专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种LED吊灯基板-CN201120324168.X有效
  • 陈小东;王维韵;周爱新;陈中坤 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2011-08-31 - 2012-06-20 - F21V21/02
  • 本实用新型涉及LED吊灯技术领域,具体涉及一种LED吊灯基板。一种LED吊灯基板,包括基板本体,所述基板本体设置有多个导流槽。LED吊灯基板设置于吊灯外壳的底部,起到支撑灯具和封闭吊灯外壳的底部的作用,多个导流槽可以将空气由下至上引入吊灯外壳内的腔体,并将腔体内的空气由吊灯外壳的上部排除,可以增强散热效果,使吊灯外壳内为不封闭的空间,提高了灯具的使用寿命。
  • 一种led吊灯
  • [实用新型]一种倒装结构的发光二极管芯片-CN201120281801.1有效
  • 李永德;王维昀;吴烜梁 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2011-08-04 - 2012-05-16 - H01L33/38
  • 本实用新型涉及发光器件技术,尤其涉及一种倒装结构的发光二极管芯片,其包括有衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层,还包括用于外露n型半导体层的n极刻蚀孔,n极刻蚀孔的底部和内壁设置有与n型半导体层连接的n极接触层,p型半导体层表面设置有与p型半导体层连接的p极接触层,其中,本实用新型通过n极绝缘透明层隔开n极刻蚀孔边沿与p极金属层,使p极金属层的电流较难扩散至n极刻蚀孔边沿,从而减少n极刻蚀孔边沿的电流密度,提高芯片整体的有效的辐射复合的效率,即提高发光二极管芯片的发光效率。
  • 一种倒装结构发光二极管芯片
  • [实用新型]一种芯片倒装的发光二极管-CN201120174393.X有效
  • 王维昀;李永德 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2011-05-27 - 2012-03-07 - H01L33/48
  • 本实用新型涉及发光器件技术,尤其涉及一种芯片倒装的发光二极管。本实用新型提供的一种芯片倒装的发光二极管,它包括有发光二极管芯片、倒装基板,发光二极管芯片与倒装基板之间设置有各向异性导电胶,发光二极管芯片通过各向异性导电胶倒装固定于倒装基板。本实用新型只通过各向异性导电胶,就可以将发光二极管芯片倒装固定于倒装基板,无需超声焊接,无需价格昂贵的金及昂贵复杂的超声倒装机台,因此,本实用新型提供的芯片倒装的发光二极管具有生产成本低、生产的不良率较低、工艺简单等特点。
  • 一种芯片倒装发光二极管
  • [实用新型]一种LED真空封装装置-CN201120268632.8有效
  • 陈小东 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2011-07-27 - 2012-02-08 - H01L33/00
  • 本实用新型涉及LED封装技术,一种LED真空封装装置,包括基板、成型模,所述基板设置于所述成型模上方,所述基板与所述成型模匹配,所述真空封装装置还设置有上模和下模,所述上模、下模相互匹配,形成密封的模腔,所述基板、成型模设置于所述模腔内,所述模腔与真空抽气装置连通。基板和成型模压制过程中,模腔内为真空环境,基板压制硅胶不会产生气泡,合格率高,封装效果好。
  • 一种led真空封装装置
  • [发明专利]一种陶瓷封装型LED点测装置及点测方法-CN201110222608.5无效
  • 周爱新;陈小东 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2011-08-04 - 2012-02-01 - G01R31/26
  • 本发明涉及LED检测技术,一种陶瓷封装型LED点测装置,包括至少一套探测机构和积分球,所述积分球与探测机构连接,所述探测机构包括探针装置和用于对LED进行标记的标记装置,所述探针装置包括探针、探针架和用于驱动探针架上下移动的驱动机构。一种陶瓷封装型LED点测方法,包括以下步骤:步骤一、送料:送料机构将基板送入调整机构,调整机构将基板移动至检测区域;步骤二、点测:驱动机构驱动探针向下运动,刺破基板上设置的硅胶,积分球进行判断,步骤三、回收:收集装置的输送皮带基板送入基板收集器;步骤四、分装。本发明提供的点测方法,步骤简单,易于实现,并且在检测过程中,可以同时进行标记,出错率低。
  • 一种陶瓷封装led装置方法
  • [发明专利]一种LED真空封装装置及真空封装方法-CN201110211887.5无效
