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[发明专利]一种半导体贴片机晶片反向防呆装置-CN202011466436.1有效
发明人：马君健;周德金;徐宏;刘宗伟;钟磊;韩婷婷;于理科 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2020-12-13 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体贴片机晶片反向防呆装置，具体涉及半导体贴片设备技术领域，包括放置台和辅助清尘结构，所述放置台内部的顶端之间设置有辅助清尘结构，所述放置台的一端设置有辅助下料结构，所述放置台的另一端设置有辅助推拉结构，所述放置台的顶端设置有晶片，所述放置台的内部设置有辅助防呆结构，所述放置台的底端设置有辅助调节固定结构。本发明通过设置有放置槽、固定座、减速电机、螺纹杆、活动块、横杆和固定板，打开减速电机驱动螺纹杆进行转动，因横杆贯穿放置台两侧的内部，当螺纹杆转动时，螺纹杆上的活动块会向中间同时靠近，这时横杆一侧的固定板可根据晶片的宽度进行限位固定，使得适用性更高。
一种半导体贴片机晶片反向装置

[发明专利]一种利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置-CN202010773368.7有效
发明人：周德金;吴超;徐宏;黄伟;闫大为;于理科;钟磊 -专利权人：清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，驱动装置内腔的内壁固定设置有隔板，隔板的表面固定设置有加热层，反应罐内腔的内壁固定设置有驱动装置，通孔的内腔固定设置有夹持机构，坩埚的表面固定开设有连接口，进液阀的一端贯穿反应罐、隔板和滑轨的表面，并与连接口活动连接，本发明涉及氮化镓生长技术领域，该利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，解决了无法进行多个氮化镓晶体来进行共同的生长，无法对氮化镓晶体在坩埚内腔的溶液中进行位置的调整，不能保证晶种模版一直处在最佳的生长环境，不利于提高氮化镓晶体生长效率和生长质量，无法对坩埚进行清理和对大小不同的晶体进行夹持的问题。
一种利用氨热法生产氮化晶体生长装置

[发明专利]一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置-CN202010774402.2有效
发明人：徐宏;龚桦;周德金;黄伟;吴超;于理科;夏泳 -专利权人：清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置，包括加工箱体，加工箱体内壁的底部固定连接有转动电机，所述转动电机的输出端固定连接有加工台，所述加工台上设置有夹紧机构，所述加工箱体内壁之间的上方固定连接有固定板，所述加工箱体的内部设置有调节机构（6）；该加工装置利用加热管产生的高温使得加工箱体内部产生高温环境，满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的高温环境，结构简单，成本低，方便快速的调节蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的温度条件的问题。
一种图形蓝宝石衬底生长氮化外延加工装置

[发明专利]一种芯片共晶焊接设备及共晶焊接方法-CN202011489045.1有效
发明人：周德金;马君健;徐宏;钟磊;刘宗伟;于理科 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片共晶焊接设备，具体涉及芯片加工技术领域，包括底座和立柱，所述底座顶端的一侧固定连接有立柱，所述立柱的内部设置有调节机构，所述立柱的一侧固定连接有吸尘机构，所述立柱的另一侧设置有横杆。本发明通过设置有滑槽、调节块、吸盘、挡板和中心轴，传统的焊接装置对芯片进行夹持固定的时候容易造成芯片边角受损，利用在用于加工的工作台的顶端安装若干组吸盘，将芯片放置在吸盘的顶端然后向下轻轻压动，芯片就可以稳定的放置在吸盘上，还可以根据不同芯片的宽度来调节中心轴外部的挡板之间的角度，利用移动调节块即可对挡板的角度进行调节，这样固定芯片可以避免硬物夹持芯片造成的边角损坏的情况。
一种芯片焊接设备焊接方法

[发明专利]一种氮化镓薄膜的制备装置-CN202011419636.1有效
发明人：徐宏;马君健;闫大为;黄金荣;周德金;王晓莹;于理科 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2020-12-06 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所述制备仓的外侧壁上设置有保温结构。本发明通过设置有空腔、外壳、连接杆、螺母、通孔和保温岩棉，在使用时，利用螺母和通孔将外壳固定在制备仓的外部，此时制备仓和外壳之间形成一个空腔，然后在空腔内部填充上保温岩棉，利用保温岩棉的隔热性能，这样可以避免制备仓内部热量流失较快，从而可以使制备仓内部温度保持稳定，提高氮化镓薄膜制备的质量。
一种氮化薄膜制备装置

[发明专利]一种用于半导体贴片机的高效直线抓取系统-CN202011488980.6有效
发明人：周德金;徐宏;马君健;韩婷婷;于理科;刘宗伟 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H05K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体贴片机的高效直线抓取系统，具体涉及直线抓取设备技术领域，包括主板、固定杆、壳体和吸筒，所述主板的底端设置有壳体，且壳体与主板之间固定连接有固定杆，所述壳体的内部设置有四组吸筒，且吸筒的顶端设置有螺纹筒，所述壳体的顶端与吸筒之间设置有润滑结构，所述吸筒外侧的底端设置有加固结构，所述吸筒的内部的底端设置有清洁结构。本发明通过在壳体的顶端与吸筒之间设置有润滑结构，打开塞盖，将润滑油滴入流道的内部，此时运作升降机构，流道内侧滚动槽中活动连接的滚珠正好嵌入螺纹筒外侧的螺纹中，即将润滑油均匀涂抹在二者连接之处，减少摩擦阻力，从而延长其使用寿命。
一种用于半导体贴片机高效直线抓取系统

[发明专利]一种氮化镓基大功率芯片散热结构-CN202010774407.5在审
发明人：周德金;闫大为;黄伟;陈珍海;戴金;于理科;夏华秋 -专利权人：清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L23/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，包括散热底板、安装底座，所述散热底板的顶部从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层，所述散热底板顶部的四角均固定连接有支撑杆，四个所述支撑杆的顶端之间固定连接有顶板，所述顶板上设置有移动散热机构，散热底板上设置有卡紧安装机构，本发明涉及大功率芯片技术领域。该氮化镓基大功率芯片散热结构，通过驱动电机、驱动轴、转盘、第一齿牙、第二齿牙的配合，便于带动回形框左右往复运动，进一步可带动移动风扇左右运动，能对芯片整体进行散热，且通过移动风扇的左右移动，可防止芯片表面积累灰层，使得散热效果更佳。
一种氮化大功率芯片散热结构

[发明专利]1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法-CN200910119057.2无效
发明人： 于理科;徐波;王占国;金鹏;赵昶;张秀兰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02-1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
1.02 1.08 微米波段 ingaas gaas 量子外延结构及其制造方法

[发明专利]一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法-CN200510086313.4无效
发明人： 于理科;徐波;王占国;金鹏;赵昶;张秀兰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。通过精确控制分子束外延生长条件－用亚分子单层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱0.92－0.96微米波段发光，并且具有很高的发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为12meV，将其应用于0.92－0.96微米波段波段量子点激光器，将极大的改善该类器件的性能，如：降低激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
一种分子单层量子激光器材料外延生长方法

[发明专利]一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法-CN200510086314.9无效
发明人： 于理科;徐波;王占国;金鹏;赵昶;张秀兰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs SK生长方式高密度量子点(10¹¹/cm²以上)外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02－1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
一种大功率半导体量子激光器材料外延生长方法

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