专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器系统和确定半导体存储器的最佳读取电压的方法-CN202211209818.5在审
  • 中川贵史 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-09-30 - 2023-09-26 - G11C16/26
  • 本公开涉及存储器系统和确定半导体存储器的最佳读取电压的方法。实施例提供了具有改善的可靠性的存储器系统和确定半导体存储器的最佳读取电压的方法。一种存储器系统包括第一和第二存储器基元以及控制器,该控制器被配置为将具有第一值的数据写入第一存储器基元中并且将具有第二值的数据写入第二存储器基元中,通过执行跟踪过程确定第一电压,以及使用第一电压从存储器基元读取数据。在跟踪过程中,控制器执行多次读取操作以确定存储器基元的第一分布,基于第一分布估计第一存储器基元的第二分布,基于第一分布和第二分布之间的差异计算第二存储器基元的第三分布,并基于第二分布和第三分布将第三电压内的电压确定为第一电压。
  • 存储器系统确定半导体最佳读取电压方法
  • [发明专利]显示装置及电子设备-CN202080069181.7在审
  • 中川贵史;小林英智;宍户英明 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2020-09-30 - 2022-08-12 - G09G3/3233
  • 提供一种高亮度的显示装置。像素包括发光器件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器及第二电容器。发光器件的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接。第一晶体管的栅极与第一电容器的一个电极及第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接。第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二电容器的一个电极电连接。第二电容器的一个电极与具有供应第一电位的功能的第一布线电连接。第二电容器的另一个电极与第一电容器的另一个电极、第三晶体管的源极和漏极中的一个及第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接。
  • 显示装置电子设备
  • [发明专利]显示装置-CN202080033476.9在审
  • 中川贵史;池田隆之;小林英智;宍户英明;胜井秀一;木村清贵 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2020-04-28 - 2021-12-10 - G09G3/20
  • 提供一种被窄边框化了的显示装置。显示装置包括彼此重叠的第一层、第二层以及第三层,第一层包括栅极驱动电路及数据驱动电路,第二层包括解复用电路,第三层包括显示部,在显示部中像素排列为矩阵形状,解复用电路的输入端子与数据驱动电路电连接,解复用电路的输出端子与像素电连接,栅极驱动电路及数据驱动电路包括与像素重叠的区域,栅极驱动电路及数据驱动电路不明确地分开而具有彼此重叠的区域,并且栅极驱动电路及数据驱动电路的个数可以都为五个以上。
  • 显示装置
  • [发明专利]传感器装置及半导体装置-CN201980066623.X在审
  • 中川贵史;池田隆之;福留贵浩 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2019-10-02 - 2021-05-25 - G01N21/27
  • 提供一种包括发光元件和传感器元件并具有柔性的半导体装置。该半导体装置包括传感器装置、处理器及通信装置。传感器装置在具有柔性的衬底上形成有第一像素和第二像素。第一像素包括发光元件和第一晶体管,第二像素包括具有光电转换功能的传感器元件和第二晶体管,发光元件射出的光具有峰波长。传感器元件所检测的波长范围包括该峰波长。第一晶体管的半导体层和第二晶体管的半导体层包含相同的元素,发光元件的像素电极具有与第一晶体管电连接的功能并且能够遮蔽对传感器元件的扩散光。
  • 传感器装置半导体
  • [发明专利]半导体装置-CN201980036289.3在审
  • 小林英智;池田隆之;中川贵史;广濑丈也;胜井秀一 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2019-05-23 - 2021-01-15 - H01L29/786
  • 提供一种校正阈值电压来提高运算精确度的半导体装置。该半导体装置包括第一电流源电路及第二电流源电路,第二电流源电路具有与第一电流源电路相同的结构。第一电流源电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器及第一至第三节点。第一晶体管的第一端子与第一节点电连接,第一晶体管的背栅极与第二晶体管的第一端子及第一电容器的第一端子电连接。第一晶体管的栅极与第二节点电连接,第一电容器的第二端子与第一晶体管的第二端子电连接。第一电流源电路的第一节点与第一及第二电流源电路的第二节点电连接。通过对第一晶体管的背栅极写入校正电压,改变第一晶体管的阈值电压。
  • 半导体装置
  • [发明专利]双酚A的制备方法-CN201380033378.5有效
  • 斋藤昌男;丰野步;中川贵史;早川岳志;儿玉正宏 - 出光兴产株式会社
  • 2013-06-13 - 2018-10-09 - C07C37/20
  • 根据如下双酚A的制备方法,能够有效地降低供给的原料使用量并且获得高品质的双酚A,所述双酚A的制备方法具备下述工序(A)~(F):工序(A):在酸催化剂的存在下,在使过量的苯酚与丙酮进行缩合反应的反应器中,生成BPA,得到含有BPA的反应混合液;工序(B):将所述反应混合液浓缩,得到浓缩液;工序(C):将所述浓缩液进行晶析后进行固液分离,分离成固体成分和母液;工序(D):将所述母液之中存在于体系内的该母液的至少一部分进行异构化处理;工序(E):将异构化处理后的溶液进行晶析后进行固液分离,分离成固体成分和母液的工序;和工序(F):将前述工序中得到的母液之中存在于体系内的该母液的至少一部分进行碱分解处理,将苯酚和/或IPP回收,不经由再结合反应器而供给到工序(A)的前述反应器的工序。
  • 双酚制备方法
  • [发明专利]地址检测电路和地址检测方法-CN200910173459.0无效
  • 中川贵史 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2009-09-18 - 2010-03-24 - G11B7/00
  • 本发明提供了地址检测电路和地址检测方法。地址检测电路包括校正信号生成器,该校正信号生成器基于从光盘的摆动读出的ADIP(预刻槽地址)信号生成多个时序校正信号,时序校正信号彼此具有不同的周期;校正信号选择器,该校正信号选择器选择由校正信号生成器生成的时序校正信号中的一个并且输出所选择的信号;以及时序校正器,该时序校正器在根据从校正信号选择器传输的时序校正信号的时序输出基于从光盘的数据轨道读出的数据信号检测到的数据地址。
  • 地址检测电路方法
  • [发明专利]路径搜索装置和方法及使用其的阵列天线接收装置-CN03810794.5无效
  • 中川贵史 - 日本电气株式会社
  • 2003-05-16 - 2005-08-10 - H04J13/04
  • 本发明提供了一种路径搜索装置和方法,以及使用所述路径搜索装置和方法的阵列天线接收装置。所述装置和方法从包含多个天线元件的阵列天线单元接收DS-CDMA方案的信号,并且检测多路径定时。在具有多个阵列天线单元(141,142)的信号接收系统中,将每个天线元件(11到16)的延迟曲线组合起来,并且使用经组合的输出执行路径检测,从而得到更高精度并且更高速度的路径检测。除了组合每个天线元件的延迟曲线以外,本发明还可以在多个阵列天线单元(分集分支)间组合延迟曲线。当在搜索器部分(44)形成波束时,可以在多个阵列天线单元间将朝向同一方向的各个波束的延迟曲线组合起来。
  • 路径搜索装置方法使用阵列天线接收

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