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[发明专利]降低表面电场型半导体器件及其制造方法-CN202311093753.7在审
发明人： 中野纪夫;北口裕久 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种降低表面电场型半导体器件及其制造方法。所述降低表面电场型半导体器件中，漂移区在所述栅电极下方至所述漏区的区域内的掺杂浓度多次变化而形成轻掺杂区和重掺杂区，所述轻掺杂区的掺杂浓度使得当漏源电压为低于额定工作电压的第一电压时轻掺杂区的载流子全部耗尽，所述重掺杂区的掺杂浓度使得当漏源电压为所述第一电压时重掺杂区的载流子未耗尽。所述漂移区为分段式结构，可同时实现高的击穿电压和低的导通电阻，形成该漂移区的工艺较简便，不需要增大器件面积，在提升降低表面电场型半导体器件性能的同时，能够改善现有技术存在的光罩数量增加、制造工艺复杂以及需增大器件面积的问题，有助于降低器件制作成本。
降低表面电场半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体装置的制造方法及半导体装置-CN202310239019.0有效
发明人：田矢真敏;中野纪夫;夏目秀隆 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法及半导体装置，属于半导体制造技术领域。所述制造方法包括：向所述半导体衬底中注入第一类型杂质，形成第一区域；在所述肖特基二极管形成区域内注入第二类型杂质，形成第二区域，所述第二区域位于中央区域两侧；向第一半导体形成区域和第二半导体形成区域中的第一区域内注入第一类型杂质，形成第三区域度；向所述肖特基二极管形成区域和所述第二半导体形成区域注入第一类型杂质，形成注入区域和高浓度沟槽区域；以及在所述肖特基二极管形成区域的阳极形成区域形成硅化物，在形成所述硅化物时，使用材料的功函数高于钴的功函数。通过本发明提供的半导体装置的制造方法及半导体装置，可提高半导体装置的性能。
一种半导体装置制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210754353.5有效
发明人：大田裕之;中野纪夫 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一表面、第二表面以及第三表面，且所述第二表面和所述第三表面设置在所述第一表面两侧，所述第二表面低于所述第一表面，所述第三表面与所述第二表面位于同一水平面；浅沟槽隔离结构，所述第二表面位于所述第一表面和所述浅沟槽隔离结构之间，所述第二表面上方形成凹槽部；栅极，设置在所述第一表面上；源极，设置在所述第二表面下方的衬底中；漏极，设置在所述第三表面下方的衬底中；第一侧墙，设置在所述栅极的两侧且分别延伸至所述第二表面和所述第三表面。通过本发明提供的一种半导体器件及其制造方法，可提高半导体器件的性能。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]运动辅助系统、运动辅助程序以及运动辅助方法-CN201980047399.X在审
发明人： 中野纪夫;汤川隆志;辻佳子;森田芳年;三井雅之 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： A63B24/00 文献下载
摘要：运动辅助系统具备：第一输入部，其获取与运动者要进行的运动的示范姿势有关的示范姿势信息；输出部，其将示范姿势图像(IE)和引导图像发送到显示部，该示范姿势图像(IE)是基于由第一输入部获取到的示范姿势信息的图像，该引导图像包含于示范姿势图像(IE)，用于对运动者进行运动者的脸的朝向的引导；以及显示部，其显示包含引导图像的示范姿势图像(IE)。
运动辅助系统程序以及方法

[发明专利]功率半导体器件及制造方法-CN202011333530.X有效
发明人：田矢真敏;石田浩;中野纪夫 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件及制造方法。所述功率半导体器件包括场效应晶体管，且所述场效应晶体管包括第一导电类型的衬底、第二导电类型的漂移区和漏区以及栅电极，其中，沿向着所述漏区的方向，自位于所述栅电极下方的边界开始至离开所述栅电极下方，所述漂移区内的第二导电类型掺杂浓度增大，并且增大速率经过了下降后再升高的变化，所述漂移区的浓度分布有助于实现较高的击穿电压，该击穿电压的提高无需增大沟道长度或漂移区的长度，对漏源电流以及尺寸的影响很小。所述制造方法可用于制造上述功率半导体器件。
功率半导体器件制造方法

