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[发明专利]偏振无关集成可调色散补偿芯片-CN202310236499.5在审
发明人：周林杰;刘源彬;陆梁军;李雨;陈建平;刘娇 -专利权人：上海交通大学;上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：一种基于开关级联反对称光栅的偏振无关集成可调色散补偿芯片，其特征在于：该芯片包括偏振无关的多级串行级联光开关以及色散补偿量呈指数增加的偏振无关反对称光栅。光栅由侧壁具有反对称分布锯齿条纹的脊型波导构成，光经过光栅反射后发生偏振旋转(TE偏振变为TM偏振，TM偏振变为TE偏振)，因而对TE和TM不同偏振输入，光栅具有相同的色散补偿。通过多级串行级联光开关的状态切换来选择是否经过反对称光栅，实现不同色散补偿量的切换。本发明可实现大范围可调的偏振无关色散补偿，具有偏振不敏感、尺寸小、集成度高、功耗低、结构简单易拓展等优点，能在光通信和数据中心光互连等场景中对光纤色散进行补偿，具有广阔的应用前景。
偏振无关集成可调色散补偿芯片

[发明专利]一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法-CN202111076225.1有效
发明人：郑分刚;汪成根;袁伟;张桂菊 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法，基于脉冲激光沉积设备，包括以下步骤：在真空条件下，利用激光照射旋转靶材进行预打靶，然后在旋转硅基底上沉积Ge2Sb2Se4Te1薄膜。本发明是通过脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1，保证了合金薄膜中各个元素较为理想的组分比，并通过特定温度特定时间的退火实现了Ge2Sb2Se4Te1在逐渐相变过程中的折射率变化情况，在1550nm处实现了优度值FOM＝5.2，优度值为相变前后折射率的变化与消光系数的变化之比，反映了相变材料的相变性能。对于本发明提供的基于脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1，研究了其相变前后的形貌变化以及晶态情况下的晶格结构，并且分析了相变前后元素化学态度的变化情况，揭示了Ge2Sb2Se4Te1的相变机理。
一种基于脉冲激光沉积相变薄膜制备方法

[发明专利]一种滴灌式聚氨酯海绵海水蒸发结构及其应用-CN202210158805.3有效
发明人：郑分刚;刘帅;纪翔;帅順旭 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院;中自华御（苏州）新能源科技有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C02F1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种滴灌式聚氨酯海绵海水蒸发结构及其应用，涉及海水淡化技术领域。本发明所述的滴灌式聚氨酯海绵海水蒸发结构，包括双层蒸发结构和滴灌式加水管；所述双层蒸发结构包括亲水性光热层和疏水性隔热层；所述滴灌式加水管设置于所述亲水性光热层上方；所述双层蒸发结构的材料为聚氨酯海绵，其一侧利用改性的光热亲水材料进行改性得到所述亲水性光热层；未改性的一侧为疏水性隔热层。本发明所述的滴灌式聚氨酯海绵海水蒸发结构的制备，工艺简单、成本低廉、利用浸泡、涂敷工艺即可实现，适于规模化生产。
一种滴灌聚氨酯海绵海水蒸发结构及其应用

[发明专利]一种碳基材料及其制备方法与应用-CN202310471618.5在审
发明人：郑分刚;帅顺旭;纪翔 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C02F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳基材料及其制备方法与应用，属于海水淡化技术领域。本发明的碳基材料的制备方法包括以下步骤，(1)对三聚氰胺海绵进行碳化处理，得到碳化材料；(2)将光热材料溶于聚乙烯醇溶液，得到悬浮液；(3)将碳化材料浸渍于悬浮液中，后烘干，得到所述碳基材料。本发明的碳基材料应用于海水蒸发淡化，可以在高浓度海水，高光强下长时间蒸发，不会出现盐分的聚集。海水的蒸发量达到了2.4kg/m2*h，光热转换效率达到了94％。
一种基材料及制备方法应用

[发明专利]聚焦离子束悬浮微结构加工方法、其系统及悬浮微结构-CN202310672571.9在审
发明人：王英;杨明来;付学成;乌李瑛;陈舒静;付刘成 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院;上海交通大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚焦离子束悬浮微结构加工方法、其系统及悬浮微结构，包括如下步骤：步骤S1：在衬底的表面上设置有牺牲层；在牺牲层上沉积薄膜材料；步骤S2：将沉积薄膜材料后的衬底放入聚焦离子束设备腔室中，选取所设计图形的中间部分，采用聚焦离子束在薄膜材料表面进行图形结构加工，且刻蚀深度不小于薄膜厚度；步骤S3：在聚焦离子束设备腔室中通过气体系统通入预设气体，在图形结构表面进行牺牲层刻蚀，控制通气时间结合离子束刻蚀，获得悬浮结构；步骤S4：在悬浮结构表面加工剩余图形至所需位置，获得悬空边缘结构和悬浮微结构。本发明采用聚焦离子束两次刻蚀的方法进行悬浮微结构加工，解决了现有技术中悬浮边缘难以控制及边缘结构不易加工的技术难题。
聚焦离子束悬浮微结构加工方法系统

