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[发明专利]一种有效提高瞬态响应速度的方法-CN202010367102.2有效
发明人：宋苗;唐威;汪西虎;姚和平 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种有效提高瞬态响应速度的方法，通过采样输出负载电流反馈到第一级放大器的尾电流，控制第二级放大管的栅，以提高瞬态响应速度和芯片输出的稳定性。本发明还提供了针对上述方法的电路，可以有效提高瞬态响应速度。所述电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻。本发明优化了输出负载轻载、重载突变时环路的响应速度，提高了瞬态响应速度以及减小了输出上冲和下冲的电压，提高了输出电压的稳定性和电路性能。
一种有效提高瞬态响应速度方法

[发明专利]应用于低压差线性稳压器中固定和可调版本切换的电路-CN202210720611.8在审
发明人：闫兆文;姚和平;苏海伟;张伟;范文来 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于低压差线性稳压器中固定和可调版本切换的电路，属于集成电路技术领域，包括：逻辑电平电路，可控制地连接于偏置端口和接地端之间，逻辑电平电路具有第一节点，用于输出一控制信号；第一控制电路，于控制信号的作用下可控制地连接于低压差线性稳压器的可调端口和反馈端口之间；第二控制电路，于控制信号的反相信号的作用下可控制地连接于反馈端口和一分压节点之间；分压电路，连接于可调端口，分压电路具有分压节点；第三控制电路，于控制信号的反相信号的作用下可控制地连接于分压电路和接地端之间。有益效果：电路结构简单、芯片占用面积小、性能稳定，能够兼顾面积和性能。
应用于低压线性稳压器固定可调版本切换电路

[发明专利]一种宽电压输入范围的内部电源电路-CN202210631593.6在审
发明人：董振斌;苏海伟 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽电压输入范围的内部电源电路，涉及电源技术领域，包括：限流稳压电路，用以将输入电压与预设电压阈值进行比较，并根据比较结果输出第一输出电压；电荷泵，于第一时钟信号和第二时钟信号的作用下根据第一输出电压输出控制信号；低压启动电路，并联连接于电荷泵的两端，用以降低电荷泵的启动电压；功率管，于控制信号的作用下将输入电压传输至电源输出端；瞬态过压保护电路，连接于电荷泵和功率管之间，用以当输入电压出现瞬态过压时，将输入电压产生的瞬态电流自功率管经瞬态过压保护电路泄放到接地端。本发明电路的启动电压低，响应速度快，结构简单，且占用面积小。
一种电压输入范围内部电源电路

[发明专利]一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器-CN202210148643.5有效
发明人：郝壮壮;赵德益;蒋骞苑;苏海伟 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种加速关断的阻断型浪涌保护器，包括：第一晶体管，其漏极连接第一端口；第二晶体管，其漏极与第一晶体管的源极连接，其源极与第一晶体管的栅极连接，且其源极还连接第二端口；第一电阻，连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间；加速关断模块，连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间。所述加速关断模块在出现浪涌时自身流过的电流为所述第二晶体管栅极寄生电容充电，使所述第二晶体管的栅极电压快速上升，提高所述阻断型浪涌保护器的关断速度。通过在电路中引入加速关断模块来大幅提升阻断型浪涌保护器的关断速度，减少关断过程中流向输出端的电流，为后级负载提供更精细、优良的浪涌保护。
一种具有加速阻断浪涌保护器

[发明专利]一种提高LDO由重载突变到轻载或空载时瞬态响应的方法-CN202010364810.0有效
发明人：董振斌;姚和平;汪西虎;唐威 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高LDO由重载突变到轻载或空载时瞬态响应的方法，在LDO结构基础上，采用比较器COMP对反馈电压和参考电压进行比较，所述比较器COMP的一个输入端接反馈电压FB，另一个输入端接参考电压VR，比较器COMP的一个输出out1接LDO的功率管栅极VG，比较器另一个输出out2接LDO的输出端VO，当输出电压超出正常范围时，反馈电压FB高于参考电压VR，比较器COMP动作，将功率管关断，同时给输出电容放电；当输出电压在正常范围内时，反馈电压低于参考电压，比较器COMP的输出不影响功率管，也不影响输出电压。本设计方案具有电路结构简单、响应迅速、动作点容易调整、使用灵活等特点。
一种提高 ldo 重载突变到轻载空载瞬态响应方法

