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[发明专利]具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件-CN202080017725.5在审
发明人： 二宫健生 -专利权人：合肥睿科微电子有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种存储器件包括存储器单元，该存储器单元包括底电极，顶电极以及设于所述底电极和所述顶电极之间的介电层。所述底电极具有第一宽度W1。所述顶电极具有顶面，该顶面具有介于该顶面的两边缘之间的第二宽度W2。所述存储器单元具有从所述底电极的底面延伸至所述顶电极的顶面的第一高度H1。所述存储器件还包括与所述顶电极连接的顶部接触导线。该顶部接触导线具有宽度为第三宽度W3的顶面、处于两个相邻存储器单元之间的第二高度H2以及延伸于所述顶部接触导线的顶面与所述绝缘层之间的第三高度H3，其中，W1W3W2，而且H2H1H3。
具有防止存储器件形成空洞改进存储器单元结构

[发明专利]非易失性存储元件和非易失性存储装置-CN201280007159.5有效
发明人：魏志强;二宫健生;高木刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：非易失性存储元件包括第1电极（103）、第2电极（106）、和夹在第1电极（103）和第2电极（106）之间的由金属的氧化物构成的电阻变化层（104），被配置在第1电极（103）上的电阻变化层（104）包括：具有ρx的电阻率的第1氧化物层（104a）；被配置在第1氧化物层（104a）上且具有ρy（其中，ρx＜ρy）的电阻率的第2氧化物层（104b）；被配置在第2氧化物层（104b）上且具有ρz（其中，ρy＜ρz）的电阻率的第3氧化物层（104c）；和在第3氧化物层和第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接地配置，并不与第1氧化物层（104a）接触，电阻率比第3氧化物层（104c）低，且电阻率与第2氧化物层（104b）不同的局部区域（105）。
非易失性存储元件装置

[发明专利]非易失性存储元件、其制造方法、非易失性存储装置和非易失性存储元件的设计支援方法-CN201180013542.7有效
发明人：早川幸夫;三河巧;二宫健生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的非易失性存储元件，包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的氧含有率比第1过渡金属氧化物(116b)的氧含有率低，过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)与第1电阻变化层(1161)相接。
非易失性存储元件制造方法装置设计支援

[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法-CN201180035193.9有效
发明人：三河巧;早川幸夫;二宫健生;川岛良男;米田慎一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供一种在低电压下电阻稳定地变化，适于大容量化并且可靠性优良的电阻变化型非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件（10）具有：第一电极（106）、第二电极（104）和电阻变化层（115），该电阻变化层基于施加在两电极间的电信号而电阻值可逆地变化，电阻变化层（115）具备按顺序层叠具有由MOx表示的组成的第一过渡金属氧化物层（115x）、具有由MOy（其中x>y）表示的组成的第二过渡金属氧化物层（115y）、和由MOz（其中y>z）表示的组成的第三过渡金属氧化物层（115z）的层叠结构。
非易失性存储元件及其制造方法

[发明专利]电流控制元件和使用其的非易失性存储元件-CN201180044244.4有效
发明人：宫永良子;三河巧;早川幸夫;二宫健生;有田浩二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电流控制元件（100），其为以覆盖形成于层间绝缘层（102）的导通孔（104）的下部开口（105）的方式形成的电流控制元件，该电流控制元件包括：腐蚀抑制层（106），其在导通孔的下部开口的下部以覆盖全部的下部开口的方式形成；第二电极层（108），其形成在腐蚀抑制层之下，并由与腐蚀抑制层不同的材料构成；电流控制层（110），其形成在第二电极层之下，并与第二电极层物理接触；和第一电极层（112），其形成在电流控制层之下，并与电流控制层物理接触，其中，由第一电极层、电流控制层和第二电极层构成MSM二极管和MIM二极管中的任一个。
电流控制元件使用非易失性存储元件

[发明专利]非易失性存储元件和具有其的非易失性存储装置-CN201180011853.X有效
发明人：米田慎一;三河巧;早川幸夫;二宫健生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供非易失性存储元件和具有其的非易失性存储装置，能够减小初始击穿所需的电脉冲的电压，并且能够降低非易失性存储元件的电阻值的偏差。其具有：第一电极（103）；第二电极（105）；和电阻变化层（104），其介于第一电极（103）与第二电极（105）之间，基于在第一电极（103）与第二电极（105）之间提供的电信号，电阻值可逆地变化，电阻变化层（104）具有：与第一电极（103）接触，包含缺氧型的过渡金属氧化物的第一区域（106）；和与第二电极（105）接触，包含比所述第一区域（106）的缺氧度小的过渡金属氧化物的第二区域（107）。第二电极（105）由铱和具有比铱低的杨氏模量的至少一种贵金属的合金构成，铱的含有率为50atm%以上。
非易失性存储元件具有装置

[发明专利]非易失性存储元件以及非易失性存储元件的制造方法-CN201180004314.3有效
发明人： 二宫健生;三河巧;早川幸夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供抑制因热预算而导致的电阻变化层的氧浓度特性的劣化、且在低电压下能够稳定工作的非易失性存储元件以及其制造方法。非易失性存储元件(12)，具备∶第一电极层(105)，被形成在衬底上(100)；电阻变化层(106)，被配置在第一电极层上(105)；以及第二电极层(107)，被配置在电阻变化层(106)上，电阻变化层(106)具有，缺氧氮型钽氧氮化物层(106a)与钽氧化物层(106b)层叠的双层构造。
非易失性存储元件以及制造方法

