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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有保护层的自对准互连件-CN201410441782.2有效
发明人： 严佑展;傅劲逢;李佳颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：集成电路结构包括：第一层层间电介质(ILD)、位于第一ILD中的栅极堆叠件、位于第一ILD上方的第二ILD、位于第二ILD中的接触插塞、以及位于接触插塞的相对两侧上并且与接触插塞相接触的介电保护层。接触插塞和介电保护层位于第二ILD中。介电覆盖层位于接触插塞上方并且与接触插塞相接触。本发明还涉及具有保护层的自对准互连件。
具有保护层对准互连

[发明专利]形成MOSFET结构的方法-CN201410169123.8有效
发明人：傅劲逢;严佑展;柯志欣;李俊鸿;林焕哲;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成MOSFET结构的方法。在该方法中，形成外延层。在外延层之上形成覆盖层。在外延层之上形成第一沟槽。在第一沟槽内沉积保护层。保护层的材料选自由锗和硅锗组成的组。
形成 mosfet 结构方法

[发明专利]使用双重图案化的自对准纳米线的形成-CN201410808255.0有效
发明人：傅劲逢;陈德芳;严佑展;李佳颖;李俊鸿;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法，包括在半导体衬底上方形成图案预留层。该半导体衬底具有主表面。执行第一自对准多重图案化工艺以图案化图案预留层。该图案预留层的剩余部分包括在平行于半导体衬底的主表面的第一方向上延伸的图案预留带。执行第二自对准多重图案化工艺以在平行于半导体衬底的主表面的第二方向上图案化图案预留层。图案预留层的剩余部分包括图案化的部件。图案化的部件用作蚀刻掩模以通过蚀刻半导体衬底来形成半导体纳米线。本发明还提供了利用上述方法形成的集成电路结构。
使用双重图案对准纳米形成

[发明专利]纳米线结构及其制造方法-CN201510278514.8有效
发明人：傅劲逢;陈德芳;严佑展;李佳颖;李俊鸿;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种器件，器件包括具有第一图案的第一组纳米线、具有第二图案的第二组纳米线、具有第三图案的第三组纳米线和具有第四图案的第四组纳米线，其中，第一图案、第二图案、第三图案和第四图案形成重复图案。本发明还涉及纳米线结构及其制造方法。
图案纳米线纳米线结构图案形成重复图案制造

[发明专利]反向调节自对准接触件-CN201410184599.9有效
发明人：傅劲逢;严佑展;李佳颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及一种形成晶体管或其他半导体器件的源极/漏极自对准接触件的方法。该方法包括在衬底上方形成一对栅极结构，以及在该对栅极结构之间形成源极/漏极区。该方法还包括形成布置在源极/漏极区上方并且横向布置在该对栅极结构的邻近的侧壁之间的牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括形成延伸在牺牲源极/漏极接触件和该对栅极结构上方的介电层。该介电层不同于牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括去除该介电层中位于牺牲源极/漏极接触件上方的部分并且随后去除牺牲源极/漏极接触件以形成凹槽，以及用导电材料填充凹槽以形成源极/漏极接触件。
反向调节对准接触

[发明专利]锂电池-CN200810167119.2有效
发明人：吴弘俊;王复民;苏静怡;杨长荣;潘金平;严佑展;吴乃立 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明提供一种锂电池，包括硅负极、锂金属混合氧化物正极、隔离膜，位于正极与负极之间以定义容置区域、电解质溶液，位于容置区域；以及封装结构，包覆硅负极、锂金属混合氧化物正极、隔离膜、以及电解质溶液。电解质溶液包括有机溶剂、锂盐、以及添加剂，且添加剂包括马来酰亚胺系化合物以及碳酸亚乙烯酯。应用上述电解质溶液的锂电池可有效提升硅负极的充放电效率与寿命。
锂电池

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