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[发明专利]一种无应力抛光装置-CN201610255687.2有效
发明人：金一诺;代迎伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：本发明公开了一种无应力抛光装置，包括晶圆夹、辅助喷头装置和主喷头装置。晶圆夹夹持有晶圆，晶圆夹可水平移动并旋转；辅喷头装置包括辅喷头和辅喷头上的多个喷嘴，辅喷头位于晶圆夹下方，喷嘴面向晶圆的外边缘及晶圆夹喷洒电解液，辅喷头在水平方向上倾斜放置，且在晶圆夹的运动过程中，晶圆边缘在主喷头上方时辅喷头喷洒到晶圆上的液点比晶圆中心在主喷头上方时辅喷头喷洒到晶圆上的液点距圆心的距离远，辅喷头装置还包括遮盖在辅喷头外部的用于挡住喷洒出的电解液的保护罩，保护罩上开有一可供电解液通过的窗口，窗口在辅喷头上水平移动；主喷头装置包括主喷头，主喷头位于晶圆夹的下方，主喷头面向晶圆喷洒电解液。
一种应力抛光装置

[发明专利]TSV结构的平坦化工艺和装置-CN201680084216.8有效
发明人：金一诺;代迎伟;杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示了TSV结构的平坦化工艺和装置。TSV结构包括晶圆(101)、晶圆(101)上的通孔(102)、晶圆(101)上的氧化层(103)、氧化层(103)上及通孔(102)的底部和侧壁上的阻挡层(104)、通孔(102)内及阻挡层(104)上的金属层(105)。TSV结构的平坦化工艺包括：采用无应力抛光工艺(301)去除晶圆的非凹进区域上的全部金属层；采用化学湿法刻蚀工艺(303)(305)去除非凹进区域上的金属层残余以及阻挡层。
tsv 结构平坦化工装置

[发明专利]去除阻挡层的方法-CN202010519561.8在审
发明人：王晖;张洪伟;代迎伟;金一诺;王坚 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示了去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，去除单层金属钌阻挡层，包括：氧化步骤，使用电化学阳极氧化工艺将单层的金属钌阻挡层氧化成钌氧化物层；氧化层刻蚀步骤，用刻蚀液对钌氧化物层进行刻蚀，去除钌氧化物层。本发明还提出去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，用于10nm及以下的工艺节点的结构中，结构包括衬底、介质层、阻挡层和金属层，介质层沉积在衬底上，介质层上形成凹进区，阻挡层沉积在介质层上，金属层沉积在阻挡层上，金属层是铜层，阻挡层是单层金属钌层，该方法包括：减薄步骤，对金属层进行减薄；去除步骤，去除金属层；氧化步骤，对阻挡层进行氧化，氧化步骤使用电化学阳极氧化工艺；氧化层刻蚀步骤，刻蚀氧化后的阻挡层。
去除阻挡方法

[发明专利]半导体结构的加工方法及清洗装置-CN201911392133.7在审
发明人： 代迎伟;金一诺;张洪伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的加工方法，包括采用电化学抛光工艺，将高出阻挡层顶面的铜层厚度减薄；采用湿法刻蚀工艺，去除减薄后的铜层顶面的氧化层；采用化学机械抛光工艺，去除高出阻挡层顶面的剩余铜层；采用湿法刻蚀工艺，去除高出多晶硅层顶面的阻挡层；将晶圆的正面朝下，采用等离子体由下至上轰击晶圆正面，去除晶圆表面的颗粒。通过电化学抛光减薄铜层，降低化学机械抛光工艺抛光液用量，达到降低成本的目的，同时采用湿法刻蚀去除阻挡层，减少晶圆表面划伤缺陷的出现。同时还提出了一种清洗装置，将晶圆倒置在工艺腔顶部，使得等离子体由下至上轰击晶圆表面，以使颗粒在重力作用下自由下落，达到较好地颗粒去除效果。
半导体结构加工方法清洗装置

