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[发明专利]用于使射频电路中的信号失真最小化的方法-CN201880030548.7有效
发明人： M·波卡特;佛雷德里克·阿利伯特;E·德斯博内特;J-P·拉斯金;M·莱克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于使在涂覆有电绝缘层(2,2b)的半导体衬底(1)上形成的射频电路(L)中传播的射频信号的谐波失真和/或互调失真最小化的方法，其中，表示所述失真随着输入或输出信号的功率而变化的曲线在给定功率(PDip)周围显示出波谷，所述方法的特征在于，其包括在所述射频电路(L)和所述半导体衬底(1)之间施加电势差(VGB)，所述电势差被选择为使所述波谷朝向所述射频电路的给定工作功率移动。
用于射频电路中的信号失真最小化方法

[发明专利]用于在绝缘体上硅晶圆中溶解埋置氧化物的方法-CN201780063006.5有效
发明人： 佛雷德里克·阿利伯特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在绝缘体上硅晶圆中溶解埋置氧化物的方法，该方法包括以下步骤：设置绝缘体上硅晶圆(100、300、400、500)，该绝缘体上硅晶圆具有经由埋置氧化物层(102、302、402、502)附接至载体衬底(103、303、403、503)的硅层(101、301、401、501)，并且对所述绝缘体上硅晶圆(100、300、400、500)进行退火以至少部分地溶解所述埋置氧化物层(102、302、402、502)。本发明方法还包括在所述退火步骤之前在所述硅层(101、301、401、501)上或上方设置氧清除层(104、304、404、504)的步骤。
用于绝缘体上硅晶圆中溶解氧化物方法

[发明专利]用于集成射频器件的衬底及其制造方法-CN201880094399.0在审
发明人：克里斯泰勒·维蒂佐;帕特里克·雷诺;O·科农丘克;佛雷德里克·阿利伯特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于射频电子和微电子领域的衬底(1)，其包括：基础衬底(3)；位于所述基础衬底(3)上并与其直接接触的单一碳层(2)，所述碳层(2)具有严格在1nm到5nm范围的厚度；位于所述碳层(2)上的绝缘体层(4)；位于所述绝缘体层(4)上的器件层(5)。本发明还涉及一种用于制造所述衬底的方法。
用于集成射频器件衬底及其制造方法

[发明专利]用于射频应用的衬底及相关制造方法-CN201980019354.1在审
发明人： 佛雷德里克·阿利伯特;克里斯泰勒·维蒂佐;D·拉迪森 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于射频微电子器件的衬底，该衬底包括由半导体制成的载体衬底，其特征在于，该衬底包括置于载体衬底上并由至少第一电介质和不同于第一电介质的第二电介质的粉末形成的烧结复合层，所述烧结复合层具有大于5微米的厚度和与载体衬底的热膨胀系数相匹配的热膨胀系数，为±30％以内。
用于射频应用衬底相关制造方法

[发明专利]用于表面声波器件的混合结构及相关的制造方法-CN201980018383.6在审
发明人： 佛雷德里克·阿利伯特;克里斯泰勒·维蒂佐 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L41/43 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(10)，所述混合结构(10)包括：压电材料的有用层(1)，该有用层(1)被连结至具有比有用层(1)低的热膨胀系数的支撑基板(2)；以及中间层(3)，该中间层(3)被布置在有用层(1)与支撑基板(2)之间。中间层是由至少第一材料和第二材料的粉末形成的烧结复合层(3)，该第二材料与该第一材料不同。
用于表面声波器件混合结构相关制造方法

[发明专利]用于半导体结构的支撑件-CN201880007067.4在审
发明人：帕特里克·雷诺;M·波卡特;佛雷德里克·阿利伯特;克里斯泰勒·维蒂佐;L·卡佩罗;I·伯特兰 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体结构的支撑件(1)，所述支撑件(1)包括：基础衬底(3)；第一二氧化硅绝缘层(2a)，所述第一二氧化硅绝缘层(2a)被设置在所述基础衬底(3)上并且厚度大于20nm；以及电荷俘获层(2)，所述电荷俘获层(2)具有高于1000ohm.cm的电阻率以及大于5微米的厚度，并且被设置在所述第一绝缘层(2a)上。
支撑件二氧化硅绝缘层半导体结构电荷俘获层衬底绝缘层电阻率

[发明专利]测量载流子的寿命的方法和设备-CN200880106589.6有效
发明人： 佛雷德里克·阿利伯特;奥列格·科农丘克 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2008-09-08 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：一种测量载流子寿命的设备包括测量探针，所述测量探针包括用于将紫外辐射引导至测量位置的装置。所述测量探针还包括至少一个电极，所述至少一个电极被设置为与所述测量位置成预定空间关系。所述设备还包括：微波源，所述微波源被设置为将微波辐射引导至所述测量位置；微波检测器，所述微波检测器被设置为测量响应于所述紫外辐射在所述测量位置反射的微波辐射的强度的改变；以及半导体结构支架，所述半导体结构支架被设置为容纳半导体结构，并且提供到所述半导体结构的一部分的电接触。另外，提供了用于相对于所述测量探针来移动所述半导体结构支架以将所述半导体结构的至少一部分定位在所述测量位置的装置。所述设备还包括电源，所述电源被设置为在所述半导体结构支架与所述电极之间施加偏置电压。
测量载流子寿命方法设备

[发明专利]具有改进电特性的复合基片的制造方法-CN200710004347.3有效
发明人： 佛雷德里克·阿利伯特;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有改进电特性的复合基片的制造方法，所述复合基片(4)包括至少一个插入在支撑基片(1)和半导体材料的活性层(21)之间的薄绝缘层(32)，其以如下顺序包含以下步骤：在源基片上形成或沉积绝缘层(32)，并且选择性地在所述支撑基片(1)上形成或沉积绝缘层(31)；对所述绝缘层(32)进行恢复热处理和选择性地对形成在所述支撑基片(1)上的所述绝缘层(31)进行恢复热处理；对将粘合在一起的两个面中的至少一个面进行等离子体活化；通过分子结合粘合两个基片，以使所述绝缘层(32)位于其间；和将部分所述源基片剥离，从而仅保留构成所述活性层(21)的材料的厚度。该方法可以制造具有改进电特性的基片(4)。
具有改进特性复合制造方法