“候雯菲”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种含有α-Al2-CN202111658844.1有效
发明人：程皓;张永辉;白鸽;郁荣;候雯菲;程凯峰;康媛媛 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的高密度C/C‑SiC复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层，坩埚本体是通过CVI工艺、树脂浸渍炭化工艺以及反应熔渗工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭、树脂炭以及碳化硅增密处理获得的C/C‑SiC复合材料。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度，避免石英坩埚的使用，而且复合材料坩埚的使用寿命显著提高，有效降低单晶硅拉制成本，解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。
一种含有 al base sub

[发明专利]一种含有氧化铝涂层的C/SiC复合材料坩埚-CN202111658860.0有效
发明人：程皓;张永辉;白鸽;郁荣;康媛媛;候雯菲;程凯峰 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有氧化铝涂层的C/SiC复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。本发明所述复合材料坩埚包括C/SiC复合材料坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的氧化铝涂层，且C/SiC复合材料坩埚本体中的陶瓷基体为非晶型SiC以及氧化铝涂层以γ‑Al2O3为主；以γ‑Al2O3为主的涂层与非晶型SiC陶瓷基体具有良好的适配性，结合强度高，在满足坩埚力学性能要求的基础上，一方面大大降低了Si蒸汽对坩埚的侵蚀，而且避免了对复合材料坩埚的机械损伤，提高了坩埚的使用寿命，一方面在单晶硅拉制过程中不会引入杂质成分，保证了拉制单晶硅过程中熔融硅的纯度，与同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚相比，采用本发明所述复合材料坩埚拉制单晶硅的成本显著降低。
一种含有氧化铝涂层 sic 复合材料坩埚

[发明专利]一种含有α-Al2-CN202111658870.4有效
发明人：张永辉;程皓;郁荣;白鸽;候雯菲;康媛媛;程凯峰 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的中密度C/C‑SiC复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层，坩埚本体是通过化学气相渗透工艺和反应熔渗工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭以及碳化硅增密处理获得的C/C‑SiC复合材料，炭纤维预制体的体积密度为0.5g/cm3～0.7g/cm3，热解炭增密至1.2g/cm3～1.4g/cm3，碳化硅增密至1.6g/cm3～1.8g/cm3。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度，避免使用石英坩埚，而且复合材料坩埚使用寿命显著提高，有效降低单晶硅拉制成本，解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。
一种含有 al base sub

[发明专利]一种含有α-Al2-CN202111658891.6有效
发明人：程皓;张永辉;白鸽;郁荣;候雯菲;康媛媛;程凯峰 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。本发明所述复合材料坩埚包括C/SiC复合材料坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层，且C/SiC复合材料坩埚本体中的陶瓷基体为β‑SiC；α‑Al2O3涂层与β‑SiC陶瓷基体具有良好的适配性，结合强度高，在满足坩埚力学性能要求的基础上，一方面大大降低了Si蒸汽对坩埚的侵蚀，而且避免了对复合材料坩埚的机械损伤，提高了坩埚的使用寿命，一方面在单晶硅拉制过程中不会引入杂质成分，保证了拉制单晶硅过程中熔融硅的纯度，满足单晶硅拉制的需求，相比于同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅，采用本发明所述复合材料坩埚拉制单晶硅的成本降低。
一种含有 al base sub

[发明专利]一种含有氧化铝涂层和碳化硅涂层的炭/炭复合材料坩埚-CN202111658845.6有效
发明人：张永辉;程皓;郁荣;白鸽;程凯峰;候雯菲;康媛媛 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有氧化铝涂层和碳化硅涂层的炭/炭复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括炭/炭复合材料坩埚本体以及依次涂覆在坩埚本体内表面的碳化硅涂层、氧化铝涂层，碳化硅涂层有效缓解了氧化铝涂层与基体之间的热失配，氧化铝涂层在熔融硅过程中不引入杂质，能够有效保证硅料的纯度，而且碳化硅涂层和氧化铝涂层配合使用具有优异的抗侵蚀性能，能够有效避免含硅蒸汽对复合材料坩埚本体的侵蚀，进一步提高复合材料坩埚的使用寿命，满足单晶硅拉制的需求。
一种含有氧化铝涂层碳化硅复合材料坩埚