  • 陈小东 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2011-07-27 - 2011-12-07 - H01L33/00
  • 本发明涉及LED封装技术,一种LED真空封装装置,包括基板、成型模,所述基板设置于所述成型模上方,所述基板与所述成型模匹配,所述真空封装装置还设置有上模和下模,所述上模、下模相互匹配,形成密封的模腔,所述基板、成型模设置于所述模腔内,所述模腔与真空抽气装置连通,一种LED真空封装方法,注胶,在所述成型模内注入所需的封装胶;合模,将上模与下模闭合,真空管对模腔内进行抽真空,同时基板对注入的封装胶压制;基板挤压封装胶,封装胶流入成型模的模孔;待封装胶硬化后,打开上模,即完成LED封装成型。基板和成型模压制过程中,模腔内为真空环境,基板压制硅胶不会产生气泡,合格率高,封装效果好。
  • 一种led真空封装装置方法
  • [实用新型]一种结构改良的LED芯片-CN201120076941.5无效
  • 王维昀;周爱新 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2011-03-22 - 2011-09-21 - H01L33/46
  • 本实用新型涉及LED制备技术领域,尤其涉及一种结构改良的LED芯片。本实用新型所述的一种结构改良的LED芯片,包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层,所述衬底的下方层叠设置有反射镜,反射镜与衬底之间分布有颗粒状的银粒子,银粒子的一侧壁粘附于衬底的下表面,银粒子的其余侧壁与反射镜贴合。位于衬底下方的银粒子与反射镜组合并形成复合反射镜,相对于单一金属反射镜或者介电质反射镜而言,该复合反射镜具有较高的表面粗糙度并能够将有源层发出的光线由镜面反射状态变成漫反射状态,漫反射可以增加透出本实用新型的出光面的光线;所以,本实用新型能够有效地提高出光效率并最终提升照明亮度。
  • 一种结构改良led芯片
  • [发明专利]一种LED芯片的制备方法-CN201110069368.X无效
  • 王维昀;周爱新 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2011-03-22 - 2011-08-17 - H01L33/00
  • 本发明涉及LED照明灯具技术领域,尤其涉及一种LED芯片的制备方法。本发明所述一种LED芯片的制备方法依次通过蒸镀银薄膜——冷却——银薄膜快速退火——冷却——蒸镀TiO2/SiO2反射层——冷却工序制备LED芯片,按照上述工序制备而成的LED芯片主要利用反射层与蓝宝石基板之间的银颗粒来增大反射层的反射部的粗糙度,进而将有源层发出的光线由镜面反射状态变成漫反射状态并最终增加透出LED芯片的出光面的光线;所以,上述LED芯片的制备方法能够有效地制备出高出光效率以及高亮度的LED芯片。
  • 一种led芯片制备方法
  • [发明专利]一种结构改良的LED芯片-CN201110069369.4无效
  • 王维昀;周爱新 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2011-03-22 - 2011-08-10 - H01L33/46
  • 本发明涉及LED制备技术领域,尤其涉及一种结构改良的LED芯片。本发明所述的一种结构改良的LED芯片,包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层,所述衬底的下方层叠设置有反射镜,反射镜与衬底之间分布有颗粒状的银粒子,银粒子的一侧壁粘附于衬底的下表面,银粒子的其余侧壁与反射镜贴合。位于衬底下方的银粒子与反射镜组合并形成复合反射镜,相对于单一金属反射镜或者介电质反射镜而言,该复合反射镜具有较高的表面粗糙度并能够将有源层发出的光线由镜面反射状态变成漫反射状态,漫反射可以增加透出本发明的出光面的光线;所以,本发明能够有效地提高出光效率并最终提升照明亮度。
  • 一种结构改良led芯片
  • [实用新型]一种阵列式的LED工矿灯-CN201020550187.X有效
  • 陈小东;邬明华 - 东莞市福地电子材料有限公司
  • 2010-09-30 - 2011-04-20 - F21S8/00
  • 本实用新型公开了一种阵列式的LED工矿灯;其包括导热外罩、散热器和PCB板,散热器和PCB板位于导热外罩的内部,LED工矿灯还包括主板,主板的一端面连接散热器,主板的另一端面连接PCB板,PCB板设置有呈矩阵排列的LED,LED均匀分布在PCB板;本实用新型的PCB板设置有呈矩阵排列的LED,本实用新型出光均匀,矩阵排列的LED散热效果比集成式的LED芯片要好,且本实用新型通过主板连接散热器和PCB板,结构牢固。
  • 一种阵列led工矿

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