“任晓敏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果258个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]图像显示方法、计算机设备和存储介质-CN202011628738.4在审
发明人：苏赛赛;任晓敏;滕艳群 -专利权人：上海联影医疗科技股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06T7/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种图像显示方法、计算机设备和存储介质。所述方法通过获取同一患者的同一血管结构的2D序列和3D序列的医学图像，对2D序列的医学图像进行血管分割，得到第一血管横截面，将第一血管横截面和3D序列的医学图像中的血管结构进行配准，得到配准后的医学图像。上述方法实现了在同一显示界面上同时展示2D序列的第一血管横截面和3D序列的血管结构，既从3D维度展示了整个血管结构，也从2D层面展示了血管横截面，包含了血管结构的整体形态和局部信息，为医生之后基于显示界面上展示的3D和2D序列的图像进行斑块分析提供了充分且可靠的参考数据，从而提高了对于斑块分析的准确性。
图像显示方法计算机设备存储介质

[发明专利]一种硅基III-V族半导体材料的制备方法-CN202210220200.2在审
发明人： 任晓敏;韦欣;王琦;王俊;刘昊;刘凯;张翼东;李健;江晨;王臻;刘倬良;杨一粟;黄永清;蔡世伟;李川川 -专利权人：北京邮电大学;中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
一种 iii 半导体材料制备方法

[实用新型]一种新型厌氧反应器-CN202220215316.2有效
发明人：张传兵;侯亚平;王杰;边卫云;任晓敏;付志鹏;何朋英;王俊;焦鹏飞;李雪清;李雯 -专利权人：华夏碧水（宁夏）环保科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C02F3/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型厌氧反应器，包括水箱和呈中空结构的反应器，反应器内设置有两个隔板，两个隔板将反应器内部分隔成三个隔室，隔室内均设置有带微生物的污泥，每个隔板上均开设有出水口，相邻隔室通过出水口相连通，隔室内均固定连接有竖直设置的折流板，折流板底部均固定连接有引导板，每个升流室内均设置有填充层，反应器上设置有搅拌机构，转轴与反应器均通过轴承转动连接，电机的输出轴与其中一个转轴固定连接，相邻转轴传动连接，转轴位于反应器内的部分均固定连接有搅拌杆，隔室的顶部均连通有排气管，排气管均与输送管相连通。本实用新型解决了现有的厌氧反应器中存在厌氧反应死区，污水处理效率低的问题。
一种新型反应器

[实用新型]一种石油化工废水净化处理装置-CN202220291462.3有效
发明人：张传兵;杨传忠;闫项飞;徐丹丹;张佳玮;崔宗营;耿东岳;胡进林;韦云钊;任晓敏;陈朋涛 -专利权人：华夏碧水（宁夏）环保科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种石油化工废水净化处理装置，包括处理槽，所述处理槽的顶面敞口，所述处理槽的侧部设置排水口，所述处理槽的一侧设置储药罐，所述储药罐的出料口连通所述处理槽的内部；所述处理槽内设置提篮式过滤器，所述提篮式过滤器的形状与所述处理槽的内壁相适应，所述处理槽对应所述提篮式过滤器设置升降机构。该石油化工废水净化处理装置的处理槽既可以作为沉淀池使用，也可以通过储药罐加入化学药剂作为絮凝池使用，有效减小石油化工废水处理的设备成本，另外，在处理槽内设置提篮式过滤器，以便对沉淀物或絮凝物进行过滤，使用过程中还可以通过升降机构调整提篮式过滤器的位置。
一种石油化工废水净化处理装置