[发明专利]化学液供应装置及半导体设备-CN201911221421.6在审
发明人： 代迎伟;李军世;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B01F13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化学液供应装置及半导体设备。化学液供应装置包括原液供应模块、混液模块及互连模块；原液供应模块包括多个化学液供应单元，多个化学液供应单元用于供应不同的化学液；混液模块包括混合腔体，用于将化学液进行混合；互连模块包括互连管和多个液体管路，互连管用于连通原液供应模块和混液模块的内部空间，液体管路用于连通化学液供应单元和混合腔体，液体管路的数量与化学液供应单元的数量相对应。本发明相较于传统的双套管连接方式，可以极大减少管路安装工作量及成本、提高设备稳固性。相较于现有技术，本发明的化学液供应装置及半导体设备结构更加紧凑、可减少设备占用空间，设备的稳固性大大提高，有助于提高生产安全性。
化学供应装置半导体设备

[发明专利]一种减少铜膜厚度的方法-CN201610292045.X有效
发明人：金一诺;代迎伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少铜膜厚度的方法，包括以下步骤：采用电化学镀铜工艺在晶圆表面镀上铜层；采用电化学抛光工艺将晶圆表面铜膜厚度减薄；使用柠檬酸去除晶圆表面氧化层。本发明利用柠檬酸清洗晶圆表面去除氧化层，解决了氧化层对化学机械平坦化工艺的去除率及均匀性产生影响的问题。
一种减少厚度方法

[发明专利]退火腔进气装置-CN201910784371.6在审
发明人： 代迎伟;杨宏超;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种退火腔进气装置，包括供气管路、多条供气支路、多个散气腔以及进气筒，每个散气腔由一条供气支路与供气管路连通，所述进气筒的一端与供气支路的出气口相连并位于所述散气腔内，所述进气筒的侧壁上开有多个散气孔。本发明通过每个散热腔内增加一个用于缓冲均布工艺气流的进气筒，解决了现有装置内工艺气体一下子涌入散气腔内，无法在散气腔内均匀分布后均匀进入退火腔的问题，保证了退火腔内工艺气体的均匀性。
退火腔进气装置

[发明专利]退火腔进气装置-CN201910784408.5在审
发明人： 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种退火腔进气装置，包括供气管路、多条供气支路、多个散气腔和多个气流控制楔子，每个散气腔通过一条供气支路与供气管路相连通，每个供气支路与供气管路之间安装有一个气流控制楔子；气流控制楔子包括固定端和导气管，导气管的一端与固定端相连，另一端开有出气口，固定端与供气管路可拆卸固定，导气管穿入供气管路后伸入供气支路中，导气管上还开设有贯穿的导气孔，所述导气孔与供气管路相通。本发明使用一个混气模块供应多个退火腔体的工艺气体，减少了成本以及设备体积，通过在退火腔进气装置上增加气流控制楔子，在工艺过程中通过更换不同内管径的气流控制楔子，达到多个腔体的气流均匀稳定，实现了工艺稳定、降低成本的目的。
退火腔进气装置

[发明专利]流量控制方法-CN201410367261.7有效
发明人： 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G05D7/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种流量控制方法，至少使用流量计、控制单元、电磁阀及流量控制器构建PID闭环控制系统，该方法包括如下步骤：建立控制单元输出至电磁阀的控制电流与供液管道内液体的流量之间的函数模型，获取流量起始变化点Fmin及流量终止变化点Fmax，在Fmin至Fmax范围内，供液管道内液体的流量随控制电流的增大而增大；设定供液管道内液体的流量值，该流量值的取值范围为Fmin至Fmax；根据建立的控制电流与供液管道内液体的流量之间的函数模型，计算与设定的流量值相对应的控制电流值，并将控制电流值输出至电磁阀，电磁阀接收控制电流后输出具有相应压力的CDA至流量控制器，开始PID调节，直至供液管道内液体的流量稳定。本发明能够提高流量控制精度和效率。
流量控制方法

[发明专利]晶圆抛光方法-CN201610353248.5有效
发明人： 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆抛光方法，该方法包括：膜厚测量步骤，对晶圆进行膜厚测量；移放晶圆步骤，将晶圆移放至工艺位置；预湿润及电化学抛光步骤，预湿润晶圆后对晶圆进行电化学抛光；后续处理步骤，对晶圆进行后续处理；晶圆根据其膜厚，预湿润及电化学抛光步骤被重复执行多次后才进入后续处理步骤。采用本发明的技术方案，能够大大缩短工艺时间，并保证抛光得到的晶圆表面具有良好的粗糙度。
抛光方法

