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[发明专利]一种用于治疗水平的空腔电离室-CN202310693229.7在审
发明人：程金星;李德红;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋;张悦;成建波;吴锦铁;刘川凤;黄建微;李月;李东阳;刘博 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于治疗水平的空腔电离室，该电离室由电离室灵敏体积、电离室杆以及TNC接口三部分组成，所述电离室灵敏体积由电离室室壁(阳极或高压极)、收集极(中心电极)及保护极构成；所述电离室杆作为介质连接在电离室灵敏体积及TNC接口之间；所述TNC接口包含高压、信号及接地保护接口。所述保护极伸入至电离室灵敏体积底端，且在接近电离室灵敏体积下部位置本发明采用在绝缘材料上使用微米级的铝箔来作为保护极。针对目前现有电离室漏电过大的问题，本发明采用保护极伸入电离室灵敏体积底端，直接从原理上阻断了由于高压极与收集极之间绝缘厚度不够而产生的漏电流，使得电离室漏电流达到了PTW同型号电离室相同的水平。
一种用于治疗水平空腔电离室

[发明专利]一种用于环境水平的空腔电离室-CN202310737898.X在审
发明人：李德红;成建波;程金星;吴锦铁;刘川凤;李月;黄建微;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋;张悦;李东阳;刘博 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01J47/02 文献下载
摘要：本发明涉及电离室技术领域，具体地说是一种用于环境水平的空腔电离室，高压极由上半球下半球组成，收集极位于高压极的中心，上半球和下半球采用R型结构扣紧，并通过导电层接触导通，高压极的内壁为胶体石墨层，上半球和下半球外部通过POM专用胶粘接，R型结构外壁斜穿入有机材料销钉进行加固，电离室杆的一端与接插件的一端连接，接插件的另一端直接与石墨导电层接触并与高压极内壁圆弧面平齐，本发明上下两半球采用喷涂胶体石墨，利用两半球接触面石墨导电层进行两半球的导通，避免了使用导线的复杂性，且能保证电离室电场的对称性；上下半球采用R型结构扣紧并在接触位置采用粘接紧固，并采用多个斜插的有机材料销钉进行加固。
一种用于环境水平空腔电离室

[发明专利]基于SIFT和Harris角点检测的鲁棒可逆水印算法-CN202310425058.X在审
发明人：张正伟;黄瑶;叶露露;于艾;樊默;李芬芬;马甲林;陈礼青;金圣华;魏太林 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06T1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SIFT和Harris角点检测的鲁棒可逆水印算法，包括水印嵌入与水印提取两个部分，水印嵌入方法包括：首先对原始图像进行归一化，然后通过Harris角点检测和SIFT两种算法得到特征点，取出这两种算法检测到的相同特征点作为嵌入对象，再通过这些点对应区域构造直方图，找到零点z和峰值点p，根据零点z和峰值点p之间的大小关系，选择不同的像素用于水印嵌入，嵌入置乱后的水印信息生成含水印图像。水印提取为水印嵌入的逆过程，最终通过逆过程获取水印提取后的原始图像和水印信息。与现有技术相比，本发明结合SIFT和Harris角点检测不仅实现水印的较高不可见性，同时也提高了水印的鲁棒性和抗攻击能力。
基于 sift harris 检测可逆水印算法

[发明专利]一种用于防护水平的空腔电离室-CN202310690741.6在审
发明人：李德红;成建波;程金星;刘川凤;吴锦铁;李月;黄建微;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋;张悦;李东阳;刘博 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J47/02 文献下载
摘要：本发明涉及电离室技术领域，具体地说是一种用于防护水平的空腔电离室，包括电离室灵敏体积、电离室杆和TNC接口一，电离室灵敏体积包括高压极和收集极，电离室杆连接电离室灵敏体积和TNC接口一；电离室杆通过接插件与高压极内壁直连并与高压极内壁圆弧平齐；TNC接口一通过双屏蔽电缆内层屏蔽层与保护极的一端连接，保护极的另一端深入电离室灵敏体积内并将高压极与收集极隔离，本发明同现有技术相比，本发明改善了电离室低能段的能响，电离室杆通过接插件与高压极内壁直连并与高压极内壁圆弧面平齐，避免了直接用导线同高压极内壁粘接的难度和对电场的影响。
一种用于防护水平空腔电离室