[实用新型]一种防溢出的平底奶锅-CN202122971275.8有效
发明人： 任晓敏 -专利权人：金华市鑫茂厨具有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： A47J27/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及厨具用品领域，尤其涉及一种防溢出的平底奶锅,包括平底锅、锅盖，防溢机构安装在锅盖内壁底端，圆环固定安装在锅盖内壁底端，防溢罩固定安装在圆环上，防溢罩顶端开设有溢出口，圆环上环形间隔开设有回流孔，防溢板螺纹连接在圆环内壁上，锅盖顶端开设有圆孔，圆孔内安装有泄压机构，通过设置防溢机构与泄压机构，使得防溢机构与泄压机构共同配合奶锅防溢，泄压机构在奶锅内压力较大辅助将奶锅内气压泄出，防溢机构在奶锅内液体溢出时，通过防溢罩使溢出液体降温返流到奶锅内，改善奶锅内液体溢出，并避免奶锅内液体溢出至锅外导致的浪费。
一种溢出平底

[实用新型]一种污泥资源化处置装置-CN202123311301.0有效
发明人：张传兵;侯亚平;侯东亚;贾天聪;张旭东;任晓敏;万家虎;徐建飞;代攀;王俊;张冉 -专利权人：华夏碧水环保科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：一种污泥资源化处置装置，包括泥水分离装置和搅拌混合装置，泥水分离装置包括沉淀箱，沉淀箱的顶部设有污水注入口，沉淀箱的上端设有倾斜向下设置的沙石过滤筛，集泥斗的下端连通有排泥装置，排泥装置包括污泥输送箱，污泥输送箱内设有倾斜设置的支撑轴，支撑轴的两端可转动连接在污泥输送箱的两端，污泥输送箱下端的底部设有一级排泥管，支撑轴上设有螺旋输送叶片，混合搅拌装置包括搅拌箱，搅拌箱的顶端设有加药口，搅拌箱的底部设有二级排泥管，搅拌箱的顶端固定有搅拌电机，搅拌轴上设有若个起搅拌作用的搅拌叶片，搅拌轴的下端通过轴承座可转动设置在支撑梁上。本实用新型结构简单，使用方便。
一种污泥资源处置装置

[发明专利]硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法-CN202011359732.1在审
发明人： 任晓敏;张翼东;刘昊;王琦;刘凯 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅上III‑V族半导体外延结构及其制备方法，该方法包括：在硅衬底上直接或间接生长适配层；在所述适配层上直接或间接生长III‑V族半导体目标外延结构；其中，所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III‑V族化合物适配层。该方法生长工艺简单，易调控，对生长设备没有特殊要求。特别是，降低穿透位错密度所需的适配层的厚度薄，使得后续通过增加层数和厚度来优化III‑V族半导体外延结构变为可能，利于硅上高性能III‑V族半导体器件的制备。
iii 半导体外延结构及其制备方法

[实用新型]一种电力光缆检修滑轮架-CN202123069022.8有效
发明人：陈同欣;何玉婷;梁丽敏;温凯晴;任晓敏 -专利权人：郑州电力职业技术学院
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G02B6/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电力光缆检修滑轮架，包括承载板，承载板上设有防护框，防护框的两侧均连接有滑轮拉索，滑轮拉索与滑轮框连接，滑轮框上设有滑轮，滑轮框上铰接有开合板，防护框的中部连接有辊筒拉索，辊筒拉索与外套筒连接，外套筒的两端均套设有内套杆，内套杆上设有辊筒，外套筒与内套杆之间设有锁紧组件。本实用新型的有益效果：利用两侧的滑轮框进行吊滑，取消传统的单点吊装方式，避免整体发生旋转，保证检修人员的朝向稳定；后部拖拉有辊筒结构，辊筒进行拉拽支撑，提高整体稳定性，保证检修人员的俯仰角度合适；整体结构可调，能够适应两股光缆之间的不同宽度，提高适用性。
一种电力光缆检修滑轮

