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[发明专利]半导体器件-CN201510102867.2有效
发明人：山崎舜平;小山润;高桥正弘;岸田英幸;宫永昭治;中村康男;菅尾惇平;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
半导体器件

[发明专利]发光装置和电子装置-CN201210022165.X有效
发明人：山崎舜平;平形吉晴;石谷哲二;中村康男;池田寿雄;大原宏树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置和电子装置，其中，具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。
发光装置电子

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN201210146133.0有效
发明人：西毅;中村康男 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-07-04 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：提供了一种具有防止氧和潮气到达发光元件的结构的发光器件及其制造方法。而且，用不多的工艺步骤将发光元件密封而无须封入干燥剂。本发明具有顶部表面发射结构。其上形成发光元件的衬底被键合到透明密封衬底。在此结构中，当键合二个衬底时，透明的第二密封材料覆盖着象素区的整个表面，而包含用来保护二个衬底之间的间隙的间隙材料(填充剂，细小颗粒等)的第一密封材料(其粘度大于第二密封材料)环绕着象素区。二个衬底被第一密封材料和第二密封材料密封。而且，借助于用透明保护层例如CaF2、MgF2、或BaF2覆盖各个电极，能够防止发光元件的电极(阴极或阳极)与密封材料之间的反应。
发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201080045729.0有效
发明人：山崎舜平;小山润;高桥正弘;岸田英幸;宫永昭治;中村康男;菅尾惇平;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201080046492.8有效
发明人：山崎舜平;小山润;鱼地秀贵;中村康男;菅尾惇平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：对于以显示装置为代表的半导体器件，一个目的是提供大尺寸或高清晰度屏幕对其可适用并且具有高显示质量并且稳定操作的极可靠半导体器件。通过使用包含Cu的导电层作为长引线布线，抑制布线电阻的增加。此外，包含Cu的导电层按照如下方式来设置：使得它没有与其中形成了TFT的沟道区的半导体层重叠，并且由包含氮化硅的绝缘层围绕，由此能够防止Cu的扩散；因此能够制造极可靠的半导体器件。具体来说，作为半导体器件的一个实施例的显示装置甚至在其尺寸或清晰度增加时也能够具有高显示质量并且稳定操作。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]发光器件-CN201110050775.6有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;池田寿雄;中村康男;斋藤惠子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明的目的是提供光的色纯度高而且光输出效率高的发光器件，其中采用溅射法在电致发光层上形成电极而不会损坏包含有机材料的层。本发明提供的发光器件包含：发射红光的第一发光元件；发射绿光的第二发光元件；发射蓝光的第三发光元件；和滤色片，其中滤色片包含选择性透射红光的第一着色层，选择性透射绿光的第二着色层，和选择性透射蓝光的第三着色层，其中第一至第三发光元件中的每一个具有第一电极、在第一电极上形成的电致发光层和在电致发光层上形成的第二电极，其中第一着色层形成于所述第一发光元件的第二电极上，其中第二着色层形成于所述第二发光元件的第二电极上，其中第三着色层形成于所述第三发光元件的第二电极上，其中所述电致发光层包括与第二电极接触的层，而且金属氧化物包含在与第二电极接触的层中，其中所述红光、绿光和蓝光各自从所述第二电极侧输出。
发光器件

[发明专利]光传感器和显示装置-CN200910246365.1有效
发明人： 中村康男;棚田好文 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明涉及光传感器和显示装置。包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体的薄膜晶体管容易地在大的基板上以矩阵布置，并且具有小的特性变化。通过包括具有小的特性变化的薄膜晶体管的放大器电路和显示元件的驱动器电路，以矩阵布置的光电二极管接收的光的强度分布被高度可再现地转换为电信号并且被输出，并且可以均匀一致地驱动以矩阵布置的显示元件，其中该薄膜晶体管包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体。
传感器显示装置

[发明专利]发光元件及其制造方法,以及利用该发光元件的发光器件-CN200910163835.8有效
发明人： 中村康男;池田寿雄;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-04-21 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种发光元件和发光器件，其中在一对彼此相对设置的电极之间堆叠有多个电致发光层，之间插入电荷发生层，从而其中电荷发生层可通过溅射法形成于电致发光层上而不会损害该电致发生层。对于电致发光层来说，使用了不易被蚀刻的材料作为最靠近在电致发光层上通过溅射法形成的电荷发生层的层。特别是，使用了苯并噁唑衍生物和吡啶衍生物。本发明还提供发光元件的制造方法。
发光元件及其制造方法以及利用器件

