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[实用新型]一种倒装LED芯片测试机-CN201320219565.X有效
发明人：王维昀;周爱新;李大喜;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型创造提供一种在倒装LED芯片的芯片阶段即能及时对倒装LED芯片进行测试，提供的测试数据可作为分光分色的依据并可客观反映倒装LED芯片工艺的倒装LED芯片测试机。一种倒装LED芯片测试机，包括支撑部，工作盘通过支撑部连接于XYZ三轴驱动装置，工作盘与XYZ三轴驱动装置之间留有可容置平板形太阳能板的间隙；工作盘为透明的工作盘，测试时平板形太阳能板可移动到工作盘下方并采集倒装LED芯片发出的光线。太阳能板体积小且为平面结构，安装和移动操作方便，测试时定位更准确，不容易漏光。
一种倒装 led 芯片测试

[实用新型]LED倒装芯片-CN201320219428.6有效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。第二N欧姆接触层与P焊接电极相互绝缘以避免短路，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接。不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。
led 倒装芯片

[实用新型]LED倒装芯片的N电极连接结构-CN201320219440.7有效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED倒装芯片，具体涉及其N电极连接结构。本实用新型的目的是让LED倒装芯片获得较好的发光效果，芯片上N接触层的电流分布均匀，且N接触层制作和焊接方便，为此给出LED倒装芯片的N电极连接结构，芯片底面开有至少两个沉坑穿过P型层和有源发光层通至N半导体层，其特征是：沉坑侧壁和芯片底面设有绝缘层；芯片的N接触层包括沉入部和连接部，沉入部进入沉坑内触通N半导体层，连接部覆盖在芯片底面的绝缘层的表面连起分别位于不同沉坑内的各个沉入部。N接触层是蒸镀或溅射而成的。
led 倒装芯片电极连接结构

[实用新型]倒装LED芯片焊接保护结构-CN201320219366.9有效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及倒装LED芯片，具体涉及其焊接保护结构。本实用新型创造的目的是防止倒装LED芯片倒装固晶焊接时P、N之间直接短路或漏电，为此给出倒装LED芯片焊接保护结构，芯片的第一侧壁既有P型层又有N型层，其特征是，第一侧壁被绝缘的钝化层从芯片底面覆盖至衬底底面。芯片倒装固晶焊接时，即使焊料外溢上爬，也由于有钝化层在芯片的侧壁进行绝缘保护，该侧的P型层和N型层就不会短路或漏电了。
倒装 led 芯片焊接保护结构

[发明专利]一种倒装LED芯片测试机和测试方法-CN201310149938.5无效
发明人：王维昀;周爱新;李大喜;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种在倒装LED芯片的芯片阶段即能及时对倒装LED芯片进行测试，提供的测试数据可作为分光分色的依据并可客观反映倒装LED芯片工艺的倒装LED芯片测试机与测试方法。一种倒装LED芯片测试机，包括支撑部，工作盘通过支撑部连接于XYZ三轴驱动装置，工作盘与XYZ三轴驱动装置之间留有可容置平板形太阳能板的间隙；工作盘为透明的工作盘，测试时平板形太阳能板可移动到工作盘下方并采集倒装LED芯片发出的光线。倒装LED芯片测试方法，工作盘采用透明的，用平板形太阳能板在工作盘下方收集芯片发出的光。太阳能板体积小且为平面结构，安装和移动操作方便，测试时定位更准确，不容易漏光。
一种倒装 led 芯片测试方法

[发明专利]倒装LED芯片焊接保护结构-CN201310149904.6无效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及倒装LED芯片，具体涉及其焊接保护结构。本发明的目的是防止倒装LED芯片倒装固晶焊接时P、N之间直接短路或漏电，为此给出倒装LED芯片焊接保护结构，芯片的第一侧壁既有P型层又有N型层，其特征是，第一侧壁被绝缘的钝化层从芯片底面覆盖至衬底底面。芯片倒装固晶焊接时，即使焊料外溢上爬，也由于有钝化层在芯片的侧壁进行绝缘保护，该侧的P型层和N型层就不会短路或漏电了。
倒装 led 芯片焊接保护结构

[发明专利]LED倒装芯片的N电极连接结构-CN201310149876.8无效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明创造涉及LED倒装芯片，具体涉及其N电极连接结构。本发明创造的目的是让LED倒装芯片获得较好的发光效果，芯片上N接触层的电流分布均匀，且N接触层制作和焊接方便，为此给出LED倒装芯片的N电极连接结构，芯片底面开有至少两个沉坑穿过P型层和有源发光层通至N半导体层，其特征是：沉坑侧壁和芯片底面设有绝缘层；芯片的N接触层包括沉入部和连接部，沉入部进入沉坑内触通N半导体层，连接部覆盖在芯片底面的绝缘层的表面连起分别位于不同沉坑内的各个沉入部。N接触层是蒸镀或溅射而成的。
led 倒装芯片电极连接结构

[发明专利]LED倒装芯片-CN201310149879.1无效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。第二N欧姆接触层与P焊接电极相互绝缘以避免短路，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接。不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。
led 倒装芯片