[发明专利]悬浮膜的制备方法及悬浮膜-CN202310425298.X在审
发明人：王英;付学成;张笛;沈贇靓;盛嘉平 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院;上海交通大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种悬浮膜的制备方法及悬浮膜，所述方法包括光刻胶旋涂步骤：在干净平整的基底上旋涂光刻胶；铜网放置步骤：将透射电镜用铜网放置在光刻胶表面，静置一段时间；固化步骤：将铜网、光刻胶、基底放在热板上在一定温度下固化；薄膜溅射步骤：将固化后的铜网、光刻胶、基底表面溅射一定厚度的薄膜；悬浮膜获取步骤：将得到的薄膜、铜网、光刻胶、基底放在光刻胶去胶液中，溶解光刻胶，获得悬浮膜。本发明解决现有方法工艺复杂、随机性强等问题，获得厚度可控的悬浮膜。采用将铜网作为支撑结构结合光刻胶的去除，解决了现有技术中悬浮膜随机捞取的问题；本方法流程简单，不需要进行干法及湿法刻蚀，适用于多种材料批量化悬浮膜的制备。
悬浮制备方法

[发明专利]一种终端量子时间同步网络方法及系统-CN202310543085.7在审
发明人：何广强;李鑫龙 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院;上海交通大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H04J3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种终端量子时间同步网络方法及系统，包括：中心节点使用集成微腔光频梳作为纠缠源，获得数对个信号光与闲置光，用于各个节点时间同步；分离的信号光经过光纤链路传输后到达终端节点；终端节点有概率吸收或反射信号光，使信号光重新进入中心节点；闲置光有概率与反射信号光在和频模块中发生和频效应；中心节点的计算机根据和频信号结算的钟差动态调整使分离的信号光和闲置光在光纤中传输时经历相同的传播时间，实现钟差解算。本发明实现多终端同时进行时间同步；利用和频效应检测两地时钟差，在光域上进行，时间精度高，为飞秒量级；使用集成微腔光频梳作为纠缠源，可以同时提供大量的纠缠对，使得网络规模方便扩展、拓扑灵活。
一种终端量子时间同步网络方法系统

[发明专利]硅-相变材料异质集成波导结构、非易失波导移相器-CN202310229530.2在审
发明人：周林杰;刘世昌;杨星;陆梁军;李雨;陈建平 -专利权人：上海交通大学;上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种硅‑相变材料异质集成波导结构，包括硅平板层，以及沉积在该硅平板层上的相变材料。以及一种非易失波导移相器，包括基层，以及固定在该基层上的异质集成波导结构和硅波导模斑转换结构，异质集成波导结构的两端对称连接所述的硅波导模斑转换结构；硅波导模斑转换结构，包括呈轴对称设置的两个由窄变宽的硅波导，以及设置在该两个硅波导上方之间的由宽变窄的脊形波导；氧化铝薄膜覆盖在相变材料的上方，在所述的氧化铝薄膜上方的是单层石墨烯，该单层石墨烯上是金属层，所述的金属层包括二个金属电极。单层石墨烯与金属电极形成欧姆接触，电流通过石墨烯产生热量，经单层石墨烯下方的氧化铝薄膜进行传导，提供低损耗相变材料相变所需的热量。本发明移相器具有结构紧凑、插入损耗低、驱动电压小、相变功耗低、相位调节非易失等优点，可以作为集成光电子芯片中的核心光路调控器件。
相变材料集成波导结构非易失移相器

[发明专利]一种超亲/超滑区域分布的硅基表面及其制备方法-CN202310156674.X在审
发明人：郑分刚;纪翔;帅顺旭 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种超亲/超滑区域分布的硅基表面及其制备方法，属于表面处理技术领域。制备方法为在硅基底表面旋涂光刻胶，光刻后进行银辅助化学刻蚀处理，得到具有条纹状微米级粗糙结构的样品；对样品再次进行银辅助化学刻蚀处理，在微米级粗糙结构基础上增加纳米线结构，得到具有微纳复合结构的样品；在样品表面再次旋涂光刻胶，通过磁控溅射技术在样品的凹处条纹表面镀银，得到具有阻挡层及微纳复合结构的样品；在样品表面浸润润滑油，酸洗得到硅基表面。硅基表面具有优良地亲水性和超滑特性，超亲水表面具有液滴快速成核及输运地特点，超滑表面具有较小的滞后角，所得区域分布表面能够快速地收集以及输运雾气中的水。
一种区域分布表面及其制备方法

