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- [发明专利]一种一次性可编程存储器和电子设备-CN202210415932.7在审
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何世坤;张楠;黄张英
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浙江驰拓科技有限公司
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2022-04-20
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2023-10-27
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G11C11/16
- 本申请公开了一次性可编程存储器和电子设备，属于磁旋存储领域，包括比较器、参考电阻、至少一个存储单元，存储单元包括磁性随机存储器和晶体管；磁性随机存储器中磁隧道结的第一端与晶体管的第一端连接，磁隧道结的第二端与位线连接；晶体管的第二端分别与源极线、比较器的第一端连接，比较器的第一端与源极线连接；磁隧道结的读电压由源极线处施加，读电压大于磁隧道结由平行态翻转到反平行态的电压。磁隧道结的读电压由源极线处施加，且大于由平行态翻转到反平行态的电压，所以读取的电阻为击穿态电阻或反平行态电阻，参考电阻的窗口即为反平行态电阻和击穿态电阻间的距离，窗口增大，且无需对磁隧道结的生产工艺做任何调整，非常简单。
- 一种一次性可编程存储器电子设备
- [发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件-CN202210360758.0在审
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于志猛;何世坤
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中电海康集团有限公司
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2022-04-07
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2023-10-24
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H01L21/336
- 本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供包括衬底、底电极层、存储材料层、第一介质层以及顶电极层的基底，其中，衬底、底电极层、存储材料层以及第一介质层依次层叠，第一介质层包括第一开口，第一开口使得部分的存储材料层裸露，顶电极层位于第一开口内；然后，沿着第一方向去除部分顶电极层，剩余的顶电极层形成多个间隔设置的预备顶电极；之后，沿着第二方向去除部分预备顶电极，使得每个预备顶电极形成多个间隔的顶电极，第二方向垂直于第一方向；最后，以顶电极作为掩膜，刻蚀存储材料层，使得部分的底电极层裸露。通过改变去除面积，实现较小的顶电极的制作，保证了半导体器件尺寸满足发展需求。
- 半导体器件制作方法以及
- [发明专利]一种存储器及其制作方法-CN202210213392.4在审
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于志猛;何世坤
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浙江驰拓科技有限公司
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2022-03-04
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2023-09-15
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H10B61/00
- 本申请公开了一种存储器及其制作方法，包括在底电路层的上表面同时形成存储阵列区的底电极以及逻辑区的第一顶部接触体；在存储阵列区待处理存储单元层的上表面和逻辑区形成图形化介质层；在图形化介质层的通孔中同时形成硬掩膜层和第二顶部接触体；硬掩膜层对应底电极，第二顶部接触体与第一顶部接触体接触连接；刻蚀待处理存储单元层形成存储单元层，得到存储器。本申请在形成存储阵列区的底电极的同时形成逻辑区的第一顶部接触体，在形成存储阵列区的硬掩膜层的同时形成逻辑区的第二顶部接触体，即逻辑区的顶部接触体分两次制作，且每次制作与存储阵列区中的结构同时完成，简化存储器的制作工艺，同时减少光罩的使用，降低成本。
- 一种存储器及其制作方法
- [发明专利]一种阻式存储器及其制作方法-CN202210204154.7在审
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于志猛;何世坤
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浙江驰拓科技有限公司
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2022-03-02
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2023-09-15
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H10N50/01
- 本申请公开了一种阻式存储器及其制作方法，包括在底电路层的上表面依次沉积底电极层和硬掩膜层；采用反应离子刻蚀方式刻蚀硬掩膜层，得到图形化硬掩膜层；以图形化硬掩膜层作为掩膜，采用离子束刻蚀方式刻蚀底电极层，形成预处理底电极；底电极层未被刻穿；在预处理底电极上形成电极介质侧壁层；刻蚀电极介质侧壁层并刻穿电极层未被刻穿的区域，形成底电极；在底电极的上表面依次形成存储单元层和顶电路层，得到阻式存储器。本申请用反应离子刻蚀和离子束刻蚀相结合的方式制作底电极，解决制作小尺寸底电极过程中对设备的严格要求，能够在工艺设备或尺寸控制水平不佳情况下，满足阻式存储器对底电极的苛刻要求，降低制作难度。
- 一种存储器及其制作方法
- [发明专利]存储单元与存储器-CN201810196253.9有效
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宫俊录;何世坤;孟凡涛
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中电海康集团有限公司
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2018-03-09
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2023-08-18
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H10N50/10
- 本申请提供了一种存储单元与存储器。该存储单元包括：由下至上依次叠置设置的第一电极、合成反铁磁结构、参考层、绝缘势垒层、自由层以及第二电极，参考层与自由层的磁化方向均与存储单元的厚度方向平行，合成反铁磁结构包括由下至上依次叠置设置的第一磁性层、间隔层以及第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层通过间隔层发生反铁磁耦合，间隔层为二维材料层。该存储单元中，在第一电极与参考层之间设置合成反铁磁结构，该结构采用二维材料层作为间隔层，这样的间隔层使得两侧的磁性层磁矩因发生层间反铁磁交换作用而反平行排列。该合成反铁磁结构中间隔层两侧的磁性层无需是多个薄层，使得存储单元的制作工艺较简单且容易控制。
- 存储单元存储器
- [发明专利]MRAM存储器的制备方法-CN202111683205.0在审
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于志猛;何世坤
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浙江驰拓科技有限公司
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2021-12-30
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2023-07-14
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H01L21/768
- 本发明提供一种MRAM存储器的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括阵列区和逻辑区；在衬底表面沉积介质，形成阵列区的第一介质层以及逻辑区介质层，之后阵列区形成磁性隧道结底电极、磁性隧道结材料层和介质硬掩膜层，并暴露逻辑区介质层；在阵列区介质硬掩膜层上形成第二介质层，并补充逻辑区介质层；进行光刻和刻蚀，在阵列区形成用于暴露磁性隧道结材料层的第一穿孔，以及，在逻辑区形成用于暴露底部金属线的第二穿孔；在第一穿孔和第二穿孔中填充金属，并进行平坦化处理，形成阵列区的金属硬掩膜层和逻辑区金属通孔；基于金属硬掩膜层对磁性隧道结材料层进行刻蚀，在阵列区形成磁性隧道结。
- mram存储器制备方法
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