[发明专利]一种倒装LED芯片测试机与测试方法-CN201310058593.2无效
发明人：王维昀;毛明华;马涤非;徐冰 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种倒装LED芯片测试机，包括芯片装载装置、芯片测试装置和光源采集装置，芯片测试装置包括探针，芯片装载装置包括用于放置待测倒装LED芯片的工作盘和轴转动装置，该测试机还包括支撑部，工作盘通过支撑部连接于轴转动装置，工作盘与轴转动装置之间留有可容置光源采集装置的间隙；工作盘为透明的工作盘，测试时光源采集装置移动到工作盘下方并采集倒装LED芯片发出的光线；本发明的一种倒装LED芯片的测试方法，包括上片、位置扫描、自动对位、测试与下片等步骤。本发明通过改装正装LED芯片测试机，结合本发明的测试方法，使其能对倒装LED芯片进行测试并能得到准确的测试结果，为倒装LED芯片在芯片阶段提供分光分色的依据。
一种倒装 led 芯片测试方法

[发明专利]一种LED高压电源-CN201110384614.0无效
发明人：王维昀;陈中坤;陈小东 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种LED高压电源，涉及照明装置技术领域，其结构包括有电源输入正端V+、电源输入负端V-、传导和辐射电路单元、输入滤波电路单元、控制电路单元、升压电路单元、恒流电路单元、输出滤波电路单元、输出负载正端LED+和输出负载负端LED-，与现有技术相比，本发明的LED高压电源具有输出的电压较高，电源效率高，可达到94%，工作稳定，成本低，控制电流精度高的特点。
一种 led 高压电源

[发明专利]一种倒装结构的发光二极管芯片-CN201110222610.2无效
发明人：李永德;王维昀;吴烜梁 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件技术，尤其涉及一种倒装结构的发光二极管芯片，其包括有衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层，还包括用于外露n型半导体层的n极刻蚀孔，n极刻蚀孔的底部和内壁设置有与n型半导体层连接的n极接触层，p型半导体层表面设置有与p型半导体层连接的p极接触层，其中，本发明通过n极绝缘透明层隔开n极刻蚀孔边沿与p极金属层，使p极金属层的电流较难扩散至n极刻蚀孔边沿，从而减少n极刻蚀孔边沿的电流密度，提高芯片整体的有效的辐射复合的效率，即提高发光二极管芯片的发光效率。
一种倒装结构发光二极管芯片

[实用新型]一种LED球泡灯-CN201220200285.X有效
发明人：陈小东 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED照明灯技术领域，特别是涉及一种LED球泡灯，包括灯罩、光源、灯泡外壳、电源以及灯头，光源位于灯罩内、且灯罩和光源固接于灯泡外壳的上部，电源设于灯泡外壳内，灯泡外壳下部固接灯头，灯泡外壳的外表面设有散热翅片，散热翅片的外表面设置有陶瓷层。本实用新型的一种LED球泡灯，灯泡外壳的设置使得本实用新型的球泡灯，结构简单，方便生产组装；灯泡外壳外表面设有散热翅片，有效的增大了灯泡外壳的散热面积，散热效果极佳，延长了LED球泡灯的使用寿命；散热翅片的外表面设置有陶瓷层，绝缘效果好，使用安全。
一种 led 球泡灯

[发明专利]一种芯片倒装的发光二极管及其制造方法-CN201110140345.3无效
发明人：王维昀;李永德 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件技术，尤其涉及一种芯片倒装的发光二极管及其制造方法。本发明提供的一种芯片倒装的发光二极管，它包括有发光二极管芯片、倒装基板，发光二极管芯片与倒装基板之间设置有各向异性导电胶，发光二极管芯片通过各向异性导电胶倒装固定于倒装基板。本发明只通过各向异性导电胶，就可以将发光二极管芯片倒装固定于倒装基板，无需超声焊接，无需价格昂贵的金及昂贵复杂的超声倒装机台，因此，本发明提供的芯片倒装的发光二极管具有生产成本低、生产的不良率较低、工艺简单等特点。
一种芯片倒装发光二极管及其制造方法

[实用新型]一种LED红外感应器-CN201120481347.4有效
发明人：陈小东;王维昀;陈中坤 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种LED红外感应器，涉及照明装置技术领域，包括电源输入接口P1、控制模块、供电模块、开关模块和输出接口P2；控制模块包括有控制芯片U1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2、电容C3、电容C5、电容C6和电源VCC等；供电模块包括有电阻R1、电阻R17、电容C4、电容C13、整流桥D1、二极管D2、二极管D4、二极管D5和电源VCC；开关模块包括有隔离开关U3、电阻R7、电阻R8、电阻R10、电阻R13、电阻R15、整流桥D3、电容C10和双向可控硅Q1，本实用新型可在不改变原来灯具的电源的情况下，直接加到灯具实现红外感应功能，通用性强、节约成本，还具有感应灵敏、稳定性好的特点。
一种 led 红外感应器

[实用新型]一种LED吊灯用散热器-CN201120324165.6有效
发明人：王维韵;陈小东;周爱新;陈中坤 -专利权人： 东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： F21V29/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED吊灯技术领域，具体涉及一种LED吊灯用散热器。一种LED吊灯用散热器，包括散热翅片和散热孔，所述散热孔周边设置有散热翅片，所述散热翅片一端与所述散热孔连接，所述散热翅片的厚度逐渐变大，所述相邻的散热翅片之间设置有间隙。散热翅片的厚度逐渐变大，使相同的体积内，散热翅片的表面积相比现有的矩形散热翅片的表面积较大，可以有效的提高散热效率。
一种 led 吊灯散热器

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