[发明专利]一种掺杂银的光学相变薄膜及其制备方法与应用-CN202310156669.9在审
发明人：郑分刚;王锐;袁伟 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂银的光学相变薄膜及其制备方法与应用，属于光学相变材料技术领域。本发明所述的掺杂银的光学相变薄膜，包括Ge2Sb2Se4Te1薄膜、以及掺杂在所述Ge2Sb2Se4Te1薄膜中的Ag；所述光学相变薄膜中所述Ag的掺杂含量为0.44at％‑3.44at％。本发明所述的掺杂银的光学相变薄膜在退火前后表现出优异的光学对比度，并且晶态吸光能力有所改善，材料品质因数在5.45‑7.48范围内，显著高于现有的GST、VO2等相变材料。
一种掺杂光学相变薄膜及其制备方法应用

[发明专利]基于纳米梁开关阵列的背向出射激光雷达发射芯片-CN202310148036.3在审
发明人：周林杰;刘楚昕;许维翰;陆梁军;李雨;郭宇耀;陈建平;金敏慧 -专利权人：上海交通大学;上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：一种基于纳米梁开关阵列的背向出射激光雷达发射芯片，包括纳米梁开关路由网络、金属反射层和作为傅里叶变换透镜的超构表面透镜；纳米梁开关路由网络制作在所述芯片的正面，输入光信号进入纳米梁开关路由网络的纳米梁开关支路后，由特定的纳米梁开关单元路由至对应的纳米梁发射支路，由特定的纳米梁发射单元向自由空间发射，正面金属反射层将向上辐射的光波向下反射，最终所有向下发射的光波通过背面超构表面透镜向指定方向准直发射。本发明可以实现定向传输，同时实现开关选通和垂直发射的功能，硅基超构表面透镜可以作为傅里叶变换透镜实现高精度、大范围的波束扫描，为大规模制造硅基集成激光雷达发射芯片提供一种优越的技术路径。
基于纳米开关阵列背向激光雷达发射芯片

[发明专利]一种有源磁场探头-CN202211488823.4在审
发明人：李晓春;何鑫;刘宇勖;毛军发 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种有源磁场探头，涉及电磁兼容和电磁场近场测试技术领域。探测部在感应到待测件的磁场变化以后感应产生电磁信号，水平转接结构实现电磁信号从带状线到人工表面等离激元的平滑过渡以及两者之间的阻抗匹配，有源放大电路放大电磁信号，极大提高了有源磁场探头的灵敏度。
一种有源磁场探头

[发明专利]一种相变存储单元及其制备方法-CN202211731112.5在审
发明人：郑分刚;袁伟;吉从政 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，属于相变存储器技术领域。本发明所述的相变存储单元包括：衬底；底电极层，所述底电极层设置于所述衬底中，所述底电极层的上接触面暴露于所述衬底外且与所述衬底上表面持平；柱形相变层，所述柱形相变层设置于所述底电极层上接触面的中间；绝缘保护层，所述绝缘保护层设置于所述柱形相变层的外围；顶电极层，所述顶电极层设置于所述柱形相变层和所述绝缘保护层的上方。本发明所述的制备方法可以刻蚀出5μm以下的小尺寸单元，可提高器件循环次数，降低器件相变过程中的功耗，减小电阻漂移，能够提升器件稳定性、数据保持能力等性能。
一种相变存储单元及其制备方法

[发明专利]基于BCB封装工艺低温互连桥线的方法及芯片-CN202211586424.1在审
发明人：赵俊哲;周亮;张成瑞;毛军发 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于BCB封装工艺低温互连桥线的方法及芯片，包括如下步骤：步骤1：在埋置好芯片的硅片上制备介质层；步骤2：制备金属布线层图形；步骤3：在基片上制备图形衬底；步骤4：制备金属种子层并制备开窗层保护膜；步骤5：利用电镀工艺形成桥线；步骤6：去除保护膜及衬底。本发明解决了传统互连方式在高频下损耗较大的问题，解决了高温烘烤导致介质层上金属布线翘曲的问题。
基于 bcb 封装工艺低温互连方法芯片

[发明专利]一种微纳波导及偏振和能量-时间量子超纠缠态制备方法-CN202211576635.7在审
发明人：陈洋河;何广强 -专利权人： 上海交大平湖智能光电研究院;上海交通大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02F1/365 文献下载
摘要：本发明提供一种微纳波导及偏振和能量‑时间量子超纠缠态制备方法，包括一个由铌酸锂晶体膜制备成的非线性直波导，基于所述铌酸锂晶体膜的二阶非线性系数χ(2)，在所述直波导结构内发生自发参量下转换SPDC过程，一个泵浦光光子产生一个信号光光子和一个闲置光光子；产生的所述信号光光子和闲置光光子为超纠缠态双光子对，即在能量‑时间维度存在纠缠关系，同时在偏振维度也存在纠缠关系。本发明通过优化设计截面结构可以调整波导的色散关系，控制双光子在偏振维度的纠缠程度，优化自发参量下转化(SPDC)过程的产生效率，实现宽带的信号光与闲置光光谱。
一种波导偏振能量时间量子纠缠制备方法

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