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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氮化硅烧结体、耐磨性构件及氮化硅烧结体的制造方法-CN202280016625.X在审
发明人：大久保和也 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：实施方式的氮化硅烧结体的特征在于，其具备氮化硅结晶粒子及晶界相，在对上述氮化硅烧结体的中心截面中的20μm×20μm的区域进行拉曼光谱分析的情况下，在780cm‑1～810cm‑1及1340cm‑1～1370cm‑1的范围内检测到2个以上的峰，在170cm‑1～190cm‑1、607cm‑1～627cm‑1、720cm‑1～740cm‑1、及924cm‑1～944cm‑1的范围内检测到4个以上且6个以下的峰。
氮化烧结耐磨性构件制造方法

[发明专利]铼钨线棒和使用其的热电偶-CN202280020091.8在审
发明人：青山齐;马场英昭;友清宪治 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：通过使ReW线棒主体的任意截面中的Re含量均匀化，从而能够实现没有材质的波动、确保机械特性、大幅地有助于热电动势的稳定性提高的ReW线棒。ReW通常采用将粉末混合、成型、烧结的粉末冶金法。由于ReW的烧结通过固相扩散而推进，因此利用粉末的粒度分布、混合状态、成型烧结条件，生成Re组成比局部地高的相区域(σ相的偏析相)。将这样的Re组成的变动大的烧结体加工为棒材、线(线棒)时，在加工方向截面、轴向垂直截面产生Re量波动(变动)导致的不均匀。实施方式涉及的铼钨线棒是由含有铼的钨合金制成的线棒，在线棒主体中的单位面积为直径1μm的任意的测量区域中，铼含量不到30wt％。
铼钨线棒使用热电偶

[发明专利]钨丝以及使用其的钨丝加工方法及电解丝-CN202280014992.6在审
发明人：青山齐;马场英昭;友清宪治 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B21C1/00 文献下载
摘要：实施方式的钨丝是由含有Re的W合金构成的钨丝，其在表面的至少一部分具有混合物，所述混合物包含W、C、O作为构成元素，在将所述混合物的径向截面厚度设为Amm，将所述钨丝的直径设为Bmm时，A相对于B的比率A/B的平均值为0.3％以上且0.8％以下。
钨丝以及使用加工方法电解

[发明专利]陶瓷电路基板及采用其的半导体装置-CN202280012540.4在审
发明人：那波隆之;矢野圭一;加藤宽正 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明提供一种经由接合层将陶瓷基板与金属板接合的陶瓷电路基板，当在由陶瓷电路基板的厚度方向和侧方向形成的剖面上观察陶瓷电路基板时，金属板的侧面具有倾斜形状，接合层具有从金属板的侧面和接合层相接的端部突出来20[μm]以上且150[μm]以下的接合层突出部。此外，控制金属板的侧面的形状及维氏硬度。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。
陶瓷路基采用半导体装置

[发明专利]氧化钨粉末及使用了其的电致变色元件-CN202280009318.9在审
发明人：福士大辅 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明提供一次粒子的平均粒径为100nm以下的氧化钨粉末，其特征在于，在该氧化钨粉末的一次粒子中混合存在有结晶相和非晶相。此外，在上述一次粒子中，优选在结晶相的周长80％以上且100％以下的范围内存在非晶相。此外，在上述一次粒子中，优选在结晶相的周长100％中存在非晶相。使用了这样的氧化钨粉末的电致变色元件能够提高应答速度、着色效率。
氧化钨粉末使用变色元件

[发明专利]绝缘性电路基板及使用了其的半导体装置-CN202180086658.7在审
发明人：森本一光;平林英明 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明的特征在于，在绝缘性基板的至少一个面上接合有导体部的绝缘性电路基板中，在对导体部表面的碳量进行XPS分析时，任意3处的平均值为0a％以上且70at％以下的范围内。此外，在对上述导体部表面的氧量进行XPS分析时，任意3处的平均值优选为3at％以上且50at％以下的范围内。
绝缘性路基使用半导体装置

[发明专利]蓄冷材料、蓄冷材料粒子、造粒粒子、蓄冷器、冷冻机、低温泵、超导磁铁、核磁共振成像装置、核磁共振装置、磁场施加式单晶提拉装置及氦再冷凝装置-CN202180078884.0在审
发明人：河本崇博;碓井大地;平松亮介;近藤弘康;田口成那 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： F25B9/00 文献下载
摘要：实施方式的蓄冷材料包含含有选自由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu构成的组中的至少一种稀土类元素的稀土类氧硫化物，包含0.001原子％以上且10原子％以下的第一族元素，2K以上且10K以下的温度范围内的体积比热的最大值为0.5J/(cm3K)以上。
材料粒子粒粒蓄冷器冷冻机低温泵超导磁铁核磁共振成像装置核磁共振磁场施加