[发明专利]一种应用于LDO中的低功耗方法-CN202010431612.1有效
发明人：姚和平;董振斌;汪西虎;唐威 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于LDO中的低功耗方法，为一种在LDO设计中降低静态电流的设计方案。本发明在LDO处于空载状态时，关断过温保护和过流保护模块中消耗的静态电流，极大地节省了电源功耗，而一旦LDO处于带载状态，过温保护和过流保护模块正常启动，不影响保护机制工作。该设计方案具有电路结构简单、快速响应、使用灵活等特点。
一种应用于 ldo 中的功耗方法

[发明专利]一种无电容型LDO的瞬态响应增强电路-CN202011394727.4有效
发明人：姚和平;汪西虎;唐威;苏海伟 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G05F1/571 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种无电容型LDO的瞬态响应增强电路，其中，包括：一输出控制支路，连接于一电压输入端和一电压输出端之间，以控制电压输入端的电压输入至电压输出端；一泄放支路，连接于电压输出端和地之间；一检测支路，连接于电压输出端和泄放支路之间，以检测电压输出端的输出电压；泄放支路用于提供一条输出到地的低阻通路，当输出电压出现尖峰脉冲时泄放支路打开，将输出电流中的瞬态尖峰电流泄放至地。有益效果：通过泄放支路将电压输出端的瞬态尖峰电流泄放至地，从而抑制电压输出端的电压上跳，达到增强LDO瞬态响应的目的，且通过设置输出控制支路，将输出极点移至高频处，提升LDO的频率稳定性，且结构简单、响应速度快，无需外接特定的电容及额外的外接电容引脚，可缩小芯片面积。
一种电容 ldo 瞬态响应增强电路

[发明专利]一种集成阻断型浪涌保护器件-CN202111351503.X有效
发明人：郝壮壮;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;李佳豪 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成阻断型浪涌保护器件，属于半导体保护器件领域，包括：第一三极管器件包括：第一掺杂区以及形成于第一掺杂区中的第四掺杂区；第二掺杂区，通过第一导电沟道连接第一掺杂区；第一控制区，通过第一栅极隔离层连接第一导电沟道，第一控制区用于控制第一导电沟道关断或导通；第二三极管器件包括：第三掺杂区，短路连接于第二掺杂区；第二控制区，通过第一负载连接第一掺杂区，第二控制区用于控制第二导电沟道关断或导通；第五掺杂区，连接第一控制区，以及通过第二导电沟道连接第三掺杂区。本发明只在一个芯片上集成类似可重置保险丝的可变电阻电路，可重复性导通与阻断，实现对电路的浪涌保护。
一种集成阻断浪涌保护器

[发明专利]一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法-CN202110927439.9有效
发明人：蒋骞苑;赵德益;吕海凤;霍田佳;严林;周凯;彭阳 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：衬底、阱区；阱区包括第一预设区域和第二预设区域，第一预设区域内包括间隔布设的第一掺杂区；第二预设区域包括：场掺杂区，场掺杂区间隔布设于阱区内；第二掺杂区，设置于场掺杂区之间，第二掺杂区的邻边与场掺杂区紧密贴合，且第二掺杂区分别位于每个第一掺杂区的上表面；场氧化层自场掺杂区内形成，且凸出于场掺杂区。本发明技术方案的有益效果在于：同时具有击穿电压低，负阻特性更大的特性，因此具有更低的钳位电压，因此具有超低触发电压和超低钳位电压的特性，保护后级电路的能力更强。
一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法

[实用新型]一种半导体保护器件-CN202120334993.1有效
发明人：吕海凤;赵德益;王允;蒋骞苑 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体保护器件，属于半导体技术领域，包括：一衬底；一外延层，设置于衬底的上表面；一二极管器件，形成于外延层中，二极管器件的正向电极连接至一第一端口，二极管器件的负向电极连接至一第二端口；一二端双结器件，形成于外延层中，二端双结器件包括一第一电极及一第二电极，第一电极连接第一端口，第二电极连接第二端口。本技术方案具有如下优点或有益效果：通流路径更短，在提高单位面积的浪涌能力的同时，降低钳位电压，适应于更多应用需求。
一种半导体保护器件