[发明专利]一种微波焊接用焊锡膏及其制备方法与焊接方法-CN202210290495.0在审
发明人： 任晓敏;马鑫;李高峰 -专利权人：深圳市汉尔信电子科技有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B23K35/24 文献下载
摘要：本发明公开一种微波焊接用焊锡膏及其制备方法与焊接方法。所述微波焊接用焊锡膏，其中，按质量百分数计，所述焊锡膏包括以下组分：10％‑15％的助焊膏和85％‑90％的金属合金粉，其中，所述助焊膏由以下组分组成：85％‑90％的松香、1％‑5％的活性剂、5％‑10％的含高极性分子的溶剂，所述高极性分子为H2O，所述溶剂为聚丁二酸丁二醇酯。本发明使用的含高极性分子的溶剂为微波用助焊膏的重点所在，利用这种高极性分子的震荡产生的热能进行焊接，从而达到更好的焊接效果。
一种微波焊接焊锡膏及其制备方法

[发明专利]一种非特意掺杂III-V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用-CN202011052522.8有效
发明人：黄永清;杨丹;刘凯;段晓峰;杜嘉薇;王俊;王琦;任晓敏;蔡世伟 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
一种特意掺杂 iii 半导体欧姆接触结构及其制备方法应用

[发明专利]一种无偏角Si（001）衬底InP材料的金属有机化学气相沉积方法-CN202111468703.3在审
发明人：王俊;肖春阳;李家琛;王海静;贾艳星;黄永清;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种无偏角Si(001)衬底InP材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，A)将无偏角Si(001)衬底清洗后，在氢气环境下进行表面退火处理；B)采用MOCVD方法在退火后的无偏角Si(001)衬底上依次生长GaAs成核层、中温GaAs层和高温GaAs层；C)采用MOCVD方法在所述高温GaAs层上依次生长InP成核层和高温InP层。本发明在氢气环境下进行高温退火，能够使无偏角Si(001)表面的单层原子台阶转换为双层原子台阶，避免后续生长出现的反相畴缺陷。本发明工艺简单且成本较低，能够在CMOS工艺兼容的无偏角Si(001)衬底上实现高质量无反相畴InP外延层的大规模化生产。
一种偏角 si 001 衬底 inp 材料金属有机化学沉积方法

[发明专利]一种集成式蝶阀-CN202210103799.1在审
发明人：李宗;朱孝;谢和平;宁冉;袁自成;王嘉伟;朱新波;张浩阳;任晓敏;徐晟轩;顾程鹏 -专利权人：徐州徐工矿业机械有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： F15B13/02 文献下载
摘要：本发明属于液压元器件领域，具体涉及一种集成式蝶阀，该蝶阀包括阀体、阀板、旋转轴和手柄，所述阀体上设有贯穿阀体两端面的油口；所述旋转轴由阀体的侧面贯穿进阀体内，并穿过油口支撑在阀体的阀壁中；所述阀板置于油口内并与旋转轴连接；位于阀体外侧的旋转轴与手柄连接；所述手柄上设有磁感应开关上部，所述阀板的侧面设有与磁感应开关上部相感应的磁感应开关下部，磁感应开关下部与矿用自卸车控制器信号连接；所述阀体位于油口一侧的端面设有安装孔Ⅰ和安装孔Ⅱ；当阀板与油口的轴向中心线垂直时，蝶阀处于关闭状态。在进行维修前，先将液压油箱和与液压油箱连接的元件物理隔离，方便液压系统维修，而不需要排空液压油箱的液压油。
一种集成式蝶阀

[外观设计]吸吊灯（9005）-CN202230116838.2有效
发明人： 任晓敏 -专利权人： 任晓敏
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：吸吊灯（9005）。2.本外观设计产品的用途：用于室内照明。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
吊灯 9005

[外观设计]吸顶灯（8236）-CN202230091367.4有效
发明人： 任晓敏 -专利权人： 任晓敏
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：吸顶灯（8236）。2.本外观设计产品的用途：用于室内照明。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.本外观设计产品的设计1、设计2的俯视图为使用时不容易看到或看不到的部位，省略设计1、设计2的俯视图。6.指定设计1为基本设计。
吸顶灯 8236

[外观设计]吸顶灯配件（8235）-CN202230091363.6有效
发明人： 任晓敏 -专利权人： 任晓敏
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：吸顶灯配件（8235）。2.本外观设计产品的用途：用于室内灯饰配件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
吸顶灯配件 8235