[发明专利]绝缘性电路基板及使用了其的半导体装置-CN202180086659.1在审
发明人：森本一光;平林英明 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：实施方式提供改善了与接合层的接合的可靠性的陶瓷铜电路基板。实施方式的绝缘性电路基板的特征在于，其具备绝缘性基板、和与上述绝缘性基板的至少一个面接合的导体部，在对上述导体部的表面的氮量进行XPS分析时，任意3处的上述氮量的平均值为0at％以上且50at％以下的范围内。在对上述导体部表面的氧量进行XPS分析时，上述3处的上述氧量的平均值优选为3at％以上且30at％以下的范围内。上述氮量相对于上述氧量之比优选为0以上且5以下。
绝缘性路基使用半导体装置

[发明专利]氧化钨粉末浆料及其制造方法及使用了其的电致变色元件的制造方法-CN202280008734.7在审
发明人：福士大辅 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：一种氧化钨粉末浆料，其特征在于，其是将氧化钨粉末与水系溶剂混合而成的氧化钨粉末浆料，浆料中的氧化钨粉末的粒度累积曲线图中D50为20nm以上且10000nm以下，D90为100000nm以下，在进行X射线衍射分析(2θ)时在29°±1°下检测到的最强峰的半值宽度为2°以下。
氧化钨粉末浆料及其制造方法使用变色元件

[发明专利]陶瓷球用原材料及采用了其的陶瓷球的制造方法以及陶瓷球-CN202180086527.9在审
发明人：船木开;佐野翔哉 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B11/00 文献下载
摘要：实施方式涉及的陶瓷球用原材料具备球面部和遍及球面部表面的圆周而形成的带状部。带状部的宽度在0.5[mm]以上且4.0[mm]以下的范围内。在带状部的两肩部具备曲率半径为0.02[mm]以上的R部。此外，陶瓷可应用氧化铝、氮化硅、氮化硼、氧化锆中的任一种。
陶瓷球原材料采用制造方法以及

[发明专利]陶瓷刻画基板、陶瓷基板、陶瓷刻画基板的制造方法、陶瓷基板的制造方法、陶瓷电路基板的制造方法、半导体元件的制造方法-CN202180085324.8在审
发明人：松本幸久;星野尚人 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：实施方式陶瓷划线基板，在用于形成陶瓷基板的刻画线的表面侧具备多个槽通过光纤激光的照射而连接而成的连续槽，连续槽的深度大于50[μm]，且在陶瓷基板的厚度的0.15倍以上0.55倍以下的范围内。
陶瓷刻画制造方法路基半导体元件

[发明专利]接合体、电路基板及半导体装置-CN202210120610.X有效
发明人：梅原政司;加藤宽正;那波隆之 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：一种接合体，其具备陶瓷构件和介由接合层而与陶瓷构件接合的铜构件。接合层的纳米压痕硬度HIT为1.0GPa～2.5GPa。
接合路基半导体装置

[发明专利]3D打印机用金属粉、造型物及造型物的制造方法-CN202310762316.3在审
发明人：沟部雅恭;山本慎一;井野忠;田中徹;中野秀士 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B22F10/28 文献下载
摘要：3D打印机用金属粉具备多个金属粒子。多个金属粒子的粒度分布在1μm至200μm的粒径范围内具有最大峰。粒度分布中的累积比例按体积比例计为90％的粒径D90与累积比例按体积比例计为10％的粒径D10的差D90－D10为10μm以上。
打印机金属造型制造方法

[发明专利]接合体、陶瓷铜电路基板及半导体装置-CN202180072058.5在审
发明人：米津麻纪;末永诚一;藤泽幸子;佐野孝 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板和接合层。上述接合层配置在上述陶瓷基板的至少一个面上，且接合上述陶瓷基板和上述铜板。上述接合层含有Ag及Ti。上述铜板包含第一区域、第二区域及第三区域。上述第一区域在厚度方向与上述接合层分离。上述第二区域设在上述接合层与上述第一区域之间，且具有比上述第一区域高的Ag浓度。上述第三区域设在上述接合层与上述第二区域之间，且具有比上述第二区域低的Ag浓度。
接合陶瓷路基半导体装置

[发明专利]放电灯用阴极部件及放电灯-CN202080007820.7有效
发明人：沟部雅恭;青山齐;友清宪治;中野康彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J61/06 文献下载
摘要：线径为2mm以上且35mm以下的放电灯用阴极部件具备：第1部分，其含有钨和发射体材料，发射体材料的浓度为0.1质量％以上且5质量％以下；和第2部分，其含有与发射体材料不同的金属，发射体材料的浓度低于0.1质量％。在对通过第1部分的中心同时沿着第1部分的长度方向的截面上的、位于距中心1mm以内并且具有90μm×90μm的单位面积的区域进行电子背散射衍射分析时，在长度方向的反极图中，具有相对于101取向的取向差为－15度以上且15度以下的晶体取向的钨相的面积比最高。
电灯阴极部件

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