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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]垂直型CMOS图像传感器及其制造方法和吸附方法-CN200610156710.9有效
  • 林秀 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-28 - 2007-07-04 - H01L27/146
  • 本发明提供一种垂直型CMOS图像传感器及其制造方法和吸附方法，其中源极和漏极区被扩展以改善接地和吸附效果。该垂直型CMOS图像传感器包括：硅衬底；第一光电二极管，形成在该硅衬底的预定部分中；第一外延层，形成在该硅衬底上；第二光电二极管，形成在该第一外延层上，与该第一光电二极管交叠；第二外延层，形成在该第一外延层上；第三光电二极管，形成在该第二外延层上，与该第二光电二极管交叠；以及第一至第三接地伪沟，通过向该硅衬底、该第一外延层和该第二外延层上的相同部分中注入杂质而形成。
  • 垂直cmos图像传感器及其制造方法吸附
  • [发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法-CN200610171258.3无效
  • 沈喜成 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-25 - 2007-07-04 - H01L21/822
  • 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤：制备形成有隔离层的半导体衬底；形成光电二极管与第一和第二多层栅，其中该光电二极管设置于所述半导体衬底的预定部分处，所述第一和第二多层栅位于该半导体衬底上并与该光电二极管隔开预定间隔；在所述半导体衬底上形成位于所述第一多层栅与所述第二多层栅之间的形成浮置扩散区，以接收从该光电二极管转移的电子；以及在该浮置扩散区的一部分上形成用于金属接触部的浮置扩散结区。因此，由于所述浮置扩散区的形成和所述浮置扩散结区的形成无关，因而可控制由浮置扩散结区产生的结漏电流。
  • 互补金属氧化物半导体图像传感器制造方法
  • [发明专利]图像传感器的制造方法-CN200610156703.9无效
  • 金相植 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-28 - 2007-07-04 - H01L21/822
  • 本发明公开了一种图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤：制备形成有多个光电二极管的半导体衬底；在该半导体衬底上形成层间介电层；在该层间介电层上形成滤色层；在该滤色层上形成平面层；以及在该平面层上形成涂覆有脂溶性聚合物的微透镜。由于涂覆在微透镜上的脂溶性聚合物，使得可均匀地形成微透镜，因此，提高了图像传感器的光敏度和色彩再现性，从而可以获得高质量的图像传感器。
  • 图像传感器制造方法
  • [发明专利]静态随机存储器及其制造方法-CN200610170188.X无效
  • 朴盛羲 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-25 - 2007-07-04 - H01L27/11
  • 本发明公开了一种静态随机存储器(SRAM)，其包括：由金属氧化物半导体(MOS)晶体管构成的第一存取晶体管和第二存取晶体管；由金属氧化物半导体(MOS)晶体管构成的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管；以及用作上拉器件使用的第一p－沟道薄膜晶体管(TFT)和第二p－沟道薄膜晶体管。该SRAM包括：地电位层，其设置作为该第一驱动晶体管和该第二驱动晶体管的共用源极，并且通过将掺杂剂注入半导体衬底而形成；电源电位层，其与第一p－沟道TFT和第二p－沟道TFT的源极连接；以及绝缘层，其形成在该衬底上并置于该地电位层和该电源电位层之间。
  • 静态随机存储器及其制造方法
  • [发明专利]窄宽度金属氧化物半导体晶体管-CN200610170193.0无效
  • 安正豪 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-25 - 2007-07-04 - H01L29/78
  • 本发明公开一种用于增强PMOS和NMOS晶体管性能、尤其是电流驱动性能，同时减小窄宽度效应的半导体晶体管。窄宽度MOS晶体管包括：沟道，其宽度为W0且长度为L0；有源区，包括以沟道为中心在两侧形成的源极区和漏极区；栅极绝缘层，其形成在沟道上；栅极导体，其形成在栅极绝缘层上，并且与有源区交叉；第一附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到源极区的有源区；以及第二附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到漏极区的有源区。当具有附加有源区的晶体管结构被应用到NMOS和PMOS晶体管时，驱动电流被分别表示为107.27％和103.31％。因此，PMOS和NMOS晶体管的驱动电流增强。
  • 宽度金属氧化物半导体晶体管
  • [发明专利]半导体器件的晶体管及其制造方法-CN200610170200.7无效
  • 朴正浩 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-25 - 2007-07-04 - H01L29/78
  • 一种半导体器件的晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上通过第一离子注入工艺形成第一源极/漏极区；在半导体衬底上沉积第一牺牲层并干蚀刻一部分以露出源极/漏极区；形成填充孔的沟道区；在第一源极/漏极区和沟道区上形成第二牺牲层；在沟道区上形成第二牺牲层处进行第二离子注入工艺；使用湿蚀刻方法除去第二牺牲层；依次形成第一源极/漏极区、沟道区上的栅极绝缘层及栅极导电层；干蚀刻栅极导电层以形成围绕沟道区上部和一个侧面的栅极导体；在半导体衬底上注入离子以在沟道区上形成第二源极/漏极区；在半导体衬底上形成中间绝缘层；蚀刻中间绝缘层以形成露出第一和第二源极/漏极区及栅极导体一部分的接触孔；形成第二导电层。
  • 半导体器件晶体管及其制造方法
  • [发明专利]制造EEPROM器件的方法-CN200610170170.X无效
  • 金东郁 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-25 - 2007-07-04 - H01L21/8247
  • 一种制造EEPROM器件的方法，能减少单元面积。该方法包括在半导体衬底上形成掩模图案；在通过掩模图案暴露出来的半导体衬底的顶部上形成栅极氧化物层；形成与掩模图案的两侧壁都自对准的存取栅极；去除掩模图案；形成被附接到存取栅极的侧壁的第一电介质间隔件；形成适合覆盖存取栅极和第一电介质间隔件的绝缘层；形成两个分别与两个存取栅极的相对侧壁自对准的单元栅极，各第一电介质间隔件被插入到相应单元栅极和相应存取栅极之间，单元栅极在绝缘层的顶部上分开设置。
  • 制造eeprom器件方法
  • [发明专利]图像传感器的制造方法-CN200610156704.3无效
  • 金相植 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-28 - 2007-07-04 - H01L21/822
  • 本发明公开了一种图像传感器的制造方法。该方法包括如下步骤：制备形成有多个光电二极管的半导体衬底；在该半导体衬底上形成层间介电层；在该层间介电层上形成滤色层；在该滤色层上形成平坦化层；以及利用传热液体在该平坦化层上形成微透镜。由于微透镜浸入到高温的传热液体中，所以热量均匀地作用至微透镜，这样，防止微透镜彼此结合。由于均匀地形成微透镜的弯曲表面，所以可以提高图像传感器的感光度和色彩重现性能，由此得到高质量的图像传感器。
  • 图像传感器制造方法
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