[发明专利]一种含有氧化铝涂层的高密度C/C-SiC复合材料坩埚-CN202111653464.9有效
发明人：张永辉;程皓;白鸽;郁荣;候雯菲;康媛媛;程凯峰 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有氧化铝涂层的高密度C/C‑SiC复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的氧化铝涂层，坩埚本体是通过CVI工艺、树脂浸渍炭化工艺以及PIP工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭、树脂炭以及碳化硅增密处理获得的体积密度为1.8g/cm3～2.0g/cm3的C/C‑SiC复合材料，氧化铝涂层的成分以γ‑Al2O3为主；其中，炭纤维预制体的体积密度为0.3g/cm3～0.6g/cm3，热解炭增密至1.0g/cm3～1.2g/cm3，树脂炭增密至1.4g/cm3～1.6g/cm3，碳化硅增密至1.8g/cm3～2.0g/cm3。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度，而且使用寿命显著提高，有效降低单晶硅拉制成本，解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。
一种含有氧化铝涂层高密度 sic 复合材料坩埚

[发明专利]一种含有α-Al2-CN202111658795.1有效
发明人：张永辉;程皓;郁荣;白鸽;康媛媛;候雯菲;程凯峰 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的炭/炭‑碳化硅复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层，坩埚本体是通过CVI工艺、树脂浸渍炭化工艺以及CVI工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭、树脂炭以及碳化硅增密处理获得的体积密度为1.6g/cm3～1.8g/cm3的C/C‑SiC复合材料；其中，炭纤维预制体的体积密度为0.3g/cm3～0.6g/cm3，热解炭增密至1.0g/cm3～1.2g/cm3，树脂炭增密至1.4g/cm3～1.6g/cm3，碳化硅增密至1.6g/cm3～1.8g/cm3。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度，避免石英坩埚的使用，而且使用寿命显著提高，有效降低单晶硅拉制成本，解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。
一种含有 al base sub

[发明专利]一种含有α-Al2-CN202111681954.X有效
发明人：程皓;张永辉;白鸽;郁荣;康媛媛;程凯峰;候雯菲 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的低密度C/C‑SiC复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层，坩埚本体是通过化学气相渗透工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭以及碳化硅增密处理获得的C/C‑SiC复合材料，炭纤维预制体的体积密度为0.5g/cm3～0.7g/cm3，热解炭增密至1.0g/cm3～1.2g/cm3，碳化硅增密至1.4g/cm3～1.6g/cm3。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度，避免使用石英坩埚，而且复合材料坩埚使用寿命显著提高，有效降低单晶硅拉制成本，解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。
一种含有 al base sub

[发明专利]一种含有氧化铝涂层的低密度C/C-SiC复合材料坩埚-CN202111653468.7有效
发明人：张永辉;程皓;郁荣;白鸽;康媛媛;候雯菲;程凯峰 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有氧化铝涂层的低密度C/C‑SiC复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的氧化铝涂层，坩埚本体是通过CVI工艺以及PIP工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭以及碳化硅增密处理获得的体积密度为1.6g/cm3～1.8g/cm3的C/C‑SiC复合材料，氧化铝涂层的成分以γ‑Al2O3为主；其中，炭纤维预制体的体积密度为0.3g/cm3～0.6g/cm3，热解炭增密至1.4g/cm3～1.6g/cm3，碳化硅增密至1.6g/cm3～1.8g/cm3。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度，避免石英坩埚的使用，而且复合材料坩埚的使用寿命显著提高，有效降低单晶硅拉制成本，解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。
一种含有氧化铝涂层密度 sic 复合材料坩埚

1
共 9 条