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[发明专利]喷墨头用喷嘴板、其制造方法、喷墨头以及喷墨记录装置-CN202180089366.9在审
发明人： 下村明久;井村淳史;町田哲治 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供喷嘴内壁、喷嘴前端中的异形少的不锈钢制的喷墨头用喷嘴板、其制造方法、使用了该喷墨头用喷嘴板的喷墨头以及喷墨记录装置。本发明的喷墨头用喷嘴板是至少由不锈钢构成的喷墨头用喷嘴板，其特征在于，上述不锈钢是马氏体相的含有比例为5.4％以下的奥氏体系不锈钢。
喷墨喷嘴制造方法以及记录装置

[发明专利]喷墨头、喷墨头的制造方法以及喷墨记录装置-CN202080103807.1在审
发明人：佐藤洋平;下村明久;吉田仁纪;香西洋明 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：一种喷墨头，该喷墨头具有：硅喷嘴基板(11)，该硅喷嘴基板(11)具有墨的流路面(S1)和与流路面(S1)相向的墨的射出面(S2)，并具有从流路面(S1)贯通至射出面(S2)的喷嘴(111)；流路基板(12)，该流路基板(12)与硅喷嘴基板(11)的流路面(S1)接合，并具备墨的流路和具有流路的形成面的基板主体(12a)；以及疏液膜(14)，该疏液膜(14)设置于硅喷嘴基板(11)的射出面(S2)，其中，流路基板(12)具有：贯通流路(125)，该贯通流路(125)以面向喷嘴(111)的方式贯通基板主体(12a)；以及n个单独循环流路(121)，该n个单独循环流路(121)与贯通流路(125)连通并朝向远离喷嘴(111)的方向延伸，并且具有在从流路基板(12)的与硅喷嘴基板(11)接合的面的相反侧观察的俯视时与基板主体(12a)重叠的部分，各个单独循环流路(121)与喷嘴(111)的位置关系具有特定的关系。
喷墨制造方法以及记录装置

[发明专利]喷墨头以及喷墨头的制造方法-CN202080103850.8在审
发明人：佐藤洋平;下村明久;吉田仁纪;香西洋明 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：本发明的喷墨头是具备第一流路基板和第二流路基板的喷墨头，其中，所述第一流路基板和第二流路基板中的至少一方由硅形成，所述第一流路基板和第二流路基板的接合界面经由粘接剂层被接合，在所述第一流路基板和第二流路基板中的由硅形成的墨流路面和所述粘接剂层中的由所述硅形成的流路基板侧的面上，形成有含有具有Si‑C键的化合物的保护膜。
喷墨以及制造方法

[发明专利]喷嘴板、喷墨头、喷嘴板的制造方法以及喷墨头的制造方法-CN202180044960.6在审
发明人： 下村明久;平野肇志;西浦知宏 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：在制造喷嘴板10时，预先在进行基材的外形加工的部位进行以使深度成为5μm以上且10μm以下的方式设置凹部15的槽加工，在沿着凹部15通过激光进行外形加工时，凹部15成为台阶部151，粘渣152附着于台阶部151，另外，粘渣152比台阶部151更小，所以在将喷嘴板10粘接到流路等时不会成为粘接不良、空隙产生的原因。
喷嘴喷墨制造方法以及

[发明专利]喷墨头、喷墨头的制造方法以及喷墨记录方法-CN201980088657.9有效
发明人：佐藤洋平;下村明久;香西洋明 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供具备耐墨性和粘附性优异的喷嘴板的喷墨头及其制造方法、以及能够使用该喷墨头得到高质量的喷墨记录图像的喷墨记录方法。本发明的喷墨头是具备至少具有基板的喷嘴板的喷墨头，其特征在于，上述喷嘴板在上述基板的墨水排出面侧的最表面具有疏液层，在上述基板与上述疏液层之间具有疏液层基底膜，该疏液层基底膜至少含有硅(Si)和碳(C)，并且通过X射线光电子能谱法测定的表面部的Si2p轨道的键能的最大峰值P在由下式(1)表示的范围内，式(1)99.6(eV)≤P≤101.9(eV)。
喷墨制造方法以及记录

[发明专利]喷墨头以及图像形成方法-CN201880093175.8有效
发明人：铃木绫子;下村明久;山田晃久 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明的技术问题是提供一种喷墨头以及使用了该喷墨头且能够获得高质量的喷墨记录图像的图像成形方法，其中，该喷墨头具备喷嘴板，该喷嘴板疏液性和喷射油墨时的除电荷功能优异，能够防止油墨液滴附着在喷嘴面上，且具有良好的喷射稳定性和结构层粘接性。本发明涉及的喷墨头，其是具备具有喷嘴孔的基板、以及在该基板的喷墨面一侧的最表面上具有疏液层的喷嘴板的喷墨头，其中优选：在所述喷嘴板在所述基板和所述疏液层之间具有导电层，该导电层的薄层电阻为所述疏液层的薄层电阻的2/3以下，或者包含在所述基板的喷墨面一侧上形成的所述导电层和疏液层的结构层整体的复合薄层电阻为5.0×1014Ω/sq.以下。
喷墨以及图像形成方法

