
发明人： 倪图强;李天笑;谢林;周晓锋;梅锐 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子反应器，包括：反应腔体，反应空间底部包括一个基座，用于支撑处理基片；一射频电源输出射频功率到反应腔体内；基座中包括一静电夹盘，静电夹盘中包括一加热器组，加热器组中包括多个加热模块，其中加热模块包括串联的一个加热器和一个电子开关，所述加热模块中的加热器连接到加热电源或者接地端之一，电子开关连接到加热电源或接地端中的另一端；一加热控制器包括一接收端用于接收温度控制信号，还包括一驱动信号输出端连接到所述电子开关，用于输出所述电子开关的驱动信号；所述加热控制器中还包括至少一光电驱动电路，使得所述加热控制器的接收端与所述驱动信号输出端之间互相电隔离。
一种多区控温等离子反应器

[发明专利]一种等离子体处理装置-CN202210104678.9在审
发明人： 倪图强;王智昊;王凯麟 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，该装置包含：真空反应腔，其内有可移动下电极组件；设置于可移动下电极组件底部的移动接地环；设置于移动接地环下方的固定接地环；移动接地环和固定接地环之间的可伸缩密封组件；导电连接件，用于在移动接地环和固定接地环之间形成射频路径，可伸缩密封组件的外壁到真空反应腔的中心轴的距离小于移动接地环的外径；射频匹配器，其具有射频回路的射频发射端和射频接收端。其优点是：该装置利用导电连接件分担可伸缩密封组件的射频电流承受压力，且可伸缩密封组件与固定接地环竖直部分的距离较远，减弱了固定接地环向可伸缩密封组件的水平方向射频耦合，使可伸缩密封组件伸缩时，也不会对射频回路造成太大影响。
一种等离子体处理装置

[实用新型]基座及等离子体刻蚀装置-CN202223404089.7有效
发明人：左涛涛;倪图强;吴狄;蔡楚洋 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基座及等离子体刻蚀装置，所述基座包括：陶瓷板，陶瓷板包括顶面和底面，顶面用于放置基片；依次设置在底面上的电极层，绝缘层和粘接层，绝缘层覆盖电极层；基板，其位于粘接层的下侧；适配板，其位于粘接层和基板之间，适配板与陶瓷板的热膨胀系数相匹配。本实用新型能够降低ESC制备工艺的难度，并使其适用于高温制备工艺。
基座等离子体刻蚀装置

[发明专利]一种电容耦合等离子体刻蚀设备-CN201811544972.1有效
发明人：黄允文;倪图强;梁洁;赵金龙;吴磊 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电容耦合等离子体刻蚀设备，下电极固定于导电支撑杆的下端，在导电支撑杆的下端固定有可伸缩导电部，该可伸缩导电部沿导电支撑杆的轴向伸缩，同时，通过电连接部将可伸缩导电部的下端与射频匹配器输出端之间的电连接起来，这样，可以通过可伸缩导电部的伸缩来控制下电极的高度，从而，使得上下极板之间的间距可调。同时，在下电极的外侧，还设置有内导电环，该内导电环通过可伸缩导电部与腔体电连接，该内导电环下电极与腔体内的射频返回路径之间形成屏蔽，避免移动过程中下电极射频场引起射频回路的不稳定，从而实现极板间距的可调的同时，兼顾射频回路的稳定性。
一种电容耦合等离子体刻蚀设备

[发明专利]一种等离子体处理设备-CN201910350330.6有效
发明人：杨宏旭;赵馗;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理设备，导电基座周围的边缘环由多个独立的圆弧部组成，每个圆弧部包括上方暴露于等离子体的圆弧形陶瓷部和位于所述圆弧形陶瓷部下方的圆弧形导电部，多个圆弧形导电部共同构成耦合环，多个圆弧形陶瓷部共同构成聚焦环，每个圆弧部连接一个驱动部，分别驱动各圆弧部沿垂直于导电基座的方向运动。这样，可以分段进行各段边缘环的高度调节，从而，分段补偿随着刻蚀工艺进行边缘环中聚焦环的损耗，进而，精确补偿各段聚焦环的高度，提高晶片加工的均匀性。
一种等离子体处理设备

[发明专利]一种电容耦合等离子体刻蚀设备-CN201811544979.3有效
发明人：黄允文;倪图强;梁洁;赵金龙 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种电容耦合等离子体刻蚀设备，下电极的导电支撑杆与驱动装置连接，通过驱动装置驱动导电支撑杆沿其轴向运动，同时，下电极通过可伸缩密封部与腔体底部固定，使得下电极的上表面密封至腔体的容置空间中，腔体上连接有电连接部，通过电连接部将腔体内的射频电流返回至射频匹配器的回流端。这样，将下电极通过可伸缩密封部固定于腔体上，当下电极被驱动装置驱动而上下移动时，腔体并不随之移动，腔体中的射频回路处于稳定状态，从而，在实现极板间距的可调的同时，兼顾射频回路的稳定性。
一种电容耦合等离子体刻蚀设备