[发明专利]一种模板法制备低密度多级孔等静压石墨材料的方法-CN202211660304.1在审
发明人：程金星;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋;张悦;宋金亮;唐忠锋;连鹏飞;李鹏达 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明涉及等静压石墨制备工艺领域，公开了一种模板法制备低密度多级孔等静压石墨材料的方法。本发明在石墨制备体系中添加耐热使用温度≥150℃的高分子化合物作为多级孔模板，借助其在坯料成型和坯料低温结构稳定化处理时的热稳定性和高强度，与焦粉骨料、沥青骨架，共同搭建多级孔结构，在高温处理时分解保留骨架炭，从而得到多级孔炭材料，再经石墨化制得1.25g/cm3≥密度≥1.0g/cm3的低密度多级孔石墨。本发明采用模板法调控等静压炭/石墨孔结构，具有工艺简单，成本低廉，结构可控等优势，极易工业化推广，可广泛用于电离室壁、催化剂载体、反应器、散热器、反应堆吸附、蒸发器、气体分配器等特殊应用领域。
一种模板法制密度多级静压石墨材料方法

[发明专利]含铀废水吸附剂及其制备方法-CN202111535410.2有效
发明人：陈通;高缨;韩俊杰;耿葵;程金星;温伟伟;王庆波;吴友朋;李浪;于艾;卢忻;徐荣政 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明提供一种含铀废水吸附剂及其制备方法，该方法以绿色材料壳聚糖为基础材料，首先通过马来酸酐与壳聚糖的反应得到马来酸‑羧基接枝的壳聚糖吸附剂材料；而后加入二酐交联剂，形成马来酸‑羧基接枝、二酐交联的壳聚糖吸附剂。该吸附剂在水中充分溶胀，利用壳聚糖基吸附剂侧链的羧基以及交联剂中的氮原子和羧基基团与铀酰离子之间络合、配位、螯合作用，可以高效吸附废水中的铀酰离子。本发明提出水中铀吸附剂的制备方法简单，马来酸‑羧基的接枝率方便调节，壳聚糖基吸附剂的交联度也可以调整；制备的水凝胶吸附剂不仅对废水中铀酰金属离子具有优异的吸附性能，同时对废水中其它有毒重金属离子如Pb2+，Cs+，Sr3+等具有明显的吸附能力，具有广泛的应有前景。
废水吸附剂及其制备方法

[发明专利]一种远距离α放射性物质表面沾染测量的方法-CN202310183741.7在审
发明人：程金星;吴泽乾;王庆波;绪梅;吴友朋;温伟伟;于艾 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：本申请公开了一种远距离α放射性物质表面沾染测量的方法，包括远距离α放射性点源的测量和远距离α表面沾染计数率的测量步骤。远距离α放射性点源的测量包含α粒子的本征探测效率、收集效率计算及探测效率计算；所述远距离α表面沾染计数率的测量包含建立沾染计数率模型、探测区域内各处点源探测效率的均值计算、计算出探测区域D的半径R的表达式及对所述放射性面源探测效率随屏蔽体张角的变化关系进行最小二乘拟合过程。本申请利用单光子计数器探测荧光光子，并利用所建立的模型将所测计数率值转化为操作干预水平中要求的表面沾染的计数率。
一种远距离放射性物质表面沾染测量方法