[发明专利]喷嘴板的制造方法和喷墨头-CN201880092534.8有效
发明人：丸林纯;下村明久;林勇辅;平野肇志;浦木信吾;佐藤洋平 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：本发明提供耐久性优异、喷出性良好的喷嘴板。为此，金属制的喷嘴板(30)通过粘接剂而粘接于具备用于喷出液体的致动器的头芯片(20)，形成有喷出液体的喷嘴(33)，该金属制的喷嘴板(30)的制造方法具备：喷嘴形成工序，在金属制的板状部件(P)上形成喷嘴；槽形成工序，在形成有喷嘴的金属制的板状部件形成槽(35)；以及外形加工工序，在槽形成工序后进行喷嘴板的外形加工。
喷嘴制造方法喷墨

[发明专利]氧化物半导体膜及半导体装置-CN202210049336.1在审
发明人： 下村明久;肥塚纯一;冈崎健一;山根靖正;佐藤裕平;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开的发明名称是“氧化物半导体膜及半导体装置”。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。
氧化物半导体装置

[发明专利]喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头的制造方法-CN201880045420.8有效
发明人： 下村明久;铃木绫子;佐藤洋平;中野阳介;江口秀幸;山田晃久 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提高喷嘴基板的射出面侧的与防液剂的反应性剂对于墨的耐受性、防止防液性的降低。喷墨记录装置的喷墨头具备喷嘴基板(40A)。喷嘴基板(40A)为具有以下的喷嘴基板：形成有将墨射出的喷嘴(2411)的基材部(41)、在基材部(41)的射出面侧形成且具有碳氧化硅膜的防液层基底膜(42A)、和在防液层基底膜(42A)的射出面侧形成的防液层(43)。
喷墨记录装置制造方法

[发明专利]氧化物半导体膜及半导体装置-CN201680008956.3有效
发明人： 下村明久;肥塚纯一;冈崎健一;山根靖正;佐藤裕平;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。
氧化物半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202111054048.7在审
发明人：山崎舜平;田中哲弘;下村明久;山根靖正;德丸亮;佐藤裕平;筒井一寻 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开的发明名称是“半导体装置及其制造方法”，且目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括：衬底上形成的第一绝缘体；第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；第二绝缘体上形成的第一导电体；以及第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能级比氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，第三氧化物绝缘体的导带底能级比第二氧化物绝缘体的导带底能级更近于真空能级，第一绝缘体包含氧，通过热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1E14 molecules/cm2以上且1E16 molecules/cm2以下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]喷墨头的制造方法、喷墨头以及喷墨记录装置-CN201780097915.0有效
发明人：佐藤洋平;下村明久;滨野光 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：能够更可靠地抑制流路基板的由墨引起的侵蚀。喷墨头芯片(10)具有喷出墨的喷嘴(111)和设置有与该喷嘴连通并供墨通过的墨流路(121)的流路基板(12)，具备该喷墨头芯片(10)的喷墨头(100)的制造方法包括：制造具有多个通过被分离而成为流路基板的区域的复合基板(12M)的复合基板制造工序；在复合基板的表面以及墨流路的内壁面形成第一保护膜(71a)的第一保护膜形成工序；从复合基板分别分离流路基板的分离工序；以及在通过分离工序而产生的流路基板的分离面中的至少在喷墨头芯片的表面露出的露出面形成第二保护膜(72)的第二保护膜形成工序。
喷墨制造方法以及记录装置

[发明专利]喷墨头、喷墨记录装置以及喷墨头的制造方法-CN201880045374.1有效
发明人：佐藤洋平;下村明久;铃木绫子;江口秀幸;山田晃久 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：防止喷嘴基板的射出面侧的拒液性降低。喷墨记录装置的喷墨头具备喷嘴基板(40A)。喷嘴基板(40A)具有：基板部(41)，形成有射出墨的喷嘴(2411)；拒液膜基底层(42A)，形成于基板部(41)的射出面侧，至少在表面具有硅氮化膜或者硅氧氮化膜；以及拒液膜(43)，形成于拒液膜基底层(42A)的射出面侧。
喷墨记录装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201680048760.7有效
发明人：笹川慎也;浜田崇;下村明久;冈本悟;栃林克明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备-CN202010201041.2在审
发明人： 下村明久;山根靖正;佐藤裕平;石山贵久;冈崎健一;川锅千穗;太田将志;石原典隆 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。
半导体晶体管装置显示装置以及电子设备

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