[发明专利]晶圆加工装置-CN201410067723.3有效
发明人： 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆加工装置，包括：晶圆夹盘、晶圆传递盘及驱动器。晶圆夹盘的中心开设有轴孔。晶圆传递盘内设在晶圆夹盘的轴孔中。驱动器驱动晶圆夹盘与晶圆传递盘相对运动，使晶圆传递盘位于晶圆夹盘的轴孔之外以夹取晶圆或使晶圆传递盘位于晶圆夹盘的轴孔之内以将晶圆固定在晶圆夹盘上。本发明通过将晶圆夹盘与晶圆传递盘套设在一起，并且通过驱动器驱动晶圆夹盘与晶圆传递盘相对运动，实现了晶圆加工装置自动夹取晶圆，并可以使晶圆垂直固定在晶圆加工装置上以便对晶圆进行工艺加工。
加工装置

[发明专利]光辐射加热刻蚀装置及方法-CN201510243409.0有效
发明人： 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产和加工领域。本发明揭示了一种光辐射加热刻蚀装置，通过光辐射对待刻蚀基板进行加热以实施刻蚀工艺，该光辐射加热刻蚀装置设置有刻蚀腔，该光辐射加热刻蚀装置还包括光辐射加热器，刻蚀腔内设置有承载台、冷却系统、进气装置和排放装置，承载台用于放置基板，承载台与冷却系统配合设置以使承载台被冷却系统冷却，进气装置供工艺所需的气体进入刻蚀腔；刻蚀腔与排放装置相连以排出气体；光辐射加热器面向基板并与基板的待刻蚀面相对设置，光辐射加热器照射并加热基板的待刻蚀面。另外，本发明还揭示了一种光辐射加热刻蚀方法。采用本发明提供的技术方案，能够消除传统刻蚀工艺中造成的侧边侵蚀现象，并带来其他有益效果。
光辐射加热刻蚀装置方法

[发明专利]一种基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘-CN201510418756.2有效
发明人： 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘，提升边缘抛光效果。其技术方案为：基于阳极喷头位置进行优化的晶圆旋转卡盘的半径大于晶圆的半径，卡盘超出晶圆的部分设置一圆环，卡盘中间形成晶圆片槽用于吸附晶圆，位于卡盘下方设有电源、阴极喷头和阳极喷头，其中阳极喷头的位置相对于晶圆是固定的，阳极喷头所喷射的抛光液的投影位于圆环内。
一种基于阳极喷头位置进行优化旋转卡盘

[发明专利]无应力电化学抛光方法-CN201510251140.0有效
发明人： 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C25F3/30 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工和制造领域。本发明揭示了一种无应力电化学抛光方法，用于抛光半导体基板。该方法依次包括：预湿工序，使用抛光液沾湿基板的整个待抛光面，基板的待抛光面表层为金属膜；抛光工序，对基板进行无应力电化学抛光；干燥工序，干燥基板。本发明提供的技术方案，以传统的无应力电化学抛光方法为基础，对其进行了改进，能够使抛光结果大为改观，并消除抛光液对设备的污染以及对后续工艺的干扰，提高了半导体基板的品质。
应力电化学抛光方法

[发明专利]基于阴极喷头位置变化进行优化的晶圆旋转卡盘-CN201510418760.9有效
发明人： 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阴极喷头位置变化进行优化的晶圆旋转卡盘，基于阴极喷头移动过程中的位置变化来调节抛光电流，达到抛光均匀的目的。其技术方案为：卡盘的半径大于晶圆的半径，卡盘超出晶圆的部分设置一圆环，卡盘中间形成晶圆片槽用于吸附晶圆，位于卡盘下方设有电源、阴极喷头和阳极喷头，其中阳极喷头的位置相对于晶圆是固定的，阴极喷头从晶圆中心沿着晶圆半径移动至晶圆外的圆环上，当阴极喷头移动到晶圆边缘时，阴极喷头与晶圆相交的面积随移动而减小，阴极喷头上的抛光电流对应减小。
基于阴极喷头位置变化进行优化旋转卡盘

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