[发明专利]一种铠装双层屏蔽干簧继电器及其制作方法-CN202211601588.7在审
发明人：程金星;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋;张悦;杨东峰;苟涛 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队;嘉兴鸿禹科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01H36/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铠装双层屏蔽干簧继电器及其制作方法。所述干簧继电器包括干簧管，内屏蔽管，线圈骨架，线圈，外屏蔽壳，线圈引线，屏蔽引线，侧板，密封组件和开关引线。上述干簧继电器的铠装双层屏蔽结构能够借助内层屏蔽解决干簧管触点特性阻抗匹配均匀性的问题，借助外层屏蔽解决继电器线圈磁场泄漏和低频电磁场屏蔽的问题，并借助同轴向结构实现继电器结构完全屏蔽和分布参数均匀的问题。
一种双层屏蔽继电器及其制作方法

[发明专利]一种固化放射性废物的环氧树脂固化体及其制备方法-CN202110588117.6有效
发明人：郭家斌;左莉;高缨;韩俊杰;程金星;陈显波;王庆波;耿葵;于艾;高鑫 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种固化放射性废物的环氧树脂固化体，以重量份计，其主要组成成分为：383双酚A环氧树脂：20.0∽24.0份；聚酰胺651：5.0∽10.0份；玻璃纤维：2.0∽4.0份；2‑乙基‑4‑甲基咪唑：0.5∽1.5份；硅烷KH560：1.0∽3.0份；粉煤灰：4.0∽12.0份；溴代环氧树脂：0.5∽1.5份；放射性废物：45.0∽55.0份。其制备方法主要包括将前述组份按比例均匀混合，加入密炼机中，密炼、脱模得到固化体。采用本发明的固化方法，可以处理包括干燥后的放射性废树脂等的放射性废物，并且具有机械强度高，包容性好，抗浸出性、抗冻‑融性、耐腐蚀性、抗着火性等优点。
一种固化放射性废物环氧树脂及其制备方法

[发明专利]一种电离室用高致密超细颗粒石墨的制备方法-CN202011627879.4有效
发明人：程金星;唐忠锋;宋金亮;王庆波;于艾;温伟伟;连鹏飞;吴友朋 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C04B35/532 文献下载
摘要：本发明提供一种电离室用高致密超细颗粒石墨的制备方法，所述方法包括：将煤沥青破碎，与第一有机溶剂在50‑100℃温度条件下搅拌，提取不溶物，将其破碎，与第二有机溶剂在50‑100℃温度条件下充分搅拌，得到可溶物溶液；待捏合机中超细粒径骨料炭温度达到预设温度，将可溶物溶液作为粘结剂加入捏合机内进行液相混合，升温至第二有机溶剂沸点以上恒温，蒸干溶剂后得到糊料；破碎糊料得到压粉；将压粉装入模具压制成型保压，泄压后制得生坯样品；将生坯样品在惰性气氛中进行炭化处理，升温至第一预设炭化最终温度保持，得到炭化制品；对炭化制品进行浸渍增密处理保压，浸渍完毕后进行二次炭化，达到第二预设炭化最终温度保持，进行石墨化处理保持，冷却出炉。
一种电离室致密颗粒石墨制备方法

[发明专利]一种应用于辐射剂量测定的动态量程测量电路和测量方法-CN202210431022.8在审
发明人：程金星;王庆波;于艾;杨建;温伟伟;吴友朋;张悦 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队;中国测试技术研究院辐射研究所
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：本发明涉及辐射剂量测量技术领域，具体公开了一种应用于辐射剂量测定的动态量程测量电路和测量方法，测量电路包含缓冲模块、预采样模块、信号调理模块、测量模块及主控模块的动态量程测量电路，通过预采样模块先于测量模块获取信号幅值并通过信号调理模块动态调整信号参数，测量模块测量缓冲模块中同步缓冲的信号，最终在主控模块中处理并叠加信号调理模块参数得到最终测量结果。本发明在测量范围较广的测量情况下可实现较少的档位设置及较高的灵敏度，能够在动态缓冲模式下实现对脉冲信号的精确测量。
一种应用于辐射剂量测定动态量程测量电路测量方法