[发明专利]发光设备及其制造方法-CN200910152392.2有效
发明人：濑尾哲史;中村康男 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-09-28 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：在制造一种向上发射型发光元件中提供一种能够提高发光元件的发光效率而不会降低现有技术中使用的阳极材料特性的措施。本发明的特征在于属于元素周期表中第4，5和6簇中其中一簇的金属元素的氮化物或碳化物(此下文称之为金属化合物)用作形成发光元件阳极的材料。该金属化合物的功函数等于或大于常用阳极材料的功函数。因此，能够将阳极的空穴注射提高更多。而且，对于导电性能来说，该金属化合物的电阻率小于ITO的电阻率。因此，它能够实现用作电线的功能，与现有技术相比还能降低发光元件中的驱动电压。
发光设备及其制造方法

[发明专利]发光元件、发光设备、照明设备和电子器具-CN200780007322.7无效
发明人：大原宏树;坂田淳一郎;中村康男 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-02-22 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：发光层包含：发光基材，它包括硫族化合物；以及发光中心，它包括两种卤族化合物。硫族化合物包含硫族元素以及选自周期表第2到13族的元素，并且卤族化合物包含卤族元素以及选自典型的金属元素、过渡金属元素或稀土元素中的元素。
发光元件设备照明设备电子器具

[发明专利]发光元件、发光器件和电子器件-CN200710087631.1无效
发明人：池田寿雄;中村康男;青山智哉 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：旨在提供具有高发光效率的发光元件，它包括第一电极、第二电极和在第一电极与第二电极之间的发光层，其中发光层包含基底材料、第一杂质成分、第二杂质成分和有机化合物；基底材料是包含属于周期表第2族的元素和属于周期表第16族的元素的无机化合物、或者是包含属于周期表第12族的元素和属于周期表第16族的元素的无机化合物；第一杂质成分是铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、砷(As)、磷(P)或钯(Pd)中的任一种；而第二杂质成分是氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)或铊(Tl)中的任一种。
发光元件器件电子器件

[发明专利]发光元件及其制造方法，以及利用该发光元件的发光器件-CN200580012658.3有效
发明人： 中村康男;池田寿雄;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-04-21 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种发光元件和发光器件，其中在一对彼此相对设置的电极之间堆叠有多个电致发光层，之间插入电荷发生层，从而其中电荷发生层可通过溅射法形成于电致发光层上而不会损害该电致发生层。对于电致发光层来说，使用了不易被蚀刻的材料作为最靠近在电致发光层上通过溅射法形成的电荷发生层的层。特别是，使用了苯并噁唑衍生物和吡啶衍生物。
发光元件及其制造方法以及利用器件

[发明专利]发光器件及其制备方法-CN200610114840.6有效
发明人： 中村康男;柴田典子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-08-08 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源矩阵发光器件，其亮度性质在各个像素的发光元件之间不发生变化，而且甚至在面板具有更高清晰度时也能够实现。在所述发光器件中，发光元件具有位于第一电极和第二电极之间的含发光材料的层，所述发光元件的一个电极(第二电极)不仅仅在周边部分也在像素部分中和辅助布线电连接。所述含发光材料的层具有至少第一缓冲层、发光层和第二缓冲层。在像素部分中，在连接部分(第一连接部分)内，第一缓冲层和第二缓冲层之一或者全部位于辅助布线(第一辅助布线)和第二电极之间，其中在所述连接部分内第二电极和所述辅助布线电连接。
发光器件及其制备方法

[发明专利]显示装置及电子设备-CN200380108900.8有效
发明人：小山润;山崎优;棚田好文;濑尾哲史;西毅;中村康男;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-11-18 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种可两面显示和纵横切换显示的显示装置及其驱动方法。1个像素包括具有第1发光元件的第1区和具有第2发光元件的第2区，将第1区作为下方射出区，第2区作为上方射出区。包括：驱动上述像素的源极信号线驱动电路、具有和上述源极信号线驱动电路垂直的扫描方向的第1栅极信号线驱动电路、以及具有和上述第1栅极信号线驱动电路垂直的扫描方向的第2栅极信号线驱动电路，在通常显示时，利用第1栅极信号线驱动电路进行垂直扫描，在纵横切换显示时，利用第2栅极信号线驱动电路进行垂直扫描。
显示装置电子设备

[发明专利]发光装置和电子装置-CN200410102044.1有效
发明人：山崎舜平;平形吉晴;石谷哲二;中村康男;池田寿雄;大原宏树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。
发光装置电子

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