[发明专利]一种等离子体刻蚀反应器-CN202211165260.5在审
发明人：贺小明;陈星建;刘身健;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体刻蚀反应器，反应器包括腔体，腔体围绕而成的空间内设置有待处理基片，基片上方包括反应空间，反应气体和射频功率被输送到反应空间形成等离子体，对基片进行刻蚀，腔体的内壁表面形成有抗等离子体涂层，以防止腔体内刻蚀晶圆用的等离子体对内壁的腐蚀，抗等离子体涂层的表面材料层的粗糙度≤1μm，且抗等离子体涂层的表面材料层的孔隙率低于1％，厚度大于10um，所述抗等离子体涂层的表面材料层由包括氟和钇的化合物组成。本发明具有改善等离子腔体内部表面或腔体内壁表面的结构稳定性，提高等离子体刻蚀过程的性能，且满足先进的等离子体刻蚀工艺的要求，降低生产成本的优点。
一种等离子体刻蚀反应器

[实用新型]一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件-CN202221848457.4有效
发明人：唐观扬;杨宽;左涛涛;倪图强;刘身健 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件，属于等离子刻蚀技术领域，为了解决刻蚀工艺过程中基片表面不同区域刻蚀速率不均匀的问题，本实用新型的电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件包括在反应腔内产生等离子体的射频线圈；位于射频线圈上方的通入直流电流的直流线圈，以及位于直流线圈和射频线圈之间的屏蔽层，通过设置屏蔽层，避免在等离子体工艺过程中射频线圈在直流线圈中产生感应电流，以保护直流源，减少射频损失。
一种电感耦合等离子处理设备线圈组件

[发明专利]一种静电夹盘及其所在的等离子体处理装置-CN201910079596.1有效
发明人： 倪图强;梁洁;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电夹盘及其所在的等离子体处理装置，本发明所述的静电夹盘包括一基座及设置在所述基座上方的静电夹层，贯穿所述静电夹盘设置若干升举顶针组件，所述组件包括升举顶针、顶针夹持件和升举顶针通道，所述顶针夹持件设置在所述升举顶针通道远离所述基片的一端，用于带动所述升举顶针在所述通道内上下移动，并在上下移动过程中始终位于所述基座下方。为了降低高功率可能引发的容纳升举顶针通道内部的电弧放电现象，本发明将顶针夹持件设置在升举顶针通道的外部，使得升举顶针通道内只需容纳升举顶针，进一步减小升举顶针通道的尺寸，以在不产生点火现象的前提下尽量提高静电夹盘的工作温度适应能力。
一种静电及其所在等离子体处理装置

[发明专利]一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法-CN201910920518.X有效
发明人：郭盛;陈星建;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法，包含：步骤1，将静电吸盘置于原子层沉积反应器中，通入第一反应气体，进行第一化学吸附，使得第一反应气体吸附至静电吸盘表面；步骤2，采用氮气流吹扫；步骤3，通入第二反应气体，进行第二化学吸附；步骤4，采用氮气流吹扫；步骤5，重复步骤1‑4，直到所述静电吸盘符合要求。本发明利用ALD工艺增强原E‑chuck的孔附近的耐击穿性能，对其进行有效的绝缘防护，达到稳定运行和延长使用寿命、降低成本的作用。该方法不仅有效解决电弧放电问题；且工艺过程不引入颗粒与金属污染；尤其适用于高功率和/或高温具有腐蚀性工艺气体的等离子体刻蚀环境。
一种利用 ald 工艺静电吸盘进行处理方法

[实用新型]一种等离子体处理设备-CN202223143105.1有效
发明人： 倪图强;徐朝阳;王智昊;王凯麟 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种等离子体处理设备，包括：反应腔；基座，设置于所述反应腔的内部，用于承载晶圆；喷淋头，设置于所述反应腔的内部顶部，与所述基座相对设置；所述喷淋头用于将工艺气体通入所述喷淋头与所述基座之间的反应区域，以形成等离子体对晶圆进行刻蚀；内衬，环绕所述反应区域设置，用于使等离子体不与所述反应腔的内侧壁接触；加热器，用于加热所述内衬；以及移动环，其设置于所述内衬与所述喷淋头之间，可沿垂直于晶圆表面的方向上下移动；且所述移动环可被所述内衬辐射加热，以减少工艺气体在所述移动环上沉积形成聚合物。此外，等离子体约束环同样可被内衬辐射加热，以减少工艺气体在等离子体约束环上沉积形成聚合物。
一种等离子体处理设备

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