[发明专利]提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏-源电流的方法及装置-CN202210653858.2在审
发明人：程金星;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋;张悦;陈思远;刘凡宇 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明公开了提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏‑源电流的方法及装置，特点是通过伽马射线对封装后的增强型P型帽层氮化镓功率器件进行辐照，控制伽马射线的能量为1.25MeV、剂量率为10～50rad(Si)/s、总剂量为600～800krad(Si)，使得在增强型氮化镓功率器件的P型帽层中引入正电荷缺陷，提高沟道的有效掺杂，以增加封装后增强型氮化镓功率器件的饱和漏‑源电流；优点是解决了目前增强型P型帽层氮化镓功率器件在封装完成后器件参数无法优化的现状，且该方法技术成熟稳定，环境污染小，在辐照过程中不需要加入其他化学物质，成本低。
提高封装增强氮化功率器件饱和电流方法装置

[发明专利]一种插入式电离室快速插接件-CN202210431932.6在审
发明人：程金星;王庆波;于艾;杨建;温伟伟;吴友朋;张悦 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队;中国测试技术研究院辐射研究所
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01R13/621 文献下载
摘要：本发明公开了一种插入式电离室快速插接件，包括电离室接头及电离室连接座，所述电离室接头及电离室连接座均固定于电离室连接线上；电离室接头与电离室连接座内部结构相同，连接处的电离室接头一端为插头，电离室连接座一端为插座，电离室接头与电离室连接座相向设置并可拆卸连接；所述电离室连接线分为七层，从外到内依次为：外皮、外屏蔽层、中间绝缘层、中间屏蔽层、黑色绝缘层、透明绝缘层及中心电缆，且各层从外向内依次向前端伸出；电离室连接线外皮通过金属壳体稳定连接，中间屏蔽层通过中间屏蔽铜柱连接在一起，中间的信号线通过中心铜针连接在一起，每一层通过高绝缘材料隔离，有效隔离外部信号的干扰，提高了弱电信号传输的可靠性。
一种插入电离室快速插接

[发明专利]一种低噪声电缆用耐辐照交联聚四氟乙烯薄膜的制备方法-CN202011634077.6有效
发明人：程金星;唐忠锋;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋;张悦 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本发明提供一种低噪声电缆用耐辐照交联聚四氟乙烯薄膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：将样品放入加热控温箱内；密封加热控温箱，抽真空至加热控温箱内空气压力达到第一压力，导入惰性气体，反复多次停止真空抽吸操作，至惰性气体压力达到第二压力；使加热控温箱内的温度上升至预设温度，并保持恒定2小时以上；将加热控温箱置于辐照条件下按照辐照剂量率范围为1～1000Gy/s进行辐照，使辐射剂量达到指定剂量值；停止辐照，缓慢降温，向加热控温箱内不断通入惰性气体吹扫样品至100℃，得到交联聚四氟乙烯；将交联聚四氟乙烯进行车削得到车削膜；将拉伸设备的温度设置在聚四氟乙烯的熔点以上，对车削膜进行拉伸，得到交联聚四氟乙烯薄膜。
一种噪声电缆辐照交联聚四氟乙烯薄膜制备方法

[发明专利]一种fA级输入偏置电流的运算放大器-CN202210353451.8在审
发明人：程金星;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：一种fA级输入偏置电流的运算放大器，包括ESD保护电路模块，互补源级跟随器电路模块，VGS校准电路模块，主运算放大电路模块A1；其通过在主运算放大器模块输入端设置互补源级跟随器电路模块，对静电防护器件ESD两端的电压进行钳位，并且还能够对主运算放大电路模块A1的漏电流进行显著的降低，避免漏电流对主运算放大电路模块A1的电流放大产生干扰，其使用互补源级跟随器电路模块的面积与功耗开销更小，并且还简化可芯片内部电路设计的复杂性和提高运算放大器工作的可靠性。
一种 fa 输入偏置电流运算放大器

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