[发明专利]半导体测试结构-CN202011159567.5有效
发明人：夏目秀隆;田矢真敏;藤井康博;中野纪夫 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体测试结构，包括设于半导体衬底上的多个局部区域，每个所述局部区域通过半导体衬底中形成的沟槽隔离结构限定出有效区域和围绕所述有效区域设置的多个冗余区域，其中，所述有效区域设置有测试元件，所述测试元件以能够测定电气特性的方式与电极连接，所述冗余区域的分布以使得多个所述局部区域彼此之间图案密度互不相同的方式设置。利用所述半导体测试结构，通过测定各个局部区域的测试元件的电气特性，并比较不同局部区域对应的电气特性结果的比较，可以得到实施化学机械研磨工艺时局部区域的图案密度的下限值，进而有助于选择适合的图案密度，优化化学机械研磨工艺的效果。
半导体测试结构

[发明专利]高耐压半导体元件及其制造方法-CN201910299871.0有效
发明人：田矢真敏;中野纪夫;熊谷裕弘 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种能够防止由杂质扩散导致性能劣化的高耐压半导体元件及其制造方法。高耐压半导体元件包括：源极部(S)；阱杂质区域(PW)，设置在源极部(S)的周围，其中，阱杂质区域的杂质浓度高于硅衬底；以及至少两栅极部(G)设置于源极部(S)的相对两侧，两栅极部(G)之间的间隔为大于杂质的扩散长度(DD)。
耐压半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201910103609.4有效
发明人：田矢真敏;中野纪夫;熊谷裕弘 -专利权人：合肥晶合集成电路有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种半导体元件的制造方法，能够抑制成本，防止可变电容元件的电容特性的劣化。一种半导体元件的制造方法，在衬底的表面形成MOS结构的FET和变容二极管，其具备如下工序：第一遮掩工序，其在衬底的表面生成光阻层，所述光阻层的形状覆盖变容二极管区域的阱表面；沟道形成工序，其将极性与在衬底的表面形成的FET区域的阱相同的杂质注入衬底的表面，对FET区域的阱形成沟道区域；栅极形成工序，其分别在FET区域的阱上及变容二极管区域的阱上间隔着绝缘膜形成栅极G；第二遮掩工序，其在衬底的表面生成第二注入阻挡层，该第二注入阻挡层覆盖与第一注入阻挡层相同的区域；以及外延形成工序，其将极性与FET区域的阱相反的杂质注入衬底的表面，对FET区域的阱形成外延区域。
半导体元件制造方法

[发明专利]摆动型运动装置-CN201810091922.6在审
发明人： 中野纪夫 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： A63B22/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种摆动型运动装置。摆动型运动装置(1)具有：座(11)；致动器，其用于使座(11)摆动；第1测量部(41)，其用于对作用于用户的对象部位的局部负载进行测量；以及第2测量部(42)，其用于对作用于用户的全身的整体负载进行测量。对于使用了摆动型运动装置(1)的锻炼来说，作用于用户的全身的整体负载越低，则用户越容易继续锻炼，作用于用户的对象部位的局部负载越高，则锻炼的效果越高。采用考虑了这一点的所述结构，能够有助于实施使用户感受到的费力感得到缓和并且对对象部位施加较高的负载的锻炼。
摆动型运动装置对象部位测量锻炼局部负载整体负载致动器摆动费力施加缓和

[发明专利]摆动装置-CN201210526077.3无效
发明人：白泽直人;森川大辅;筒井慎治;佐藤亮太;中野纪夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： A61H1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种摆动装置。该摆动装置能够良好地对使用者的腿部付与因摆动动作而产生的使身体放松的效果。摆动装置（10）包括：座部（12），其用于支承使用者的臀部；腿部支承部（19），其具有用于支承使用者的腿部的支承面（19a）；摆动部（40），其用于使腿部支承部沿座部的左右方向进行摆动运动。腿部支承部（19）包含用于改变支承面相对于座部的位置的位置调整机构（18、31）。位置调整机构（18、31）通过在腿部支承部进行摆动运动时改变支承面的位置，使得支承面形成比座部靠上方的抬起状态。支承面（19a）在抬起状态下形成非上坡状。
摆动装置