[实用新型]一种智能低边功率开关的控制电路及芯片-CN202022825816.1有效
发明人：闫兆文;汪西虎;姚和平;唐威;苏海伟 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种智能低边功率开关的控制电路及芯片，其中，包括：第一NMOS管；第二NMOS管，其源极连接第一电阻后与第一NMOS管的源极并联接地，其与第一NMOS管的漏极并联至第一节点后连接负载，控制端并联至第二节点后通过第二电阻连接电压输入端；防护模块，并联于电压输入端与地之间；过温保护模块，并联于第二节点与地之间；限流模块，并联于第二节点与地之间，并设置检测端连接第二NMOS管的源极；过压保护模块，并联于第一节点与第二节点之间；钳压模块，并联于第一节点与地之间。有益效果：解决第一NMOS管在关断瞬间因高电感负荷产生的能量发生单脉冲雪崩能量击穿而损坏的问题，具有高可靠性。
一种智能功率开关控制电路芯片

[发明专利]一种骤回瞬态电压抑制器-CN202110722838.1在审
发明人：蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;李佳豪;张彩霞 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种骤回瞬态电压抑制器，属于半导体保护器件领域，包括：外延层形成于衬底上；多个预设区域形成于外延层中且被隔离结构隔离；第一预设区域和第五预设区域包括第一P+区、第一N+区和第二P+区；第二预设区域和第四预设区域包括第二N+区、第三P+区和第三N+区；第三预设区域包括第一P型阱区、第二P型阱区、形成于第二P型阱区内的第四N+区，形成于第一P型阱区内的两个第四P+区和两个第五N+区；介质层形成于外延层的上表面，介质层中包括对应每个P+区和N+区的金属孔；多个金属层形成于每个金属孔中。本发明的有益效果在于：击穿电压和触发电压较低，保护响应更快，导通电阻和钳位电压更小，对后级集成电路的保护能力更强。
一种瞬态电压抑制器

[发明专利]一种耗尽型场效应晶体管器件及其制备方法-CN202110363613.1在审
发明人：蒋骞苑;赵德益;吕海凤;郝壮壮;胡亚莉;张彩霞;高小丽;严林;彭阳 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种耗尽型场效应晶体管器件的制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：步骤S1，在衬底上形成第一外延层；步骤S2，生长氧化层，并于第一外延层中形成至少两个柱区；步骤S3，形成第二外延层；步骤S4，形成至少两个阱区；步骤S5，形成深槽；于深槽内及深槽的上表面形成栅氧化层，于深槽和阱区之间形成沟道，于栅氧化层的上表面形成多晶硅层；步骤S6，形成依次相连接的第一N型注入区、第一P型注入区和第二N型注入区；步骤S7，形成一介质层，并形成对应的接触孔；步骤S8，淀积源极金属、栅极金属；步骤S9，进行研磨减薄处理，并形成漏极金属。本技术方案的有益效果在于：导通电阻低、关断时耐压高、漏电流小。
一种耗尽场效应晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种低触发电压的SCR器件及其制备方法-CN202110378050.3在审
发明人：赵德益;蒋骞苑;吕海凤;严林;王达;彭阳;周凯 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种低触发电压的SCR器件及其制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：于一衬底的表面形成外延层；于外延层中依次形成P型掺杂区、N型掺杂区、P型掺杂区和N型掺杂区；分别形成第一N型注入区、第二N型注入区、第三N型注入区、第一P型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区、第五N型注入区和第四P型注入区，第二P型注入区与第一N型掺杂区、第二P型掺杂区耦接；于外延层中形成隔离结构；于外延层的表面沉积介质层，并分别形成对应每个注入区的接触孔；于接触孔中进行金属沉积，并形成金属连线。本技术方案的有益效果在于：具有较低的触发电压，较强的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性。
一种触发电压 scr 器件及其制备方法

[实用新型]一种单向半导体放电管及双向半导体放电管-CN202022356951.6有效
发明人：单少杰;苏海伟;魏峰;王帅;张英鹏;范炜盛 -专利权人： 上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体保护器件技术领域，尤其涉及一种单向半导体放电管及双向半导体放电管，其中，包括：相互并联的第一TSS器件及第一TVS器件；其中，包括第一半导体衬底，第一半导体衬底上表面设置有一预定深度的第一N型掺杂区，第一半导体衬底下表面设置有一预定深度的第二N型掺杂区；一第一TSS器件区域；一第一TVS器件区域设置于第一TSS器件区域的一侧；第一TSS器件区域与第一TVS器件区域通过第一N型掺杂区及第二N型掺杂区实现并联。有益效果：使得形成有二次回归的特性曲线，且使得在小电流情况下由第一TVS器件区域导通，从而有效降低器件残压，进而消除器件浪涌对后端电路的影响，防止后端电路受到残压影响后损坏。
一种单向半导体放电双向

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