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[发明专利]一种量子点及其制备方法、发光二极管、显示装置-CN202210323258.X在审
发明人：聂志文;丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点及其制备方法、发光二极管、显示装置。量子点制备方法包括：提供混合溶液，混合溶液包括配位溶液、非配位溶液和量子点核；去除预设比例的非配位溶液；提供壳层阳离子前驱体和壳层阴离子前驱体，进行量子点壳层生长；其中，配位溶液的沸点高于非配位溶液的沸点。去除低沸点的非配位溶液，提高反应体系的沸点，使壳层高温生长，从而提高核壳量子点的结晶性，提升了量子点的发光效率。
一种量子及其制备方法发光二极管显示装置

[发明专利]一种纳米材料及其制备方法、光电器件及显示装置-CN202210195714.7在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本申请提供一种纳米材料及其制备方法、光电器件及显示装置,纳米材料包括：第一纳米颗粒；结合于第一纳米颗粒表面的有机硒配体，有机硒配体的硒原子通过共价键与第一纳米颗粒表面结合；和，结合于第一纳米颗粒表面的卤素配体，卤素配体的卤离子通过离子键与第一纳米颗粒表面结合。本申请提供一种低表面能的纳米材料，有效地提升了卤素配位纳米颗粒的分散稳定性，降低了卤素配位纳米颗粒保存过程中发生沉降的风险，进而提高了以纳米材料为发光层材料的光电性能，有利于纳米颗粒的工业化应用。
一种纳米材料及其制备方法光电器件显示装置

[发明专利]纳米颗粒及制备方法、发光二极管及显示装置-CN202111636836.7在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开一种纳米颗粒的制备方法，包括：提供锌离子前体溶液、镉离子前体溶液、银离子前体溶液及阴离子源前体溶液；将锌离子前体溶液升温至第一温度，将银离子前体溶液与阴离子源前体溶液加入锌离子前体溶液中，反应第一预设时间，注入镉离子前体溶液，熟化，得到核溶液，所述核溶液中包含核；向所述核溶液中注入壳层阳离子源及壳层阴离子源，在所述核的表面形成第1壳层，重复该步骤n次，其中，n为大于等于0的整数，依次得到第2壳层至第n+1壳层，得到具有n+1个壳层的纳米颗粒。所述制备方法可缩短银离子的受热时间，避免因长时间受热还原生成银颗粒，降低纳米颗粒的掺杂效果。另，本申请还公开一种纳米颗粒、发光二极管及显示装置。
纳米颗粒制备方法发光二极管显示装置

[发明专利]一种石墨烯量子点的制备方法-CN201910074574.6有效
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明提出一种石墨烯量子点的制备方法，包括如下步骤：提供初始碳纳米管，对所述初始碳纳米管进行氧化处理，得到第一碳纳米管；将所述第一碳纳米管进行煅烧处理，得到第二纳米管；将所述第二碳纳米管进行惰性气体等离子体处理，得到所述石墨烯量子点。本发明的制备方法通过氧化、裁剪、切割等过程，制备得到了光电性能稳定、量子效率高的石墨烯量子点材料。本方法制备的石墨烯量子点，批次稳定，且生产效率高，适合工业化生产，在光电显示器件、光伏器件及生物医学领域均有广泛的应用前景。
一种石墨量子制备方法

[发明专利]一种薄膜的制备方法、薄膜、电致发光器件及显示装置-CN202111188367.7在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜的制备方法，包括如下步骤：将第一PEDOT及有机溶剂混合，得到第一PEDOT溶液；将第一PEDOT溶液设置在基板的表面，得到第一PEDOT薄膜；对第一PEDOT薄膜进行交联固化，得到包含第二PEDOT的第二PEDOT薄膜，所述第二PEDOT的聚合度大于第一PEDOT的聚合度。所述制备方法制得的薄膜具有较好的空穴注入性能，具有较高的空穴注入效率，可以有效地促进包括其的电致发光器件内部的载流子平衡，降低电致发光器件的工作电压，并提升电致发光器件的光电效率，进而提升电致发光器件的性能。另，本申请还公开了一种由所述薄膜的制备方法制得的薄膜，一种包括所述薄膜的电致发光器件及显示装置。
一种薄膜制备方法电致发光器件显示装置

[发明专利]量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管-CN202111160578.X在审
发明人： 丘洁龙;闫晓林 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管，涉及显示技术领域，量子点材料为核壳结构，核壳结构包括内核和至少一层包覆内核的壳层，最外层壳层掺杂有亚铜离子；本申请还公开了该量子点材料的制备方法和采用该量子点材料制备量子点发光层的量子点发光二极管。本申请在核壳结构的量子点材料外壳层掺杂一定量的亚铜离子，可以改善现有技术中量子点材料在制备过程中存在大量阳离子悬挂键进而影响量子点材料的量子效率及光电稳定性的缺陷。
量子材料及其制备方法发光二极管

[发明专利]薄膜、薄膜的制备方法、光电器件及显示面板-CN202111033953.4在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜、薄膜的制备方法、光电器件及显示面板，所述薄膜包括金属氧化物纳米颗粒以及通过配位键连接于金属氧化物纳米颗粒表面的配体，其中，金属氧化物纳米颗粒的粒径大于6nm，具有表面缺陷密度低的优点；所述薄膜的制备方法是先采用溶液法制备形成湿膜，湿膜的材料包括粒径小于6nm的金属氧化物纳米颗粒，然后将湿膜置于包含配体的有机溶剂气体氛围下反应，然后干燥获得所述薄膜，所述制备方法不但降低了金属氧化物纳米颗粒的表面缺陷密度，而且避免了大粒径金属氧化物纳米颗粒溶解度下降、加工难度大的问题，并提高了薄膜的表面平整度；所述薄膜能够用作所述光电器件的电子传输层，所述光电器件能够应用于显示面板中。
薄膜制备方法光电器件显示面板