[发明专利]摇动装置-CN201210252226.1无效
发明人：森川大辅;市村亮;中野纪夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： A61H1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够给使用者带来多种动作感的摇动装置(10)。摇动装置(10)具备身体支承部(12、13、18)，该身体支承部包含使用者可就座的座部(12)，同时还包含支承使用者的腿部的腿部支承部(18)和支承使用者的背部的靠背部(13)中的至少1个，该摇动装置能够沿左右方向摇动该身体支承部的一部分(18)。该摇动装置(10)具备多个按压机构(20a、20b、20c)，该多个按压机构能够从使用者的背面侧按压在使用者的体轴方向上处于不同位置的身体的多个部位。多个按压机构(20a、20b、20c)以在所述身体支承部的一部分(18)被沿左右方向摇动时改变对使用者的身体进行按压的位置的形式被驱动。
摇动装置

[发明专利]锻炼系统-CN200880128418.3无效
发明人： 中野纪夫;今井文吾;实松涉;四宫叶一;西尾文宏 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： A61H1/02 文献下载
摘要：一种锻炼设施，包括：计划选择装置(22)，基于由用户信息获取装置(21)获取的用户信息来选择适于用户的锻炼计划；设备控制装置(25)，基于所选择的锻炼计划来使被动锻炼设备(1)进行操作；以及计划变动装置(23)，根据用户的指示而在规定范围内变动所选择的锻炼计划。根据用户的喜好，用户可变动基于用户信息所选择的锻炼计划。由于仅在规定范围内允许此变动，从而可防止给用户提供过大强度的这样一种变动。
锻炼系统

[发明专利]锻炼装置-CN200880128388.6无效
发明人：吉川隆明;中野纪夫;道盛章弘 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： A61H1/00 文献下载
摘要：具备：具有操作单元的操作模块CM；具有用于分别支承使用者的足部的踏板6的踏板模块LM，踏板模块LM配置成使踏板运动；以及座椅模块SM，该座椅模块SM包括给使用者坐的座椅2和配置成摆动该座椅的驱动单元3。相对于操作模块，踏板模块和座椅模块可拆卸。能够在操作模块安装了踏板模块的状态、操作模块安装了座椅模块的状态、以及操作模块安装了踏板模块和座椅模块的状态中进行选择。
锻炼装置

[发明专利]运动装置-CN201010158569.2无效
发明人：今井文吾;中野纪夫;道盛章弘;白泽直人;川本洋司 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： A63B69/04 文献下载
摘要：本发明提供一种实现运动装置的吸引力的提高、并且使使用者进行有效果的运动的运动装置。将脚蹬踩踏力、脚蹬角度及鞍韂夹力设定为用来表示使用者的运动姿势的姿势参数，设有检测1个游戏中的使用者的左右的脚蹬踩踏力、左右的脚蹬角度及左右的鞍韂夹力的传感器(341～346)。并且，基于各参数值，判断使用者的运动姿势的左右平衡是否适当，分配对应于其判断结果的分数，报告使用该分数制作的成绩。
运动装置

[发明专利]运动装置-CN201010118918.8无效
发明人： 中野纪夫;今井文吾;道盛章弘 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2010-02-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： A63B22/00 文献下载
摘要：本发明提供能够适当引导使用者的运动姿势的运动装置。由微型计算机(17)随着时间经过变更存储在FB数据选择表组(69)中的多个数据选择表中的要利用的表，以使作为反馈刺激的语音随着时间经过变更。另外，微型计算机(17)在作为检测信息的代表值与目标值之差在同一范围内时，随着时间经过输出内容相同而表现不同的作为反馈刺激的语音。
运动装置

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