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[发明专利]烧结体-CN201980085191.7有效
发明人：川岛绘美;井上一吉;大山正嗣;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种烧结体，是含有In元素、Ga元素以及Ln元素的烧结体，包含：由In2O3表示的方铁锰矿结构的第1氧化物；含有In元素、Ga元素以及Ln元素的石榴石结构的第2氧化物；和满足由下述(1)、(2)以及(3)表示的原子组成比的范围的第3氧化物，Ln元素是选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的一种以上的元素。0.3≤In/(In+Ga+Ln)≤0.7…(1)0.3≤Ga/(In+Ga+Ln)≤0.7…(2)0≤Ln/(In+Ga+Ln)＜0.05…(3)。
烧结

[发明专利]氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶-CN202211043880.1有效
发明人：笘井重和;井上一吉;江端一晃;柴田雅敏;宇都野太;霍间勇辉;石原悠 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
氧化物烧结制造方法溅射

[发明专利]晶体化合物、氧化物烧结体、溅射靶、晶质及无定形氧化物薄膜、薄膜晶体管及电子设备-CN202310249208.6在审
发明人： 井上一吉;柴田雅敏;川岛绘美;佐佐木健一;八百笃史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(InxGayAlz)2O3....(2)(式(2)中，0.47≤x≤0.53，0.17≤y≤0.43，0.07≤z≤0.33，x+y+z＝1。)31°～34°…(A)、36°～39°…(B)、30°～32°…(C)、51°～53°…(D)、53°～56°…(E)、62°～66°…(F)、9°～11°…(G)、19°～21°…(H)、42°～45°…(I)、8°～10°…(J)、17°～19°…(K)。
晶体化合物氧化物烧结溅射无定形薄膜薄膜晶体管电子设备

[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶-CN201880012548.4有效
发明人： 井上一吉;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜，其特征在于，以下述原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，且以下述原子比含有稀土元素X，0.03≦X/(In+Ga+Sn+X)≦0.25…(4)。
氧化物半导体薄膜晶体管烧结以及溅射

[发明专利]晶体化合物、氧化物烧结体、溅射靶、晶质及无定形氧化物薄膜、薄膜晶体管及电子设备-CN201980050258.3有效
发明人： 井上一吉;柴田雅敏;川岛绘美;佐佐木健一;八百笃史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(InxGayAlz)2O3····(2)(式(2)中，0.47≤x≤0.53，0.17≤y≤0.43，0.07≤z≤0.33，x+y+z＝1。)31°～34°…(A)、36°～39°…(B)、30°～32°…(C)、51°～53°…(D)、53°～56°…(E)、62°～66°…(F)、9°～11°…(G)、19°～21°…(H)、42°～45°…(I)、8°～10°…(J)、17°～19°…(K)。
晶体化合物氧化物烧结溅射无定形薄膜薄膜晶体管电子设备

[发明专利]氧化物烧结体及制造方法、薄膜及薄膜晶体管、电子设备、溅射靶-CN201880020911.7有效
发明人： 井上一吉;柴田雅敏;川岛绘美;霍间勇辉;笘井重和 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及氧化物烧结体及制造方法、薄膜及薄膜晶体管、电子设备、溅射靶。其中，氧化物烧结体以下述式(1)～(3)所规定的范围的原子比含有In元素、Y元素以及Ga元素，0.80≦In/(In+Y+Ga)≦0.96…(1)0.02≦Y/(In+Y+Ga)≦0.10…(2)0.02≦Ga/(In+Y+Ga)≦0.15…(3)并且，以下述式(4)所规定的范围的原子比含有Al元素，0.005≦Al/(In+Y+Ga+Al)≦0.07…(4)式中，In、Y、Ga、Al分别表示氧化物烧结体中的In元素、Y元素、Ga元素以及Al元素的原子数。
氧化物烧结制造方法薄膜薄膜晶体管电子设备溅射

[发明专利]化合物-CN201980050314.3有效
发明人：佐佐木健一;川岛绘美;井上一吉;柴田雅敏;八百笃史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物，由铟元素(In)、镓元素(Ga)、铝元素(Al)以及氧元素(O)形成，晶格常数为α＝111.70±0.50°，β＝107.70±0.50°以及γ＝90.00±0.50°，晶系呈现出三斜晶系。
化合物

[发明专利]晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管-CN201680044317.2有效
发明人： 井上一吉;宇都野太;霍间勇辉;笘井重和;江端一晃 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，以氧化铟作为主要成分，含有具有单一的晶体取向的表面晶体颗粒。
晶体氧化物半导体薄膜制造方法以及薄膜晶体管

[发明专利]晶体氧化物薄膜、层叠体以及薄膜晶体管-CN202080023273.1有效
发明人：川岛绘美;井上一吉;大山正嗣;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体氧化物薄膜，其包含In元素、Ga元素以及Ln元素，In元素为主成分，Ln元素是从La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中选择的一种以上的元素，平均晶体粒径D1为0.05μm以上、0.5μm以下。
晶体氧化物薄膜层叠以及薄膜晶体管

[发明专利]氧化物烧结体以及溅射靶-CN201780036417.5有效
发明人： 井上一吉;笘井重和;柴田雅敏;竹岛基浩 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，含有以In2O3表示的方铁锰矿相以及以Y3In2Ga3O12表示的石榴石相。
氧化物烧结以及溅射

[发明专利]非晶质氧化物半导体膜、氧化物烧结体以及薄膜晶体管-CN201880009057.4有效
发明人： 井上一吉;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，含有In2O3晶体以及晶体A，所述晶体A在利用X射线即Cu‑Kα射线衍射测量观测到的、由下述(A)～(F)表达的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰，31.0°～34.0°…(A)36.0°～39.0°…(B)50.0°～54.0°…(C)53.0°～57.0°…(D)9.0°～11.0°…(E)19.0°～21.0°…(F)。
非晶质氧化物半导体烧结以及薄膜晶体管

[发明专利]石榴石型化合物、含有该化合物的烧结体以及溅射靶-CN201780050211.8有效
发明人： 井上一吉;笘井重和;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：一种石榴石型化合物，以通式(I)表示，Ln3In2Ga3‑XAlXO12(I)(式中，Ln表示选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu的一种以上的金属元素。X为0≤X＜3)。
石榴石化合物含有烧结以及溅射

[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜-CN201780025317.2有效
发明人： 井上一吉;宇都野太;笘井重和;柴田雅敏;丝濑麻美 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，含有包含In元素、Zn元素、Sn元素以及Y元素的氧化物，烧结体密度为理论密度的100.00％以上。
氧化物烧结溅射以及半导体

[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶-CN201880009025.4有效
发明人： 井上一吉;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜，其特征在于，以满足下述式(1)～(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，并且，以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al，0.05≦Al/(In+Ga+Sn+Al)≦0.30…(4)。
氧化物半导体薄膜晶体管烧结以及溅射

[发明专利]氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶-CN201480070391.2在审
发明人：笘井重和;井上一吉;江端一晃;柴田雅敏;宇都野太;霍间勇辉;石原悠 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，其包含由In₂O₃构成的方铁锰矿相和A₃B₅O₁₂相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
氧化物烧结制造方法溅射

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