[发明专利]QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件-CN202111021384.1在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K85/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件，该制备方法通过将QLED中间器件置于电场环境中，QLED中间器件的阳极接近电场阳极端，阴极接近电场阴极端，因器件中的空穴注入层的PEDOT:PSS材料内部存在磺酸根阴离子，在电场作用下，磺酸根阴离子被固定在靠近阳极的界面，有利于带正电的空穴从阳极注入至空穴传输层，从而可以有效地降低空穴注入、传输势垒，进而降低器件的工作电压，提升器件的光电性能。
qled 器件制备方法显示

[发明专利]量子点器件及其制备方法-CN202110756350.0在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点器件及其制备方法，该量子点器件包括第一电极、第二电极以及设在所述第一电极和所述第二电极之间的叠层，所述叠层包括量子点层以及含有自由基捕获剂的电子传输层，所述量子点层靠近所述第一电极设置，所述电子传输层靠近所述第二电极设置，本发明通过在电子传输层中添加自由基捕获剂，可以有效地捕获量子点器件内部的羟基自由基，从而减少强氧化性自由基产生，抑制量子点材料配体的氧化，提升量子点器件的光电性能和寿命性能。
量子器件及其制备方法

[实用新型]消毒机及其废水收集装置-CN202222583411.0有效
发明人：马瑞达;罗琼;周宏明;丘洁龙;蔡希桐 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种消毒机及其废水收集装置，消毒机包括电解水箱和废水箱，所述装置包括：排水管路，排水管路的进水口设置在电解水箱中，排水管路的出水口设置在废水箱中；设置在排水管路上的开关组件，用于在消毒机断电时，处于导通状态，以使排水管路导通。本实用新型的消毒机的废水收集装置，通过控制开关组件在消毒机断电时处于导通状态，解决停电或正常关机下的废水收集问题，以避免湿膜长期浸泡在电解水中，延长了湿膜的使用寿命，提供了消毒机的可靠性。
消毒及其废水收集装置

[发明专利]量子点发光二极管器件及其制备方法-CN202110612647.X在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点发光二极管器件及其制备方法。量子点发光二极管器件包括阴极、阳极以及设在阴极和阳极之间的叠层，叠层包括量子点发光层、电子传输层以及设在量子点发光层和电子传输层之间的包含卤化银的膜层，量子点发光层靠近阳极设置，电子传输层靠近阴极设置。本申请可以抑制电子传输层形成光生空穴，减缓性能衰减速率，还可以减缓电子注入速率，改善电子、空穴注入不平衡状态。
量子发光二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种薄膜及其制备方法、量子点发光二极管器件-CN202110295345.4在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜及其制备方法、量子点发光二极管器件，包括P型导电聚合物和分散在所述P型导电聚合物中的有机小分子。本发明通过对P型导电聚合物进行改性，改性后的P型聚合物作为量子点光电器件的空穴传输层材料，其薄膜裂纹减少，器件性能稳定性更高，从而增加了空穴传输效率，提升器件光电性能。
一种薄膜及其制备方法量子发光二极管器件

[发明专利]功能材料膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法-CN202011616651.5在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请属于显示器件工艺技术领域，尤其涉及一种功能材料膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。该功能材料膜的制备方法包括如下步骤：提供基板；将功能材料溶液沉积在所述基板上，在溶剂蒸气气氛条件下进行退火处理，得到所述功能材料膜；其中，形成所述溶剂蒸气的溶剂能溶解所述功能材料。该功能材料膜的制备方法中，退火处理过程是在溶剂蒸气气氛条件下进行，这样功能材料层表面的功能材料即溶质粒子在溶剂蒸气作用下，产生溶解‑析出平衡，从而使功能材料层表面的溶质粒子重新排列，从而使功能材料膜厚度均一、面平整度更好的功能材料膜。
功能材料制备方法量子发光二极管

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202011639727.6在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：在预制器件上沉积空穴传输材料溶液，所述空穴传输材料为PVK；在所述预制器件的上下方向施加第一电场，对所述空穴材料溶液进行第一加热处理，在所述预制器件上形成空穴传输层。本发明以PVK作为空穴传输层材料，通过在电场和高温共同作用下，对空穴传输层进行退火，可有效提升量子点发光二极管的光电性能。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]碳纳米管模板的制备方法、金属氧化物纳米材料的制备方法-CN202011579883.8在审
发明人： 丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本申请涉及金属氧化物纳米材料制备技术领域，提供了一种碳纳米管模板的制备方法，包括以下步骤：将碳纳米管、质子酸、高锰酸钾和第一溶剂混合形成反应体系，将所述反应体系进行加热反应，反应结束后将反应液过滤，收集第一滤渣；将所述第一滤渣分散于第一溶剂中进行第一超声处理，将得到的第一超声分散液过滤，收集第二滤渣，得到碳纳米管模板。该方法制备的碳纳米管模板，可以用于制备棒状结构的金属氧化物纳米材料，可以提高金属氧化物的载流子迁移率。
纳米模板制备方法金属氧化物材料

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