[发明专利]电阻变化型元件及其制造方法-CN201080057285.2无效
发明人： 二宫健生;川岛良男;早川幸夫;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：在以M为一种过渡金属元素、以O为氧时，包括：下部电极；第一氧化物层，其在上述下部电极上形成，在令O相对于M的组成比为x时由MOx构成；第二氧化物层，其在上述第一氧化物层上形成，在令O相对于M的组成比为y时由MOy构成；在上述第二氧化物层上形成的上部电极；保护层，其在上述上部电极上形成，由具有与上述上部电极不同的组成的导电性材料构成；以覆盖上述保护层的方式形成的层间绝缘层；和在贯通上述层间绝缘层的上部接触孔内形成的上部接触栓。
电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储元件的制造方法-CN201180004319.6有效
发明人：三河巧;早川幸夫;二宫健生;川岛良男 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够初始击穿时的低电压以及高速工作、且能够抑制接触插塞的氧化的电阻变化型非易失性半导体存储元件的制造方法，在包括由形成在接触插塞(104)上的下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成的电阻变化元件的非易失性半导体存储元件的制造方法中，在将第一导电膜(105′)图形化来形成下部电极(105)之前具有，为了使电阻变化层(106)的端部绝缘化而进行氧化的工序。
非易失性半导体存储元件制造方法

[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法-CN201180004244.1有效
发明人：空田晴之;二宫健生;三河巧;早川幸夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制非易失性存储元件间的初始击穿电压的偏差、防止成品率的降低的非易失性存储装置及其制造方法。包括：具有电阻变化层(106)与基板(117)的主面平行且平坦地形成的层叠结构的非易失性存储元件(108)；和与第一电极(105)和第二电极(107)中任一个电连接的插头(103)，插头(103)与非易失性存储元件(108)连接的一侧的端面的、与基板(117)的主面平行的面的插头(103)的面积，比作为导电区域的第一过渡金属氧化物层(115)的、与基板(117)的主面平行的截面的截面积大。
非易失性存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法-CN201180002804.X无效
发明人： 二宫健生;藤井觉;早川幸夫;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供一种减小初始化电压、能够实现低动作电压的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(10)包括：第1电极层(105)，形成在半导体基板(100)上；缺氧型的第1钽氧化物层(106x)，形成在第1电极层(105)上，具有用TaOx(0.8≤x≤1.9)表示的组成；第2钽氧化物层(106y)，形成在第1钽氧化物层(106x)上，具有用TaOy(2.1≤y)表示的组成；和第2电极层(107)，形成在第2钽氧化物层(106y)上；第2钽氧化物层(106y)具有由多个柱状体构成的柱状构造。
非易失性存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性存储元件、其制造方法、其设计辅助方法及非易失性存储装置-CN201180002106.X有效
发明人：早川幸夫;三河巧;川岛良男;二宫健生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和第3过渡金属氧化物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层(1161)相接。
非易失性存储元件制造方法设计辅助装置

[发明专利]电流控制元件、存储元件、存储装置及电流控制元件的制造方法-CN201180002096.X无效
发明人：早川幸夫;有田浩二;三河巧;二宫健生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种电流控制元件，在被施加极性不同的电脉冲时也能够防止写入干扰的产生，而且能够在电阻变化元件流过大电流。该电流控制元件具有第1电极(32)、第2电极(31)、电流控制层(33)，电流控制层(33)由SiNx(0＜x≤0.85)构成，并且含有氢或者氟，而且在设氢或者氟的浓度为D(＝D0×1022atoms/cm3)、设电流控制层(33)的膜厚为d(nm)、设能够在第1电极(32)和第2电极(31)之间施加的电压的最大值为V0(V)时，D和x和d和V0满足(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2≤V0、(ln(1000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2-(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2/2≥0，其中，C＝k1×D0k2、α、β、γ、k1和k2是常数。
电流控制元件存储元件装置制造方法

[发明专利]非易失性存储元件以及非易失性存储装置-CN200980114976.9有效
发明人：高木刚;魏志强;二宫健生;村冈俊作;神泽好彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：提供以低的击穿电压来能够进行稳定的电阻变化工作的非易失性存储元件。非易失性存储元件(100)包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，电阻变化层(104)介于两个电极(103以及105)之间，根据提供到两个电极(103以及105)之间的电压的极性，在高电阻状态与低电阻状态之间进行可逆转移。电阻变化层(104)由包含第一过渡金属的氧化物的第一氧化物层(104a)和包含与第一过渡金属不同的第二过渡金属的氧化物的第二氧化物层(104b)层叠而构成。第二过渡金属的标准电极电位比第一过渡金属的标准电极电位小，而且，满足以下的(1)以及(2)之中的至少一方，(1)第二氧化物层(104b)的介电常数比所述第一氧化物层(104a)的介电常数大，以及(2)第二氧化物层(104b)的带隙比第一氧化物层(104a)的带隙小。
非易失性存储元件以及装置

[发明专利]非易失性存储元件和使用该元件的非易失性存储装置-CN200980101132.0无效
发明人： 二宫健生;有田浩二;三河巧;藤井觉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。
非易失性存储元件使用装置

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