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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201180017867.2无效
发明人： 丹尼尔·L·迈耶;维诺德·钱德拉塞卡朗;亚当姆·M·佩恩 -专利权人：桑艾维公司
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池的制造方法包括：使用激光消融至少一个介质层的区域以贯穿半导体晶片上形成的至少一个介质层形成一个通道，使得半导体晶片的至少部分表面通过通道裸露。太阳能电池的制造方法还包括：对通道施加自掺杂金属浆料。太阳能电池的制造方法还包括：加热半导体晶片和自掺杂金属浆料，使得自掺杂金属浆料中的至少一些掺杂剂进入半导体晶片通过通道裸露的部分表面，形成选择发射区和位于选择发射区上并与选择发射区自对准的触点。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]包含用于表面钝化的结晶硅P-N同质接面和非晶硅异质接面的太阳能电池-CN200880128829.2有效
发明人： 丹尼尔·L·迈耶;艾吉特·罗哈吉 -专利权人：桑艾维公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄硅太阳能电池，更具体地，太阳能电池可以由厚度约50至500微米的结晶硅晶片制成。太阳能电池包括具有p-n同质接面的第一区、可产生异质接面表面钝化的第二区，以及可产生异质接面表面钝化的第三区。非晶硅层在低于约400摄氏度的温度下沉积于硅晶片的两侧，以减小非晶硅钝化特性损失。在大约165摄氏度的温度下，在两侧形成最终的透明导电氧化物层。金属触点施加于透明导电氧化物上。用于制造太阳能电池外层的低温和极薄材料层可防止薄晶片受到可能导致晶片变形的过大应力。
包含用于表面钝化结晶同质非晶硅异质接面太阳能电池

[发明专利]背接触太阳电池及其制造方法-CN96114483.1无效
发明人： 丹尼尔·L·迈耶 -专利权人：埃伯乐太阳能公司
申请日： 1996-11-15 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：太阳电池设计和制造方法，主要使用n型掺杂硅和铝来形成p-n结背接触太阳电池。铝合金结位于电池的背面，因此把铝的长处和背接触电池的优点结合起来了。该方法包括如下特点：表面结构化，正背表面场少数载流子镜，表面钝化，使用铝接触电极作为光反射器，因相邻的n⁺和p⁺区的对反偏压的内部保护，以及适于用表面安装技术进行互连电池的改进的主栅线接触设计。为了形成欧姆接触，使用自对准工艺。
接触太阳电池及其制造方法

[发明专利]具有自对准局域深扩散发射极的太阳能电池及其制造方法-CN96197446.X无效
发明人：贾拉尔·萨拉米;艾基奥·希巴塔;丹尼尔·L·迈耶;埃德加·L·科奇卡 -专利权人：埃伯乐太阳能公司
申请日： 1996-10-01 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：太阳能电池(10)，具有自对准金属电极(14)和下面的相对深的发射极区(21)以及在不被电极覆盖的表面下的相对浅的发射极区(22)，该太阳能电池在半导体衬底(12)中以下述方法形成：分别在硅半导体衬底(12)的前后表面上形成相对浅的p+和n+扩散区，以所希望的电极图形将铝丝网印刷到衬底的正面，热处理所制造的太阳能电池以形成在电极图形下的相对深的p+型发射极区(21)，同时在衬底表面未覆盖区上生长氧化物钝化层(18)，对未被电极所覆盖区域的正面施加抗反射涂层(19)，以及在太阳能电池的前后表面的电极上丝网印刷银(20)。
具有对准局域扩散发射极太阳能电池及其制造方法

[发明专利]稳定树枝状网膜晶体生长的方法和系统-CN99811066.3无效
发明人： 丹尼尔·L·迈耶;格雷戈里·T·诺伊格鲍尔;爱德华·V·马库加;罗伯特·P·斯托尔;菲利普·J·辛普森;贾拉勒·萨拉米 -专利权人：埃伯乐太阳能公司
申请日： 1999-07-28 - 公布日： 2001-10-17 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：说明了用于树枝状网膜生长的方法。此方法包括装载熔融物；从熔融物生长树枝状网膜晶体；在生长树枝状网膜晶体的步骤期间，补充熔融物；和在生长树枝状网膜晶体的步骤期间，对熔融物施加磁场。还说明了稳定树枝状网膜生长用的装置。该装置包括坩埚，此坩埚包含用于接收晶片以便于熔融物补充的供应室和用于保存树枝状网膜生长用的熔融物的生长室。该装置还包括磁场发生器，它设计成在树枝状网膜生长期间提供磁场。
稳定树枝网膜晶体生长方法系统

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